【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体结构及形成存储器电路的方法。
技术介绍
1、电子行业对更小、更快的电子器件的需求日益增长，这些器件能够同时支持更多越来越复杂和先进的功能。因此，半导体行业有制造低成本、高性能和低功耗集成电路(ic)的持续趋势。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过按比例缩小半导体ic尺寸(例如，最小部件尺寸)来实现的，从而提高了生产效率并降低了相关成本。然而，这种按比例缩小也增加了半导体制造工艺的复杂性。因此，实现半导体ic和器件的持续进步需要半导体制造工艺和技术的类似进步。
2、集成电路技术的这种按比例缩小不仅使制造工艺复杂化，而且在存储器器件内的存储器阵列的设计和功能方面也提出了具体的挑战。例如，不同高速缓冲存储器级(例如，一级高速缓冲存储器和二级高速缓冲存储器)中的存储器阵列的操作需要为相应的信号线(例如，位线)量身定制结构设计。在不同高速缓冲存储器级上使用具有统一宽度的位线的传统方法越来越不足，因为它不能最佳地满足这些高速缓冲存储器的不同性能需求。在这些高速缓冲存储器之间使用统一位线结构可能导致次优性能，其中每种高速缓冲存储器类型的特定需求(例如，一级高速缓冲存储器中的低寄生电容和二级高速缓冲存储器的低电压降)没有得到完全满足。这种差异凸显了在位线架构中采用差异化方法的必要性，以提高存储器器件的整体效率和性能，特别是在先进半导体技术的背景下。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一高速缓冲存储器中的第一存储器阵列
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一存储器阵列，设置在半导体结构的第一区域中，第一存储器阵列具有多个第一存储器单元，第一存储器阵列包括电耦合到第一数量的第一存储器单元的第一位线；以及第二存储器阵列，设置在半导体结构的第二区域中，第二存储器阵列具有多个第二存储器单元，第二存储器阵列包括电耦合到第二数量的第二存储器单元的第二位线，其中，第一数量小于第二数量，并且第一位线的宽度小于述第二位线的宽度。
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种形成存储器电路的方法，包括：在位于存储器电路中的第一高速缓冲存储器中形成第一存储器阵列，第一存储器阵列包括多个第一存储器单元；在位于存储器电路中的第二高速缓冲存储器中形成第二存储器阵列，第二存储器阵列包括多个第二存储器单元；形成悬置在第一存储器阵列上方的第一位线，第一位线耦合到第一存储器单元的至少部分；以及形成悬置在第二存储器阵列上方的第二位线，第二位线耦合到第二存储器单元的至少部分，其中，第一位线的宽度不同于第二位线的宽度。
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1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，M1小于M2。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一高速缓冲存储器的存储容量小于所述第二高速缓冲存储器，并且所述第一高速缓冲存储器的速度快于所述第二高速缓冲存储器。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一高速缓冲存储器和所述第二高速缓冲存储器处于相同的高速缓冲存储器级，并且所述第一高速缓冲存储器的存储容量小于所述第二高速缓冲存储器。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一存储器单元各自具有第一单元宽度和第一单元高度，所述第二存储器单元各自具有第二单元宽度和第二单元高度，所述第一单元高度大于所述第二单元高度。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一存储器阵列包括用于所述第一存储器单元中的n型晶体管的第一有源区，并且所述第一宽度与所述第一有源区的宽度的比率在约1至约1.5的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二存储器阵列包括用于所述第二存储器单元中的n型晶体管的第二有源区，
8.一种半导体结构，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构，还包括：
10.一种形成存储器电路的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，m1小于m2。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一高速缓冲存储器的存储容量小于所述第二高速缓冲存储器，并且所述第一高速缓冲存储器的速度快于所述第二高速缓冲存储器。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一高速缓冲存储器和所述第二高速缓冲存储器处于相同的高速缓冲存储器级，并且所述第一高速缓冲存储器的存储容量小于所述第二高速缓冲存储器。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一存储器单元各自具有第一单元宽度和第一单元高度，所述第二存储器单元各自具有第二单...
【专利技术属性】
技术研发人员：张峰铭，陈瑞麟，王屏薇，张瑞文，洪连嵘，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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