【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及bc电池生产领域，具体是一种bc电池抛光工艺、bc电池及其制备方法。
技术介绍
1、在光伏产业链中，电池制造技术在不断更新迭代。从perc电池(钝化发射极和背面接触)之后，bc电池(交叉指式背接触电池技术)由于理论效率更高，被行业各公司所关注，部分企业开始已小批量投运，而当前topcon规模较大的公司也在关注bc电池进展。
2、bc电池(包括ibc、tbc、hbc、hpbc，以下统称bc电池)核心技术在于将p型区域与n型区域交替设置在电池背面的一种新型结构电池。该结构优势在于电池的正面(受光面)没有任何金属电极遮挡，有效增加了电池的短路电流。同时在背面(非受光面)可以容纳较宽的金属栅线来降低串联电阻，提高填充因子。因此电池前表面场和良好的钝化效果可增加开路电压，提高电池转换效率。
3、传统bc制备工艺中，第一步主要对原硅片进行抛光处理，行业目前均使用碱抛光工艺，在槽式机进行双面抛光，过程中对正面也进行抛光，造成硅片整体厚度降低，影响电池光电转化效率。
4、在bc电池制备过程中，第一步主要对原硅片进行抛光处理，以去除硅片表面损伤层，增强对线痕处的刻蚀，减小高度差，提升抛光后的整体平整度，减少缺陷，有助于提高电池的整体性能。因当前工艺中使用槽式反应，原硅片抛光均为双面抛光，在背面形成抛光面的同时，正面也进行抛光腐蚀。当前行业工艺中，抛光减重在0.5-0.7g，腐蚀深度在5-7um，背面塔基控制在15-25um；因此在达到背面塔基要求的同时，正面同样进行抛光，所造成硅片整体厚度偏低，影
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种bc电池抛光工艺、bc电池及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题，
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术公开了一种bc电池的抛光工艺，包括以下步骤：
4、s1、将硅片放置到氧化腔体中，在400-700℃条件下，在氧化腔体中通入介质气体，使硅片单面形成掩膜层，得到镀膜硅片；硅片在氧化腔体中的停留时间为20-100s；
5、s2、将镀膜硅片放入碱液中进行抛光处理，在镀膜硅片另一端面形成抛光面；
6、s3、将抛光后的硅片进行水洗、酸洗，去除掩膜层；
7、s4、将去除掩膜层的硅片经过脱水、烘干。
8、进一步的方案：步骤s1中，所述氧化腔体为链式氧化炉，所述介质气体为氧气，介质气体从硅片上方通入。
9、进一步的方案：步骤s1中，所述掩膜层为二氧化硅，其厚度为1-5nm。
10、进一步的方案：步骤s1中，所述氧化腔体为密闭炉管，所述介质气体为硅烷、氨气以1：(3-12)体积比混合的混合物。
11、进一步的方案：步骤s1中，所述密闭炉管中具有射频电源，所述射频电源的功率为10-18kw，开关比(3-6)：(60-90)。
12、进一步的方案：步骤s1中，所述硅片放置在石墨舟皿中，再放入密闭炉管中。
13、进一步的方案：步骤s1中，所述掩膜层为氮化硅，其厚度为2-10nm。
14、进一步的方案：步骤s3中，酸洗具体为：将硅片放入hf溶液中清洗，所述hf溶液浓度为45-50w％。
15、第二方面，本专利技术公开了一种bc电池的制备方法，其包括上述的bc电池抛光工艺。
16、第三方面，本专利技术公开了一种bc电池，其上述的制备方法所制得。
17、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
18、本专利技术通过在碱抛光工序前预先施加一层掩膜，有效预防了碱液在抛光过程中对硅片正面的侵蚀，确保了硅片正面的完整无损。
19、此外，本专利技术采取的单面抛光，大幅度降低了碱抛光工艺导致的硅片厚度损耗，从而避免了硅片因过度减薄而减弱对太阳光的吸收能力，促进了电池整体效率的提升。相反地，保持适度的硅片厚度能够容纳更多的空间以产生并收集光激发的电子-空穴对，这对增强电池的填充因子及开路电压大有裨益。更为重要的是，单面抛光的方法为后续硅片薄片化生产提供重大实行条件。
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1.一种BC电池的抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的BC电池抛光工艺，其特征在于，步骤S1中，所述氧化腔体为链式氧化炉，所述介质气体为氧气，介质气体从硅片上方通入。
3.根据权利要求2所述的BC电池抛光工艺，其特征在于，步骤S1中，所述掩膜层为二氧化硅，其厚度为1-5nm。
4.根据权利要求1所述的BC电池抛光工艺，其特征在于，步骤S1中，所述氧化腔体为密闭炉管，所述介质气体为硅烷、氨气以1：(3-12)体积比混合的混合物。
5.根据权利要求4所述的BC电池抛光工艺，其特征在于，步骤S1中，所述密闭炉管中具有射频电源，所述射频电源的功率为10-18KW，开关比(3-6)：(60-90)。
6.根据权利要求4所述的BC电池抛光工艺，其特征在于，步骤S1中，所述硅片放置在石墨舟皿中，再放入密闭炉管中。
7.根据权利要求4所述的BC电池抛光工艺，其特征在于，步骤S1中，所述掩膜层为氮化硅，其厚度为2-10nm。
8.根据权利要求1所述的BC电池抛光工艺，其特征在于，步骤S3中
9.一种BC电池的制备方法，其包括如权利要求1-8任一项所述的BC电池抛光工艺。
10.一种BC电池，其采用如权利要求9所述的制备方法所制得。
...【技术特征摘要】
1.一种bc电池的抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的bc电池抛光工艺，其特征在于，步骤s1中，所述氧化腔体为链式氧化炉，所述介质气体为氧气，介质气体从硅片上方通入。
3.根据权利要求2所述的bc电池抛光工艺，其特征在于，步骤s1中，所述掩膜层为二氧化硅，其厚度为1-5nm。
4.根据权利要求1所述的bc电池抛光工艺，其特征在于，步骤s1中，所述氧化腔体为密闭炉管，所述介质气体为硅烷、氨气以1：(3-12)体积比混合的混合物。
5.根据权利要求4所述的bc电池抛光工艺，其特征在于，步骤s1中，所述密闭炉管中具有射频电源，所述射频电源的功率为...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑维，孙才杨，刘心永，闫孟，吕武，袁磊，
申请(专利权)人：博海新能源合肥有限公司，
类型：发明
国别省市：
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