【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种半导体封装结构，尤指一种影像感测器封装结构。
技术介绍
1、请参阅图5，现有影像感测器封装结构于制程中，是将液态黏胶形成在一透光基板40上，以形成一胶堤50，再将一影像感测晶片60的一主动面61朝向该透光基板40的该表面41，且该影像感测晶片60的光感测层62位在该胶堤50的范围内；再如图6所示，将该影像感测晶片60向下压黏合于该胶堤50上，以间隔设置于该透光基板40上。
2、当该影像感测晶片60下压黏合于该胶堤50上时，由于该胶堤50仍呈液态，故该影像感测晶片60的下压力会挤压该胶堤50，使其向内、向外溢流，若内溢残胶51溢流至该影像感测晶片60之该主动面61上的该光感测层62，会污染该光感测层62，造成该现有影像感测器封装结构的良率不佳，故有必要改良之。
技术实现思路
1、有鉴于上述现有影像感测器封装结构之该胶堤的残胶会污染其该影像感测晶片之该主动面上的该光感测层而良率不佳的缺点，本专利技术提出一种改良的影像感测器封装结构，以提高良率。
2、欲达上述目的，本专利技术所使用的主要技术手段是令上述影像感测器封装结构包含：
3、一影像感测晶片，其一晶片本体包含二相对主动面及背面；其中该主动面包含一光感应区及一围绕该光感应区的非感应区，且该光感应区上设置有一光感测层；
4、一金属堤，电绝缘地形成于该晶片本体之该主动面的该非感应区上，并围绕该光感测层，且与该光感测层的外侧面保持距离；其中该金属堤具有一第一厚度；以及>
5、一透光基板，其一表面朝向该晶片本体之该主动面，并对应该金属堤设置有一胶堤，以对准并黏合于该金属堤上；其中该胶堤具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。
6、由上述说明可知，本专利技术影像感测器封装结构主要于该影像感测晶片之该晶片本体的该主动面之该非感应区上电绝缘地形成该金属堤，并于该透光基板的该表面对应该金属堤设置该胶堤，以使该胶堤对准并黏合于该金属堤上，且该胶堤的该第二厚度小于该金属堤的该第一厚度；如此，本专利技术由该金属堤与该胶堤的组合结构相较既有全胶堤，能有效减少该胶堤的黏胶使用量，更有助于解决制程中液态胶堤向内溢流的问题，有效提高该影像感测器封装结构的良率。
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1.一种影像感测器封装结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该第二厚度与该第一厚度及该第二厚度之总和的百分比值介于14.3％至25％之间。
3.如权利要求2所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该第一厚度为30μm，该第二厚度介于5μm至10μm之间。
4.如权利要求1或2所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该影像感测晶片之该晶片本体的外侧、该金属堤的外侧与该透光基板的外侧及该透光基板之该胶堤的外侧齐平。
5.如权利要求1或2所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该影像感测晶片进一步包含：
6.如权利要求5所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该影像感测晶片进一步包含：
7.如权利要求5所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该影像感测晶片之该晶片本体的该背面进一步形成一重布线层，且该重布线层上形成有多个外连接件；其中该重布线层连接该些导电贯孔及该些外连接件。
8.如权利要求5所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该线路层的该绝缘层包含：
9.
10.如权利要求5所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该金属堤的材质为无电镀金属。
11.如权利要求10所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该金属堤之金属材料的熔点高于或等于300℃。
...【技术特征摘要】
1.一种影像感测器封装结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该第二厚度与该第一厚度及该第二厚度之总和的百分比值介于14.3％至25％之间。
3.如权利要求2所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该第一厚度为30μm，该第二厚度介于5μm至10μm之间。
4.如权利要求1或2所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该影像感测晶片之该晶片本体的外侧、该金属堤的外侧与该透光基板的外侧及该透光基板之该胶堤的外侧齐平。
5.如权利要求1或2所述的影像感测器封装结构，其特征在于，该影像感测晶片进一步包含：
6.如权利要求5所述的影像感测器封装结构，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐宏欣，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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