【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体零部件加工，尤其涉及一种交错孔加工方法。
技术介绍
1、目前，半导体零部件产品加工交错孔过程中，贯通孔和破孔时常常会出现在孔的交错处，破孔的边缘或是通孔的部位出现翻边毛刺，此毛刺尖锐且在孔内部的边缘部位，人工很难去除。
2、现有技术中，半导体零部件产品加工交错孔加工方法通常是通过钻头加工后再用绞刀进行加工来保证孔的尺寸要求，然后对孔内部边缘处的毛刺通过后期的磨粒流去毛刺或是干冰去毛刺或是超声波去毛刺等方法去除，但是上述去毛刺方法加工周期长、去毛刺价格昂贵、去除效果不佳，且增加了加工步骤和加工设备，操作繁琐。
3、因此，亟需一种交错孔加工方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种交错孔加工方法，能够在钻第二孔的过程中去除毛刺，无需额外的去除毛刺方法，且去除效果更佳，成本低、加工效率高。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、交错孔加工方法，包括以下步骤：
4、s10：一次钻孔：采用第一钻头对具有第一孔的待加工件进行第二孔的钻孔，上述第二孔的轴线与上述第一孔呈角度设置，得到与上述第一孔贯通的上述第二孔；
5、s20：二次钻孔：采用第二钻头对贯通的上述第二孔进行加工，以去除毛刺，得到粗加工的上述第二孔，上述第二钻头的长度大于上述第一钻头的长度；
6、s30：精加工：对粗加工的上述第二孔进行精加工，得到精加工的上述第二孔。
7、可选
8、可选地，步骤s10中，上述第一钻头的长度为l1，85mm≤l1≤90mm；步骤s20中，上述第二钻头的长度为l2，90mm≤l2≤110mm。
9、可选地，上述第二钻头的直径大于上述第一钻头的直径。
10、可选地，步骤s10中，上述第一钻头的直径为d1，3mm≤d1≤5mm；步骤s20中，上述第二钻头的直径为d2，5mm≤d2≤8mm。
11、可选地，上述第一钻头加工时的转速为n1，上述第二钻头的转速为n2，n2＝0.5n1。
12、可选地，步骤s30中，对粗加工的上述第二孔进行精加工包括步骤s31：采用内孔刷对粗加工的上述第二孔的孔边进行精抛。
13、可选地，上述步骤s30中，对粗加工的上述第二孔进行精加工还包括步骤s32：采用铰刀对粗加工的上述第二孔的孔壁进行精铰，得到精加工的上述第二孔。
14、可选地，粗加工的上述第二孔的孔径为d3，上述铰刀的直径为d4，d3+0.01mm≤d4≤d3+0.03mm。
15、可选地，步骤s10之前还包括步骤s05：对上述待加工件进行第一孔的加工，以形成具有上述第一孔的上述待加工件。
16、本专利技术的有益效果：
17、本专利技术提供了一种交错孔加工方法，通过在较短的第一钻头加工完第二孔和第一孔的贯通后，再通过较长的第二钻头进行加工，由于第二钻头较长，因此，其在加工至第一孔和第二孔交错处会出现摆动的现象，从而将第一孔和第二孔交错处的毛刺和部分尖锐的边缘打掉，从而实现去除毛刺的效果，最后进行精加工即可完成第二孔的加工，即可完成交错孔的加工，且在加工过程中即可实现毛刺的去除，无需再采用其它的去毛刺方法进行去毛刺，节约了成本，提高了加工效率，且去毛刺效果更佳。
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1.交错孔加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的交错孔加工方法，其特征在于，步骤S20中，采用所述第二钻头(20)对贯通的所述第二孔(220)加工的次数为至少两次。
3.根据权利要求1所述的交错孔加工方法，其特征在于，步骤S10中，所述第一钻头(10)的长度为L1，85mm≤L1≤90mm；步骤S20中，所述第二钻头(20)的长度为L2，90mm≤L2≤110mm。
4.根据权利要求3所述的交错孔加工方法，其特征在于，所述第二钻头(20)的直径大于所述第一钻头(10)的直径。
5.根据权利要求4所述的交错孔加工方法，其特征在于，步骤S10中，所述第一钻头(10)的直径为D1，3mm≤D1≤5mm；步骤S20中，所述第二钻头(20)的直径为D2，5mm≤D2≤8mm。
6.根据权利要求1所述的交错孔加工方法，其特征在于，所述第一钻头(10)加工时的转速为n1，所述第二钻头(20)的转速为n2，n2＝0.5n1。
7.根据权利要求1所述的交错孔加工方法，其特征在于，步骤S30中，对粗加工的
8.根据权利要求7所述的交错孔加工方法，其特征在于，所述步骤S30中，对粗加工的所述第二孔(220)进行精加工还包括步骤S32：采用铰刀(40)对粗加工的所述第二孔(220)的孔壁进行精铰，得到精加工的所述第二孔(220)。
9.根据权利要求8所述的交错孔加工方法，其特征在于，粗加工的所述第二孔(220)的孔径为D3，所述铰刀(40)的直径为D4，D3+0.01mm≤D4≤D3+0.03mm。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的交错孔加工方法，其特征在于，步骤S10之前还包括步骤S05：对所述待加工件(200)进行第一孔(210)的加工，以形成具有所述第一孔(210)的所述待加工件(200)。
...【技术特征摘要】
1.交错孔加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的交错孔加工方法，其特征在于，步骤s20中，采用所述第二钻头(20)对贯通的所述第二孔(220)加工的次数为至少两次。
3.根据权利要求1所述的交错孔加工方法，其特征在于，步骤s10中，所述第一钻头(10)的长度为l1，85mm≤l1≤90mm；步骤s20中，所述第二钻头(20)的长度为l2，90mm≤l2≤110mm。
4.根据权利要求3所述的交错孔加工方法，其特征在于，所述第二钻头(20)的直径大于所述第一钻头(10)的直径。
5.根据权利要求4所述的交错孔加工方法，其特征在于，步骤s10中，所述第一钻头(10)的直径为d1，3mm≤d1≤5mm；步骤s20中，所述第二钻头(20)的直径为d2，5mm≤d2≤8mm。
6.根据权利要求1所述的交错孔加工方法，其特征在于，所述第一钻头(10)加工时的转速为n1，所述第二钻头(20)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，王超，
申请(专利权)人：上海睿昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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