【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及保持装置。
技术介绍
1、作为在制造半导体时保持晶圆的保持装置的一例，例如可举出专利文献1所示的静电夹头。这种静电夹头具备以绝缘性的陶瓷(例如氧化铝)为主体的陶瓷基板(夹头主体)，在该陶瓷基板的表面上通过静电引力保持晶圆。静电引力通过对设置于陶瓷基板的内部的夹头电极施加电压而产生。
2、在这种静电夹头中，在等离子蚀刻等等离子工艺中，向陶瓷基板与晶圆之间供给氦气，从晶圆去除热量。因此，在静电夹头的陶瓷基板的内部形成有用于使从外部供给的导热气体朝向晶圆流动的流路(管路)。流路从陶瓷基板的背面侧延伸至载置晶圆的表面侧。进而，在流路的内部设置有由绝缘性的陶瓷材料(例如氧化铝)的多孔质体构成的多孔区域。该多孔区域是为了使氦气通过并抑制等离子体工艺中的异常放电(等离子体通过流路)的产生而设置的。在多孔质体的内部，使氦气通过的通气路径形成为网眼状。该通气路径由在多孔质体的制造时(烧成时)粒子状的造孔材料(合成树脂制的珠、碳粉末等)烧掉(消失)的痕迹即气孔形成。即，在多孔质体内，多个气孔连接成网眼状，由此形成通气路径。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利第4959905号公报
6、(专利技术所要解决的课题)
7、近年来，在等离子体工艺中，出于提高蚀刻速度等理由，要求提高等离子体功率。因此，对流路内的多孔质体要求高的耐等离子体性。然而，根据多孔质体内的气孔的配置状态，多孔质体的绝缘性有可能降低，成为问题。
技术实
1、本专利技术的目的在于提供一种具备构成气体流路的多孔区域的耐等离子体性优异的多孔质体的保持装置。
2、(用于解决课题的手段)
3、用于解决上述课题的手段如下。即，<1>一种保持装置，具备陶瓷基板，所述陶瓷基板具有包含保持对象物的第一表面且以陶瓷为主成分的板状构件及形成于所述板状构件的内部的气体流路，其中，所述气体流路在其一部分具有多孔区域，所述多孔区域由配置有以陶瓷为主成分且包含多个气孔的透气性的多孔质体的部位构成，所述多孔质体包含中心粒径大于20μm且为55μm以下的多个大径气孔及中心粒径为3μm以上且20μm以下的多个小径气孔作为所述气孔，所述多孔质体中包含的所述大径气孔的体积比例大于所述多孔质体中包含的所述小径气孔的体积比例。
4、<2>根据上述<1>所述的保持装置，所述多孔质体的气孔率为60％以上。
5、<3>根据上述<1>或<2>所述的保持装置，所述多孔质体不包含所述气孔在一个方向上以120μm以上的长度相连而成的过大空间。
6、(专利技术效果)
7、根据本专利技术，能够提供具备构成气体流路的多孔区域的耐等离子体性优异的多孔质体的保持装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种保持装置，具备陶瓷基板，所述陶瓷基板具有：板状构件，包含保持对象物的第一表面且以陶瓷为主成分；及气体流路，形成于所述板状构件的内部，其中，
2.根据权利要求1所述的保持装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的保持装置，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种保持装置，具备陶瓷基板，所述陶瓷基板具有：板状构件，包含保持对象物的第一表面且以陶瓷为主成分；及气体流路，形成于所述板状构...
【专利技术属性】
技术研发人员：臼井俊，井上志郎，太田纯雄，大原穗波，佐成巧，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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