【技术实现步骤摘要】
本申请涉及气相沉积，特别是涉及一种镀膜设备。
技术介绍
1、晶体硅异质结太阳电池（hjt电池）是基于光生伏特效应开发的一种光电转换器件，具有转换效率高、稳定性高、衰减率低等优点。在hjt电池的生产过程中，需要对半导体衬底进行镀膜。传统的镀膜工艺中，对半导体衬底的正方两面同时进行镀膜。该镀膜方式容易导致正反两面的膜层在衬底的边缘处形成接触，进而造成电池的漏电。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种镀膜设备，能够对半导体衬底的正反面分步进行镀膜，能够降低对半导体衬底的正反两面同时进行镀膜导致正反两面的膜层在衬底的边缘处形成接触的风险。
2、本申请提供一种镀膜设备，包括：顺序连接的第一镀膜腔室、翻片腔室和第二镀膜腔室；
3、所述第一镀膜腔室用于对样品的表面进行镀膜；
4、所述翻片腔室用于对样品进行翻片；
5、所述第二镀膜腔室用于对翻片后的样品的表面进行镀膜。
6、在一些实施例中，所述镀膜设备还包括载板，所述载板能够于所述第一镀膜腔室、所述翻片腔室和所述第二镀膜腔室之间移动，所述载板用于承载样品。
7、在一些实施例中，所述载板的表面上开设有第一凹槽；所述第一凹槽的槽底开设有第二凹槽。
8、在一些实施例中，所述第一凹槽的数量为多个，多个所述第一凹槽间隔分布，各所述第一凹槽的槽底均开设有所述第二凹槽。
9、在一些实施例中，所述第一镀膜腔室包括顺序连接的第一过渡腔室、第一加热腔室、第一工艺腔室和第
10、所述第一过渡腔室用于传递样品；
11、所述第一加热腔室用于对样品进行加热；
12、所述第一工艺腔室用于对加热后的样品进行镀膜；
13、所述第一冷却腔室用于对镀膜后的样品进行冷却。
14、在一些实施例中，所述第二镀膜腔室包括顺序连接的第二过渡腔室、第二加热腔室、第二工艺腔室和第二冷却腔室；所述第二过渡腔室连接于所述翻片腔室的出料端；
15、所述第二过渡腔室用于传递样品；
16、所述第二加热腔室用于对样品进行加热；
17、所述第二工艺腔室用于对加热后的样品进行镀膜；
18、所述第二冷却腔室用于对镀膜后的样品进行冷却。
19、在一些实施例中，所述镀膜设备还包括蚀刻腔室，所述蚀刻腔室连接于所述第二镀膜腔室的出料端，所述蚀刻腔室用于对样品进行蚀刻。
20、在一些实施例中，所述蚀刻腔室包括顺序连接的涂抹腔室、固化腔室、清洗腔室和烘干腔室；所述涂抹腔室连接于所述第二镀膜腔室的出料端；
21、所述涂抹腔室用于向样品涂抹蚀刻剂；
22、所述固化腔室用于固化涂抹后的蚀刻剂；
23、所述清洗腔室用于对蚀刻后样品上的蚀刻剂进行清洗；
24、所述烘干腔室用于对清洗后的样品进行烘干。
25、在一些实施例中，所述清洗腔室包括顺序连接的化学清洗腔室、超声清洗腔室和水洗腔室；所述化学清洗腔室连接于所述固化腔室的出料端；
26、所述化学清洗腔室用于对蚀刻后的样品进行化学清洗；
27、所述超声清洗腔室用于对化学清洗后的样品进行产生清洗；
28、所述水洗腔室用于对超声清洗后的样品进行水洗。
29、在一些实施例中，所述镀膜设备还包括转运装置，所述转运装置用于在所述第一镀膜腔室、所述翻片腔室和所述第二镀膜腔室之间转运载板。
30、上述镀膜设备包括第一镀膜腔室、翻片腔室和第二镀膜腔室。该镀膜设备能够通过翻片腔室对样品进行翻片，并通过第一镀膜腔室和第二镀膜腔室分别对翻片前后的样品的两个表面进行镀膜。通过对样品的正反面分步进行镀膜，能够降低对两个表面同时进行镀膜导致的膜层在样品的边缘处形成接触的风险。
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1.一种镀膜设备，其特征在于，包括顺序连接的第一镀膜腔室(100)、翻片腔室(200)和第二镀膜腔室(300)；
2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括载板(10)，所述载板(10)能够于所述第一镀膜腔室(100)、所述翻片腔室(200)和所述第二镀膜腔室(300)之间移动，所述载板(10)用于承载样品。
3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述载板(10)的表面上开设有第一凹槽(20)；所述第一凹槽(20)的槽底面开设有第二凹槽(30)。
4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一凹槽(20)的数量为多个，多个所述第一凹槽(20)间隔分布，各所述第一凹槽(20)的槽底面均开设有所述第二凹槽(30)。
5.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一镀膜腔室(100)包括顺序连接的第一过渡腔室(110)、第一加热腔室(120)、第一工艺腔室(130)和第一冷却腔室(140)；所述第一冷却腔室(140)连接于所述翻片腔室(200)的进料端；
6.根据权利要求1所述的镀膜
7.根据权利要求1～6任一所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括蚀刻腔室(400)，所述蚀刻腔室(400)连接于所述第二镀膜腔室(300)的出料端，所述蚀刻腔室(400)用于对样品进行蚀刻。
8.根据权利要求7所述的镀膜设备，其特征在于，所述蚀刻腔室(400)包括顺序连接的涂抹腔室(410)、固化腔室(420)、清洗腔室(430)和烘干腔室(440)；所述涂抹腔室(410)连接于所述第二镀膜腔室(300)的出料端；
9.根据权利要求8所述的镀膜设备，其特征在于，所述清洗腔室(430)包括顺序连接的化学清洗腔室(431)、超声清洗腔室(432)和水洗腔室(433)；所述化学清洗腔室(431)连接于所述固化腔室(420)的出料端；
10.根据权利要求1～6任一项所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括转运装置，所述转运装置用于在所述第一镀膜腔室(100)、所述翻片腔室(200)和所述第二镀膜腔室(300)之间转运载板。
...【技术特征摘要】
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括顺序连接的第一镀膜腔室(100)、翻片腔室(200)和第二镀膜腔室(300)；
2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括载板(10)，所述载板(10)能够于所述第一镀膜腔室(100)、所述翻片腔室(200)和所述第二镀膜腔室(300)之间移动，所述载板(10)用于承载样品。
3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述载板(10)的表面上开设有第一凹槽(20)；所述第一凹槽(20)的槽底面开设有第二凹槽(30)。
4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一凹槽(20)的数量为多个，多个所述第一凹槽(20)间隔分布，各所述第一凹槽(20)的槽底面均开设有所述第二凹槽(30)。
5.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一镀膜腔室(100)包括顺序连接的第一过渡腔室(110)、第一加热腔室(120)、第一工艺腔室(130)和第一冷却腔室(140)；所述第一冷却腔室(140)连接于所述翻片腔室(200)的进料端；
6.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二镀膜腔室(300)包括顺序连接的...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹明，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：新型
国别省市：
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