【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种虚设图形的形成方法及利用其改善缺陷的方法。
技术介绍
1、在基于金属栅工艺平台指定的高压工艺流程中，中压和高压器件的栅氧化层厚度远大于低压器件的栅氧化层厚度，为了保证金属栅研磨工艺后不同器件的金属栅的厚度一致，需要保证不同器件的栅氧化层表面高度齐平，因此，工艺流程中在中压和高压栅氧化层生长之前会先将中压和高压区域的有源区和浅沟槽隔离区同时向下刻蚀一定深度，使得中压和高压区域的相对水平高度降低，保证在栅氧化层淀积之后多晶硅栅淀积之前各区域的栅氧化层表面在同一高度。这样在中压栅氧化层成膜后，中压和低压区域的分界线上会存在一个高度差。
2、中压栅氧化层依次采用原位水汽生长和高温氧化层淀积两道工艺形成氧化膜，经过高温氧化层淀积完后，中压栅氧化层在中压和低压区域的分界线上会保持中压区域向下刻蚀所造成的台阶形状，之后经过用光刻胶遮挡中压区域的双栅湿法刻蚀工艺，达到去除中压区域以外的栅氧化层的目的。由于湿法刻蚀的各向同性效应会造成对台阶侧面的刻蚀，随着刻蚀的进行栅氧化层台阶边缘逐渐远离刻蚀光刻胶边缘，从而造成光刻胶边缘外的栅氧化层逐渐变为台阶底部并暴露在湿法刻蚀溶液中被刻蚀，最终在中压和低压区域的分界线附近造成一条氧化物沟槽(如图1所示)。该沟槽在后续工艺中可能会造成多晶硅刻蚀工艺不足，产生多晶硅残留，并有成为剥落缺陷的缺陷来源的风险(如图2所示)。
3、常规解决该问题的方法是在双栅湿法刻蚀工艺前增加光刻胶曝光的关键尺寸，补偿性地增大光刻胶的覆盖区域，避免台阶底部过早地被刻蚀到，
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种虚设图形的形成方法及利用其改善缺陷的方法，用于解决现有的在低压器件区与中压器件区之间易形成沟槽缺陷的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种虚设图形的形成方法，所述方法包括：
3、提供一目标层图形，其包括第一图形及第二图形，其中，所述第一图形形成于中压器件区，所述第二图形形成于低压器件区；
4、对所述第一图形进行第一次扩大得到第一扩大图形；
5、对所述第一图形进行第二次扩大得到第二扩大图形，且第二次扩大的程度小于第一次扩大的程度；
6、从所述第一扩大图形减除所述第二扩大图形以得到一环形的虚设图形；
7、将所述虚设图形套设添加于所述第一图形的外围以得到新目标层图形；
8、其中，所述虚设图形用于在晶圆上形成有源区，且所形成的有源区位于所述中压器件区及所述低压器件区之间。
9、可选地，所述第一扩大图形及所述第二扩大图形均是通过将所述第一图形在第一方向上及在第二方向上等比例放大得到的。
10、可选地，所述第一方向与所述第二方向垂直。
11、可选地，根据所述虚设图形形成的有源区与所述中压器件区及所述低压器件区之间均通过浅沟槽隔离结构隔开。
12、相应地，本专利技术还提供一种根据上述提供的虚设图形改善缺陷的方法，所述方法包括：
13、提供一半导体衬底，其分为中压器件区、低压器件区及位于二者之间的虚设有源区，其中，所述中压器件区用于形成第一图形，所述低压器件区用于形成第二图形，所述虚设有源区是根据虚设图形于所述半导体衬底上得到的区域；
14、于所述虚设有源区两侧的半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述半导体衬底的表面，包括第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构位于所述中压器件区，所述第二浅沟槽隔离结构位于所述低压器件区；
15、于所述低压器件区及所述虚设有源区形成硬掩模层；
16、对位于所述中压器件区的所述第一浅沟槽隔离结构及所述半导体衬底进行刻蚀；
17、于刻蚀后的所述中压器件区、所述低压器件区及所述虚设有源区的表面形成所述栅氧化层；
18、于所述栅氧化层的表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以露出形成于所述低压器件区及所述虚设有源区的所述栅氧化层；
19、以所述光刻胶层为掩模，对所述栅氧化层进行湿法刻蚀直至露出其下方的所述半导体衬底及所述第二浅沟槽隔离结构；
20、其中，刻蚀后的所述第一浅沟槽隔离结构的表面与所述低压器件区的半导体衬底的表面齐平。
21、可选地，刻蚀后的所述中压器件区的第一浅沟槽隔离结构的表面高于所述半导体衬底的表面。
22、可选地，通过原位水汽生长工艺与高温氧化工艺形成所述栅氧化层。
23、可选地，所述栅氧化层的材质包括氧化硅。
24、可选地，所述硬掩模层的材质包括氮化硅。
25、可选地，所述第一浅沟槽隔离结构的宽度大于所述第二浅沟槽隔离结构的宽度。
26、如上所述，本专利技术的虚设图形的形成方法及利用其改善缺陷的方法，通过在中压器件区边缘的浅沟槽隔离结构的外围增设有源区，使得在栅氧化层成膜后，中压器件区的浅沟槽隔离结构的表面与低压器件区的半导体衬底的表面在一个水平高度，使得在后续的湿法刻蚀工艺中，由于图案化处理后的光刻胶边缘外为平坦的栅氧化层，因此，经过湿法刻蚀溶液的刻蚀后，留下的表面依旧平坦，中压器件区与低压器件区之间仅会存在一个台阶，不会出现氧化物沟槽，避免产生有缺陷的产品。
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1.一种虚设图形的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的虚设图形的形成方法，其特征在于，所述第一扩大图形及所述第二扩大图形均是通过将所述第一图形在第一方向上及在第二方向上等比例放大得到的。
3.根据权利要求2所述的虚设图形的形成方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。
4.根据权利要求1所述的虚设图形的形成方法，其特征在于，根据所述虚设图形形成的有源区与所述中压器件区及所述低压器件区之间均通过浅沟槽隔离结构隔开。
5.一种根据权利要求1提供的虚设图形改善缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的改善缺陷的方法，其特征在于，刻蚀后的所述中压器件区的第一浅沟槽隔离结构的表面高于所述半导体衬底的表面。
7.根据权利要求5所述的改善缺陷的方法，其特征在于，通过原位水汽生长工艺与高温氧化工艺形成所述栅氧化层。
8.根据权利要求5所述的改善缺陷的方法，其特征在于，所述栅氧化层的材质包括氧化硅。
9.根据权利要求5所述的改善缺陷的方法，其特征在
10.根据权利要求5所述的改善缺陷的方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构的宽度大于所述第二浅沟槽隔离结构的宽度。
...【技术特征摘要】
1.一种虚设图形的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的虚设图形的形成方法，其特征在于，所述第一扩大图形及所述第二扩大图形均是通过将所述第一图形在第一方向上及在第二方向上等比例放大得到的。
3.根据权利要求2所述的虚设图形的形成方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。
4.根据权利要求1所述的虚设图形的形成方法，其特征在于，根据所述虚设图形形成的有源区与所述中压器件区及所述低压器件区之间均通过浅沟槽隔离结构隔开。
5.一种根据权利要求1提供的虚设图形改善缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈超，顾珍，钱亚峰，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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