【技术实现步骤摘要】
本申请涉及通信，尤其涉及一种小型高隔离度上变频芯片及变频器。
技术介绍
1、变频器是无线系统中必不可少的电路。不论是微波通信系统、雷达、遥控、遥感还是电子侦察与电子对抗，以及许多微波测量系统，都须用变频器把微波信号降到中低频来处理。单片微波集成电路（monolithic microwave integrated circuit，mmic）系统，具有体积小、稳定性高、一致性高等优点，因此单片变频器在军事和民用电子系统获得更广泛的应用前景；同时，随着通信技术的小型化发展需求，将多种功能类器件集成在同一半导体工艺实现也迫在眉睫，因此小型化而且具备多种功能的芯片设计是趋势所向。但是对于多功能芯片而言，既要实现芯片小型化又要实现多功能优异性能，需要在信号传输中对不同功能器件做充分的杂散和带外抑制，且随着频率升高，传输信号波长与芯片上传输线间距可比拟，不同路径的信号将会产生耦合，因此，设计一种小型化高隔离度芯片有着重要意义。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种小型高隔离度上变频芯片及变频器，以解决芯片在小型化的同时保持较高隔离度的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种小型高隔离度上变频芯片，包括：依次连接的本振链路、混频链路和射频链路；
3、其中，所述本振链路包括：五级单电源供电放大电路和倍频器；所述五级单电源供电放大电路包括：两级单电源的第一放大器和三级单电源的第二放大器；所述第一放大器、所述倍频器和所述第二放大器依次连接；
4、所述射频链路包
5、所述第二放大器的部分电路元件、所述第一放大器和所述倍频器布设于芯片下方横向支路；所述第二放大器的其余部分电路元件和所述混频链路布设于芯片中间横向支路；所述射频链路布设于芯片上方横向支路。
6、在一种可能的实现方式中，所述倍频器为2倍倍频器；
7、所述倍频器，包括两个反向并联的二极管；二极管的输出端端接巴伦输出合路信号。
8、在一种可能的实现方式中，该芯片还包括：阻抗匹配电路m3；
9、所述阻抗匹配电路m3包括串联电感l1和并联电容c1；
10、所述串联电感l1接于所述二极管的输出端与巴伦端接处；所述并联电容c1接地。
11、在一种可能的实现方式中，输入所述第一放大器的信号的工作频率为10-12ghz；经过所述倍频器的输出信号的工作频率为20-24ghz。
12、在一种可能的实现方式中，该芯片还包括：第一阻抗匹配电路；
13、所述第一放大器和所述第二放大器分别包括两级晶体管和三级晶体管；
14、所述第一阻抗匹配电路与所述第二放大器的第三级晶体管连接，用于进行晶体管最佳输出功率阻抗匹配。
15、在一种可能的实现方式中，所述第一阻抗匹配电路，包括：串联电容、接地电容、并联电容和并联电阻；
16、其中，所述并联电容和所述并联电阻一端连接所述串联电容，另一端接地。
17、在一种可能的实现方式中，所述混频链路包括中频信号输入端、射频链路连接端和本振链路连接端。
18、如图4所示，中频信号由pad引入，经低通结构m4连接巴伦b2后，输入至所述中频信号输入端；
19、其中，所述低通结构m4由串联电感l3和并联电容c6组成。
20、在一种可能的实现方式中，所述混频链路采用双平衡混频拓扑结构；
21、所述混频链路的混频核选用尺寸为栅指2指，栅宽30um，总栅宽60um的二极管。
22、在一种可能的实现方式中，该芯片还包括第二阻抗匹配电路，连接于所述混频链路与所述射频链路之间；
23、所述第二阻抗匹配电路包括：串联连接的第一电容c7和第二电容c8、接于所述第一电容c7和第二电容c8之间的并联电感l4、与所述并联电感l4连接的接地电阻r1。
24、在一种可能的实现方式中，在不同路径信号间加入多个片上地孔，并且片上地孔间依次相连。
25、在一种可能的实现方式中，该芯片还包括：高阻抗微带线；
26、所述高阻抗微带线环绕所述混频链路的二极管设置，所述高阻抗微带线周边连接地孔结构。
27、在一种可能的实现方式中，小型高隔离度上变频芯片尺寸3mm *2mm，采用5.0mm×5.0mm×1.1mm表贴无引线陶瓷管壳，封装防尘防水等级大于等于ip66。
28、第二方面，本申请实施例提供了一种变频器，包括如上第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所述的小型高隔离度上变频芯片。
29、本申请实施例提供一种小型高隔离度上变频芯片及变频器，小型高隔离度上变频芯片通过依次连接的本振链路、混频链路和射频链路组成。其中，本振链路包括：五级单电源供电放大电路和倍频器；五级单电源供电放大电路包括：两级单电源的第一放大器和三级单电源的第二放大器，第一放大器、倍频器和第二放大器依次连接，确保信号在传输过程中的稳定性和放大效果。射频链路包括四级双电源供电放大电路，以满足射频信号放大处理的需求。第二放大器的部分电路元件、第一放大器和倍频器布设于芯片下方横向支路；第二放大器的其余部分电路元件和混频链路布设于芯片中间横向支路；射频链路布设于芯片上方横向支路。这种三层布局架构不仅最大化地利用了芯片的空间资源，促进了电路集成度的提升，实现了设备的小型化，同时也确保了各链路间有效的隔离，进而增强了整体信号处理的性能。这满足了现代电子设备对于尺寸和性能的双重高标准需求。
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1.一种小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，包括：依次连接的本振链路、混频链路和射频链路；
2.根据权利要求1所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，所述倍频器为2倍倍频器；
3.根据权利要求2所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，还包括：阻抗匹配电路；
4.根据权利要求1所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，还包括：第一阻抗匹配电路；
5.根据权利要求4所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，所述第一阻抗匹配电路，包括：串联电容、接地电容、并联电容和并联电阻；
6.根据权利要求1所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，所述混频链路包括中频信号输入端、射频链路连接端和本振链路连接端；
7.根据权利要求1所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，所述混频链路采用双平衡混频拓扑结构；
8.根据权利要求1所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，还包括第二阻抗匹配电路，连接于所述混频链路与所述射频链路之间；
9.根据权利要求1所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，在不同路径
10.一种变频器，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的小型高隔离度上变频芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，包括：依次连接的本振链路、混频链路和射频链路；
2.根据权利要求1所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，所述倍频器为2倍倍频器；
3.根据权利要求2所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，还包括：阻抗匹配电路；
4.根据权利要求1所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，还包括：第一阻抗匹配电路；
5.根据权利要求4所述的小型高隔离度上变频芯片，其特征在于，所述第一阻抗匹配电路，包括：串联电容、接地电容、并联电容和并联电阻；
6.根据权利要求1所述的小型高...
【专利技术属性】
技术研发人员：屈晓敏，卢啸，于长江，赵玥阳，王雪艳，郭跃伟，段磊，黎荣林，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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