【技术实现步骤摘要】
本申请涉及化工，特别是一种芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层及其制备方法。
技术介绍
1、如今便携电子设备、精密仪器、金属塑胶、功能性玻璃在日常生活中使用越来越广泛，在使用过程中长期用手指触摸和划动，不免会使这些基材接触到水汽、酸碱物质与汗液油脂，而这些污渍会影响基质使用手感与内部设备的运行寿命。因此对于这些基材的防水、防污以及耐磨的性能要求越来越高；目前解决方案是在基材表面涂覆保护涂层来提高基材的防水、防污、耐磨性能。
2、全氟聚醚中存在大量氟原子，因此具有化学惰性、稳定性、低表面张力、高疏水性等性能优势，而氧原子赋予其良好的运动能力、耐磨性，使其在防水与防污保护涂层材料中有着重要应用价值。目前，已有技术采用在保护涂层中添加全氟聚醚防污剂来降低涂层的表面能，提高其疏水疏油性能。但是此技术存在三个关键问题：一是全氟聚醚与基材没有强的作用力，附着力差，容易磨损脱落或刮除；二是全氟聚醚的疏水疏油污性能不够强，在水汽与油污环境中会影响产品的使用手感与内部设备稳定性；三是目前全氟聚醚需要加热烘干，不仅增加工艺流程而且提高了生产成本。
技术实现思路
1、鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层及其制备方法，包括：
2、一种芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，所述超疏水绝缘保护涂层的水接触角大于150°，以质量计，所述超疏水绝缘保护涂层包括0.1％～1％的含氟聚合物、0.5％～1％的纳米填料、13％～18％的乙醇，余
3、其中，所述纳米填料为通过含氟羧酸或含氟硅烷偶联剂进行表面化学修饰的纳米氧化铝或羟基氮化硼。
4、进一步地，所述含氟聚合物为丙烯酸、全氟丙烯酸、丙烯酸氧杂氟烷烃酯的共聚物中的一种或多种。
5、进一步地，所述含氟羧酸包括全氟丁酸、4-三氟甲基苯甲酸、4-(1,1-二氟乙基)苯甲酸或4-(全氟乙基)苯甲酸、9-甲氧基全氟-2-甲基-3-氧代壬羧酸、全氟-3,6,9-三氧杂十三烷酸、3,3,3-三氟-2-(三氟甲基)丙酸、3-甲氧基四氟丙羧酸、五氟丙酸、全氟-2,5,8,11-四甲基-3,6,9,12-四氧杂十五羧酸、全氟-2,5,8-三甲基-3,6,9-三氧杂十二羧酸中的一种或多种。
6、进一步地，所述含氟硅烷偶联剂包括十七氟癸基三甲(乙)氧基硅烷、三乙氧基[5,5,6,6,7,7,7-七氟-4,4-双(三氟甲基)庚基]硅烷、三乙氧基[5,5-双(三氟甲基)-6,6,7,7,8,8,8-七氟辛基]硅烷、三乙氧基(五氟苯基)硅烷、三氟甲基四氟苯基三乙氧基硅烷的一种或多种。
7、进一步地，所述氟碳溶剂为不同结构与分子量的全氟聚醚。
8、进一步地，所述纳米氧化铝与所述羟基氮化硼粒径为10-50纳米。
9、进一步地，所述纳米氧化铝与所述羟基氮化硼的晶相为α相、β相或γ相。
10、一种芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层的制备方法，所述方法用于制备上述任一项所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，包括步骤：
11、依据预设含量混合原料并均匀化处理得到保护涂料，其中，所述原料包括含氟聚合物、纳米填料、氟碳溶剂和乙醇；
12、将所述保护涂料喷涂在目标基底表面，静置10-20min，形成芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层。
13、本申请具有以下优点：
14、在本申请的实施例中，针对现有技术中全氟聚醚涂层性能较差，涂层工艺较为复杂的缺点，本申请提供了一种芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，所述超疏水绝缘保护涂层的水接触角大于150°，以质量计，所述超疏水绝缘保护涂层包括0.1％～1％的含氟聚合物、0.5％～1％的纳米填料、13％～18％的乙醇，余量为氟碳溶剂；其中，所述纳米填料为通过含氟羧酸或含氟硅烷偶联剂进行表面化学修饰的纳米氧化铝或羟基氮化硼。通过加入改性过的纳米填料，使得喷涂形成的纳米涂层具有较强疏水性、绝缘性与耐磨性，并且喷涂过程完成以后，无需加热等后续处理能够快速成膜。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述超疏水绝缘保护涂层的水接触角大于150°，以质量计，所述超疏水绝缘保护涂层包括0.1％～1％的含氟聚合物、0.5％～1％的纳米填料、13％～18％的乙醇，余量为氟碳溶剂；
2.根据权利要求1所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述含氟聚合物为丙烯酸、全氟丙烯酸、丙烯酸氧杂氟烷烃酯的共聚物中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述含氟羧酸包括全氟丁酸、4-三氟甲基苯甲酸、4-(1,1-二氟乙基)苯甲酸或4-(全氟乙基)苯甲酸、9-甲氧基全氟-2-甲基-3-氧代壬羧酸、全氟-3,6,9-三氧杂十三烷酸、3,3,3-三氟-2-(三氟甲基)丙酸、3-甲氧基四氟丙羧酸、五氟丙酸、全氟-2,5,8,11-四甲基-3,6,9,12-四氧杂十五羧酸、全氟-2,5,8-三甲基-3,6,9-三氧杂十二羧酸中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述含氟硅烷偶联剂包括十七氟癸基三甲(乙)氧基硅烷、三乙氧基[5,5
5.根据权利要求1所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述氟碳溶剂为不同结构与分子量的全氟聚醚。
6.根据权利要求1所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述纳米氧化铝与所述羟基氮化硼粒径为10-50纳米。
7.根据权利要求1所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述纳米氧化铝与所述羟基氮化硼的晶相为α相、β相或γ相。
8.一种芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层的制备方法，其特征在于，所述方法用于制备权利要求1-7任一项所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，包括步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述超疏水绝缘保护涂层的水接触角大于150°，以质量计，所述超疏水绝缘保护涂层包括0.1％～1％的含氟聚合物、0.5％～1％的纳米填料、13％～18％的乙醇，余量为氟碳溶剂；
2.根据权利要求1所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述含氟聚合物为丙烯酸、全氟丙烯酸、丙烯酸氧杂氟烷烃酯的共聚物中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的芯片级超疏水纳米绝缘保护涂层，其特征在于，所述含氟羧酸包括全氟丁酸、4-三氟甲基苯甲酸、4-(1,1-二氟乙基)苯甲酸或4-(全氟乙基)苯甲酸、9-甲氧基全氟-2-甲基-3-氧代壬羧酸、全氟-3,6,9-三氧杂十三烷酸、3,3,3-三氟-2-(三氟甲基)丙酸、3-甲氧基四氟丙羧酸、五氟丙酸、全氟-2,5,8,11-四甲基-3,6,9,12-四氧杂十五羧酸、全氟-2,5,8-三甲基-3,6,9-三氧杂十二羧酸中的一种或多种。
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：王赫麟，王万洋，李翔，
申请(专利权)人：中科微新材料深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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