【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，特别涉及电子纸阵列基板及显示装置。
技术介绍
1、随着显示技术的飞速发展，显示面板越来越向着高充电率、低功耗、轻薄化的方向发展。其中，goa(gate driver on array，阵列基板行驱动)技术将tft(thin filmtransistor，薄膜晶体管)栅极驱动电路集成在电子纸显示屏的阵列基板上，以形成对显示面板的驱动，可以节省较多布线空间，实现窄边框。为了满足电子纸显示屏的快刷和全彩显示需求，通常采用高迁移率的金属氧化物oxide作为半导体材料，但oxide作为栅极驱动电路的半导体材料不能长时间稳定输出较高的栅极驱动电压，容易出现显示异常。
技术实现思路
1、本公开实施例提供的电子纸阵列基板，包括：
2、衬底基板，包括显示区和非显示区；
3、多个像素，位于所述衬底基板的所述显示区；所述像素包括像素晶体管和与所述像素晶体管连接的像素电极；
4、栅极驱动电路，位于所述衬底基板的所述非显示区；所述栅极驱动电路包括栅极电路晶体管，所述栅极电路晶体管的有源层的材料为非晶硅，所述像素晶体管的有源层的材料与所述栅极电路晶体管的有源层的材料不同。
5、在一些示例中，所述像素晶体管的有源层的材料为金属氧化物半导体材料。
6、在一些示例中，所述金属氧化物半导体材料包括：铟镓锌氧化物。
7、在一些示例中，所述栅极电路晶体管的栅极位于所述栅极电路晶体管的有源层与所述衬底基板之间，所述栅极电路晶体管的源漏极
8、所述像素晶体管的栅极位于所述像素晶体管的有源层与所述衬底基板之间，所述像素晶体管的源漏极位于所述像素晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧；
9、所述栅极电路晶体管的栅极与所述像素晶体管的源漏极同层同材质。
10、在一些示例中，所述栅极电路晶体管的栅极位于所述栅极电路晶体管的有源层与所述衬底基板之间，所述栅极电路晶体管的源漏极位于所述栅极电路晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧；
11、所述像素晶体管的栅极位于所述像素晶体管的有源层与所述衬底基板之间，所述像素晶体管的源漏极位于所述像素晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧；
12、所述栅极电路晶体管的源漏极与所述像素晶体管的栅极同层同材质。
13、在一些示例中，还包括半导体材料层，所述半导体材料层位于所述像素晶体管的栅极与所述衬底基板之间；
14、所述像素晶体管的栅极在所述衬底基板的正投影覆盖所述半导体材料层在所述衬底基板的正投影。
15、在一些示例中，所述半导体材料层与所述栅极电路晶体管的有源层同层同材质。
16、在一些示例中，所述栅极驱动电路包括至少两个栅极电路晶体管，所述至少两个栅极电路晶体管中的一个栅极电路晶体管与另一个栅极电路晶体管通过连接层电连接；
17、所述连接层与所述像素晶体管的源漏极同层同材质。
18、在一些示例中，所述像素晶体管的源漏极中的一个极通过第一转接层与所述像素电极连接，所述第一转接层位于所述像素晶体管的源漏极所在层与所述像素电极所在层之间；
19、所述像素电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一转接层在所述衬底基板的正投影。
20、在一些示例中，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述像素晶体管的源漏极所在层与所述第一转接层之间，所述第一转接层通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述像素晶体管的源漏极中的一个极连接。
21、在一些示例中，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一转接层和所述像素电极所在层之间，所述像素电极通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述第一转接层连接。
22、在一些示例中，还包括位于像素晶体管一侧的层叠设置的第一公共电极和第二公共电极；
23、所述第一公共电极、所述第二公共电极位于所述像素电极所在层和所述像素晶体管的栅极所在层之间；
24、所述第一公共电极与所述像素晶体管的源漏极同层同材质，所述第二公共电极与所述第一转接层同层同材质；
25、所述第二公共电极通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第一公共电极连接。
26、在一些示例中，所述栅极电路晶体管的源漏极与所述第一转接层同层同材质。
27、在一些示例中，所述第一转接层包括第一子转接层和第二子转接层，所述第二子转接层所在层位于所述第一子转接层所在层与所述像素电极所在层之间；
28、所述第二子转接层所在层与所述第一子转接层所在层之间具有第三绝缘层，所述第二子转接层与所述第一子转接层通过贯穿所述第三绝缘层的第四过孔连接；
29、所述第二子转接层所在层与所述像素电极所在层之间具有第四绝缘层，所述第二子转接层与所述像素电极通过贯穿所述第四绝缘层的第五过孔连接。
30、本公开实施例提供的电子纸显示装置，包括上述的电子纸阵列基板。
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1.一种电子纸阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述像素晶体管的有源层的材料为金属氧化物半导体材料。
3.根据权利要求2所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料包括：铟镓锌氧化物。
4.根据权利要求3所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述栅极电路晶体管的栅极位于所述栅极电路晶体管的有源层与所述衬底基板之间，所述栅极电路晶体管的源漏极位于所述栅极电路晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧；
5.根据权利要求3所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述栅极电路晶体管的栅极位于所述栅极电路晶体管的有源层与所述衬底基板之间，所述栅极电路晶体管的源漏极位于所述栅极电路晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧；
6.根据权利要求5所述的电子纸阵列基板，其特征在于，还包括半导体材料层，所述半导体材料层位于所述像素晶体管的栅极与所述衬底基板之间；
7.根据权利要求6所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述半导体材料层与所述栅极电路晶体管的有源层同层同材质。
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9.根据权利要求4或5所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述像素晶体管的源漏极中的一个极通过第一转接层与所述像素电极连接，所述第一转接层位于所述像素晶体管的源漏极所在层与所述像素电极所在层之间；
10.根据权利要求9所述的电子纸阵列基板，其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述像素晶体管的源漏极所在层与所述第一转接层之间，所述第一转接层通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述像素晶体管的源漏极中的一个极连接。
11.根据权利要求10所述的电子纸阵列基板，其特征在于，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一转接层和所述像素电极所在层之间，所述像素电极通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述第一转接层连接。
12.根据权利要求10所述的电子纸阵列基板，其特征在于，还包括位于像素晶体管一侧的层叠设置的第一公共电极和第二公共电极；
13.根据权利要求10所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述栅极电路晶体管的源漏极与所述第一转接层同层同材质。
14.根据权利要求13所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述第一转接层包括第一子转接层和第二子转接层，所述第二子转接层所在层位于所述第一子转接层所在层与所述像素电极所在层之间；
15.一种电子纸显示装置，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的电子纸阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种电子纸阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述像素晶体管的有源层的材料为金属氧化物半导体材料。
3.根据权利要求2所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料包括：铟镓锌氧化物。
4.根据权利要求3所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述栅极电路晶体管的栅极位于所述栅极电路晶体管的有源层与所述衬底基板之间，所述栅极电路晶体管的源漏极位于所述栅极电路晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧；
5.根据权利要求3所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述栅极电路晶体管的栅极位于所述栅极电路晶体管的有源层与所述衬底基板之间，所述栅极电路晶体管的源漏极位于所述栅极电路晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧；
6.根据权利要求5所述的电子纸阵列基板，其特征在于，还包括半导体材料层，所述半导体材料层位于所述像素晶体管的栅极与所述衬底基板之间；
7.根据权利要求6所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述半导体材料层与所述栅极电路晶体管的有源层同层同材质。
8.根据权利要求5所述的电子纸阵列基板，其特征在于，所述栅极驱动电路包括至少两个栅极电路晶体管，所述至少两个栅极电路晶体管中的一个栅极电路晶体管与另一个栅极电路晶体管通过连接层电连接；
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【专利技术属性】
技术研发人员：于心蕊，华刚，王冬，刘景昊，胡锦堂，王敏，李超，陈俊生，邓立广，
申请(专利权)人：北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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