【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及集成电路(ic)结构及其形成方法。
技术介绍
1、现代集成电路(ic)包含数百万个半导体器件。半导体器件通过形成在ic上的半导体器件之上和/或之下的导电互连件来电互连。导电互连件设置在介电结构内，并且配置为选择性将电源提供至半导体器件。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种集成电路(ic)结构，包括：半导体器件，具有前侧和与所述前侧相对的背侧；第一互连结构，位于所述半导体器件的所述前侧上，其中，所述第一互连结构包括具有多个层间介电(ild)层的第一介电结构；以及第二介电结构，位于所述半导体器件的背侧上，其中，所述第二介电结构包括具有大于所述层间介电层的热导率的第一高热导率层。
2、本申请的另一些实施例提供了一种集成电路(ic)结构，包括：半导体器件，具有前侧和与所述前侧相对的背侧，其中，所述半导体器件包括位于源极/漏极区域对之间的栅极结构；第一互连结构，位于所述半导体器件的所述前侧上，其中，所述第一互连结构包括电耦合至所述半导体器件并且设置在第一介电结构中的多个第一导电互连件；以及第二互连结构，位于所述半导体器件的所述背侧上，其中，所述第二互连结构包括设置在第二介电结构中的多个第二导电互连件，其中，所述多个第二导电互连件包括设置在所述源极/漏极区域上并且电耦合至所述源极/漏极区域的多个导电接触件，其中，所述多个导电接触件设置在所述第二介电结构的第一高热导率层中。
3、本申请的又一些实施例提供了一种用于形成集成电路(ic)结构的方法
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1.一种集成电路(IC)结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述半导体器件包括设置在源极/漏极区域对之间的栅极结构，其中，所述第一高热导率层直接接触所述栅极结构。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述第一高热导率层直接接触所述源极/漏极区域对中的独立源极/漏极区域的相对侧壁。
4.根据权利要求2所述的集成电路结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第一高热导率层直接接触所述多个导电接触件的相对侧壁。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第二介电结构还包括位于所述第一高热导率层上的第一介电层以及位于所述第一介电层上的第二高热导率层，其中，所述第一介电层的热导率小于所述第一高热导率层和所述第二高热导率层的热导率。
7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述第一介电层的厚度小于所述第一高热导率层的厚度。
8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一高热导率层的所述热导率大于或等于约10W/m-K。
9.一种集
10.一种用于形成集成电路(IC)结构的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路(ic)结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述半导体器件包括设置在源极/漏极区域对之间的栅极结构，其中，所述第一高热导率层直接接触所述栅极结构。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述第一高热导率层直接接触所述源极/漏极区域对中的独立源极/漏极区域的相对侧壁。
4.根据权利要求2所述的集成电路结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第一高热导率层直接接触所述多个导电接触件的相对侧壁。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：石哲齐，邱宗凯，杨固峰，温伟源，廖思雅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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