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【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于三维微纳制造及传感,具体涉及一种自卷曲螺旋形应变传感器及其制备方法。
技术介绍
1、通过应变引起材料长度/形状变形导致电阻变化原理已被广泛应用于传感器制造。传统的商用薄膜电阻式应变片通过在聚酰亚胺薄膜上溅射沉积薄金属蛇形线,可将电阻变化放大。但该应变设计存在制造成本高且反复弯曲后薄金属线条容易发生失效,不适合用于人体和复杂3d表面进行变形监测。
2、目前,作为可穿戴电子设备的重要组成部分,柔性应变传感器由于具有良好的可拉伸性能,在电子皮肤、医疗监测、人机交互、人工智能等领域具有广阔的应用前景,从而受到了广泛的关注。其中,高灵敏度和宽工作范围是高质量应变传感器的关键参数,但由于结构和电导率的限制,很难在同一传感器上同时实现这两种特性。
3、自卷曲技术是一种利用内部梯度应力或外力驱动二维薄膜到三维构型的三维微纳自组装技术,因其与典型平面微纳制造工艺相兼容、可实现多层级的三维微纳结构制造、可选择性承载或集成多种功能材料等优点,从而成为了当下的科技前沿研究热点。开发一类工艺简单、成本低、安全性高的自卷曲成形制造新工艺,克服现有技术存在的工艺复杂、价格昂贵、安全性低等问题与不足,并实现三维螺旋形功能结构的制备,可为柔性应变传感器提供新的制备工艺及新器件结构,进一步获得高灵敏度和宽工作范围。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种自卷曲螺旋形应变传感器及其制备方法,通过本专利技术能获得高灵敏度和宽工作范围的应变传感器。<
...【技术保护点】
1.一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,包括如下过程:
2.根据权利要求1所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述顶层高分子聚合物薄膜采用聚酰亚胺薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜的制备过程包括:
4.根据权利要求2所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述底层高分子聚合物薄膜采用聚氯乙烯/亚克力胶复合薄膜。
5.根据权利要求4所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,聚酰亚胺薄膜设置于聚氯乙烯/亚克力胶复合薄膜中聚氯乙烯层的表面。
6.根据权利要求4所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,聚酰亚胺薄膜与聚氯乙烯/亚克力胶复合薄膜热压成型为所述柔性薄膜衬底。
7.根据权利要求4所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述溶剂采用丙酮。
8.根据权利要求1所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述条状柔性薄膜衬底的形状为内
9.根据权利要求1所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述条状柔性薄膜衬底含有完整的图案化的石墨烯导电薄膜单元。
10.一种自卷曲螺旋形应变传感器,其特征在于,该自卷曲螺旋形应变传感器通过权利要求1-9任意一项所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,包括如下过程:
2.根据权利要求1所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述顶层高分子聚合物薄膜采用聚酰亚胺薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜的制备过程包括:
4.根据权利要求2所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,所述底层高分子聚合物薄膜采用聚氯乙烯/亚克力胶复合薄膜。
5.根据权利要求4所述的一种自卷曲螺旋形应变传感器的制备方法,其特征在于,聚酰亚胺薄膜设置于聚氯乙烯/亚克力胶复合薄膜中聚氯乙烯层的表面。
6.根据权利要求4所述的一种自卷曲螺...
【专利技术属性】
技术研发人员:李敏,卢丹青,贾琛,罗国希,李支康,韩香广,王路,杨萍,林启敬,赵立波,
申请(专利权)人:西安交通大学,
类型:发明
国别省市:
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