【技术实现步骤摘要】
本技术涉及脉冲调制电路，尤其涉及一种tr组件脉冲延时控制电路。
技术介绍
1、对于传统的pmos脉冲调制电路来说，调制后的上升沿较快，下降沿较慢；对于大功率的末级功放来说，高电压对直流电的脉冲调制存在风险；采用低电压直流脉冲调制可以避免损坏。传统的tr组件采用高电压、大功率的电源脉冲调制，结构复杂，成本高，且不便于组件的脉冲延时控制。
技术实现思路
1、本技术提供了一种tr组件脉冲延时控制电路，能实现较好的频谱占用带宽。
2、为了实现本技术的目的，所采用的技术方案是：一种tr组件脉冲延时控制电路，包括漏极调制电路，漏极调制电路包括第一晶体管q1、第二晶体管q2、第一电容c1、第二电容c2和第三电容c3；
3、第一晶体管q1的源极连接输入电压vcc，第一晶体管q1的栅极连接二极管d1和二极管d2，第一晶体管q1的漏极为脉冲输出电压；ttl信号通过电阻r6连接第二晶体管q2的基极，电阻r7连接在第二晶体管q2的基极和第二晶体管q2的发射极之间，第二晶体管q2的集电极通过串联的电阻r5和电阻r1与输入电压vcc连接；第一电容c1、第二电容c2和第三电容c3为滤波电容连接第一晶体管q1的源极。
4、作为本技术的优化方案，tr组件脉冲延时控制电路还包括电阻r2和电阻r4，电阻r2和电阻r5串联连接在二极管d1的负极与第二晶体管q2的集电极之间，电阻r1、电阻r2和电阻r4组成放电电路，调制脉冲输出电压的下降沿。
5、作为本技术的优化方案，tr组
6、作为本技术的优化方案，tr组件包括发射通道，发射通道包括第一级功放单元、第二级功放单元、第三级功放单元和第四级功放单元，第一级功放单元的输入端输入射频脉冲输入信号，第一级功放单元的漏极+5v由漏极调制电路供电，第二级功放单元的输入端连接第一级功放单元的输出端，第二级功放单元的漏极+12v由漏极调制电路供电，第三级功放单元的输入端连接第二级功放单元的输出端，第四级功放单元的输入端连接第三级功放单元的输出端，第四级功放单元由电桥四功分、电桥四合成以及四个功放模块合成。
7、本技术具有积极的效果：1)本技术更改电阻值可调节射频输出波形的上升沿和下降沿，实现较好的频谱占用带宽；
8、2)本技术对+5v和+12v电压进行调制，大大提高电路的可靠性。
9、3)本技术通过调整ttl、硬件电阻和射频信号调节组件射频输出信号的上升沿和下降沿，可有效的提高组件脉冲延时调试灵活性。
10、4)本技术采用四级功放，通过两级脉冲延时控制可较好的实现脉冲延时控制，有效的简化调制电路的复杂性，有利于组件的小型化设计。
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1.一种TR组件脉冲延时控制电路，其特征在于：包括漏极调制电路，漏极调制电路包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3；
2.根据权利要求1所述的一种TR组件脉冲延时控制电路，其特征在于：TR组件脉冲延时控制电路还包括电阻R3，电阻R3和电阻R5串联连接在二极管D2的正极与第二晶体管Q2的集电极之间，电阻R3、电阻R5和电阻R1组成分压电路，调制脉冲输出电压的上升沿。
3.根据权利要求2所述的一种TR组件脉冲延时控制电路，其特征在于：TR组件脉冲延时控制电路还包括电阻R2和电阻R4，电阻R2和电阻R5串联连接在二极管D1的负极与第二晶体管Q2的集电极之间，电阻R1、电阻R2和电阻R4组成放电电路，调制脉冲输出电压的下降沿。
4.根据权利要求3所述的一种TR组件脉冲延时控制电路，其特征在于：TR组件包括发射通道，发射通道包括第一级功放单元、第二级功放单元、第三级功放单元和第四级功放单元，第一级功放单元的输入端输入射频脉冲输入信号，第一级功放单元的漏极+5V由漏极调制电路供电，第二级功放单元的输入端连接第一级功放单
...【技术特征摘要】
1.一种tr组件脉冲延时控制电路，其特征在于：包括漏极调制电路，漏极调制电路包括第一晶体管q1、第二晶体管q2、第一电容c1、第二电容c2和第三电容c3；
2.根据权利要求1所述的一种tr组件脉冲延时控制电路，其特征在于：tr组件脉冲延时控制电路还包括电阻r3，电阻r3和电阻r5串联连接在二极管d2的正极与第二晶体管q2的集电极之间，电阻r3、电阻r5和电阻r1组成分压电路，调制脉冲输出电压的上升沿。
3.根据权利要求2所述的一种tr组件脉冲延时控制电路，其特征在于：tr组件脉冲延时控制电路还包括电阻r2和电阻r4，电阻r2和电阻r5串联连接在二极管d1的负极与第二晶体管q2的...
【专利技术属性】
技术研发人员：阚世宇，裴庆斐，陈立哲，高国涛，
申请(专利权)人：南京德睿智芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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