【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路生产设备，尤其涉及一种用于离子源机构的起弧腔组件。
技术介绍
1、专利文献cn219575557u公开一种起弧腔结构，其包括灯丝组件、阴极组件、半圆筒型起弧腔室组件、工艺气体通入组件、反射极组件，半圆筒型起弧腔室组件采用半圆筒型腔室设计，反射极组件采用悬空的反射极设计，该起弧腔室结构为半圆筒型起弧腔室，可简化离子源的组装和保养流程，能有效延长离子源的使用寿命，提高离子注入机的产能。然而，这种起弧腔采用阴极侧隔离板、反射极侧隔离板、半圆筒形隔离板、起弧腔室、起弧室外层盖板和起弧室内层盖板共同组成，其配接结构较为复杂，难以进行维护，高能离子撞击起弧腔的内壁时，会在内壁上形成沉积物，影响等离子体的产生和质量，从而影响离子注入的效率和效果，导致设备性能的下降和安全隐患的出现。因此，有必要对这种起弧腔组件进行结构优化，以克服上述缺陷。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种用于离子源机构的起弧腔组件，以便于进行沉积物清理，提升离子注入效率和设备运行稳定性。
2、本技术为解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种用于离子源机构的起弧腔组件，包括：
4、承载装配构件，该承载装配构件安装于离子源基座上，其内部具有装配空间；
5、支托容纳构件，该支托容纳构件安装于承载装配构件上，其内部具有容纳空间；
6、电子发射构件，该电子发射构件安装于支托容纳构件中，并与灯丝组件配合，由灯丝组件带动电子发射组件向支托容纳构件中发射电
7、电子反射构件，该电子反射构件安装于支托容纳构件中，其与电子发射构件位置对应，并与电源连通，由电子反射构件对电子发射构件发射的电子进行反射处理；
8、气体通入构件，该气体通入构件安装于支托容纳构件中，其与气体供应设备连通，并与电子发射构件及电子反射构件位置对应，由气体通入构件向支托容纳构件中通入工艺气体，并由电子发射构件与电子反射构件之间的电子对其进行撞击，形成等离子体；
9、导引排流构件，该导引排流构件安装于支托容纳构件中，并与电子发射构件、电子反射构件及气体通入构件位置对应，可将等离子体向外导出。
10、承载装配构件包括：
11、承载座板，该承载座板沿横向布置，其底部通过连接件安装于离子源基座上，支托容纳构件安装于承载座板顶部，承载座板边缘开设有装配豁口，装配豁口与气体通入构件位置对应；
12、装配夹块，该装配夹块设有一对，各装配夹块分列于装配豁口两侧，并通过连接件固定于承载座板底部，在装配夹块之间形成夹合通口。
13、支托容纳构件包括：
14、支托立板，该支托立板设有一对，各支托立板分别通过连接件安装于承载座板顶部，并向承载座板上方延伸；
15、支托横板，该支托横板沿横向布置，并通过连接件安装于支托立板顶部，其顶部开设有定位凸台，定位凸台向支托横板上方凸出；
16、支托侧板，该支托侧板设有一对，各支托侧板分别置于支托横板顶部，并向支托横板上方延伸，其底部与定位凸台侧边抵合，由支托侧板及支托横板围合形成容纳空间。
17、电子发射构件包括：
18、发射载板，该发射载板位于支托横板上方，并与支托侧板位置对应，其底部与定位凸台侧边抵合，其内壁开设有配接凹口，支托侧板端部卡入配接凹口中；
19、发射端罩，该发射端罩安装于发射载板中，其内壁向发射载板内侧凸出，在发射端罩外壁形成灯丝组件容纳空间，灯丝组件可通过发射端罩向发射载板内侧发射电子。
20、在本技术的一个实施例中，支托横板顶部还设有一对限位凸块，限位凸块位于定位凸台外侧，并向支托横板上方凸出，发射载板位于限位凸块与定位凸台之间，由限位凸块及定位凸台对发射载板进行定位，发射载板外壁开设有与限位凸块性状适配的定位凹槽，限位凸块卡入定位凹槽内。
21、电子反射构件包括：
22、反射载板，该反射载板位于支托横板上方，并与发射载板分列于支托侧板两端，其底部与定位凸台侧边抵合，其内壁开设有卡接凹口，支托侧板端部卡入卡接凹口中；
23、反射端板，该反射端板安装于反射载板内壁，其与发射端罩位置对应，并通过线路与电源连通，由反射端板对发射端罩发出的电子进行反射。
24、在本技术的一个实施例中，支托横板顶部还设有一对装配凸块，装配凸块位于定位凸台外侧，并向支托横板上方凸出，反射载板位于装配凸块与定位凸台之间，由装配凸块及定位凸台对反射载板进行定位，反射载板外壁开设有与装配凸块形状适配的装配凹槽，装配凸块卡入装配凹槽内。
25、气体通入构件包括：
26、进流竖管，该进流竖管沿竖向布置，并位于装配夹块之间，由装配夹块对进流竖管进行夹合定位，其底部通过管路与气体供应设备连通；
27、转接横管，该转接横管连接于进流竖管顶部，并向支托横板下方延伸；
28、排流端头，该排流端头安装于支托横板中，其顶部从支托横板上方露出，并位于发射端罩与反射端板之间，其底部与转接横管连接，可通过排流端头向发射端罩与反射端板之间通入工艺气体，使其在反射端板与反射端罩之间形成等离子体。
29、导引排流构件包括：
30、导引顶盖，该导引顶盖位于支托横板上方，并安装于支托侧板、发射载板及反射载板顶部，其内部开设有排流通口，排流通口贯穿导引顶盖两侧，等离子体可从排流通口中排出，排流通口内壁设有导引斜面，导引斜面向排流通口斜上方延伸，可对等离子体的排出过程进行导引。
31、在本技术的一个实施例中，排流通口为长条形，其沿横向延伸，并与排流端头的轴线垂直，等离子体从排流通口中排出后形成带状分布的等离子体流。
32、在本技术的一个实施例中，导引顶盖底部设有两对卡接凸块，各卡接凸块分别与配接凹口及卡接凹口抵合，导引顶盖顶部边缘开设有嵌合凹口，可通过与之适配的压紧机构对导引顶盖进行压紧。
33、本技术的优点在于：
34、该起弧腔组件采用支托横板及支托侧板围合形成容纳空间，在支托横板上设置安装有发射端罩的发射载板，灯丝组件可通过发射端罩向发射载板内侧发射电子，并设置安装有反射端板的反射载板，由反射端板对发射端罩发出的电子进行反射，通过进流竖管、转接横管及排流端头组合形成气体通入构件，以向发射端罩与反射端板之间通入工艺气体，使其在反射端板与反射端罩之间形成等离子体，还在支托侧板、发射载板及反射载板顶部安装具有排流通口的导引顶盖，在排流通口内壁设置向斜上方延伸的导引斜面，对等离子体的排出过程进行导引，支托侧板、发射载板、反射载板及导引顶盖之间的配接结构均采用快拆结构，便于进行拆装，以清理内部积存的沉积物，有利于提升离子注入质量，提高设备运行稳定性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，承载装配构件包括：
3.根据权利要求2所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，支托容纳构件包括：
4.根据权利要求3所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，电子发射构件包括：
5.根据权利要求4所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，电子反射构件包括：
6.根据权利要求5所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，气体通入构件包括：
7.根据权利要求6所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，导引排流构件包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，承载装配构件包括：
3.根据权利要求2所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特征在于，支托容纳构件包括：
4.根据权利要求3所述的一种用于离子源机构的起弧腔组件，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭强祥，苏凯，张佳睿，
申请(专利权)人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。