【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体结构制造工艺的不断发展，半导体结构中的尺寸逐渐缩小，使得半导体结构中实现各功能性结构的尺寸逐渐缩小，且各功能性结构之间的间距逐渐缩小。
2、然而，为实现各功能性结构尺寸的缩小，对制备其的工艺提出了更高的要求，使得各功能性结构的尺寸精度更难控制，而且，各功能性结构之间的间距逐渐缩小，则各种制备工艺在其缩小的间距中的形成的残留物更难被去除，因而使得各功能性结构的性能不稳定。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于提高导电柱的电学性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，所述半导体结构包括阵列区和外围区，所述制造方法包括：提供基底，所述基底横跨沿第一方向依次排列的所述阵列区和所述过渡区；所述基底包括：衬底，所述阵列区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第一接触孔，所述过渡区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第二接触孔，所述第一接触孔的孔深大于所述第二接触孔的孔深；扩散阻挡膜，保形覆盖所述第一接触孔和所述第二接触孔的内壁，以及位于所述衬底顶面；导电膜，填充满所述第一接触孔和所述第二接触孔，且位于所述扩散阻挡膜远离所述衬底顶面的第一顶面；在所述导电膜远离所述衬底的一侧形成具有多个开口的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述基底进行图形化处理，剩余所述扩散阻挡膜包括多个相互间隔的第一扩散阻挡层
3、在一些实施例中，所述残留物包括残留的所述掩膜层、残留的颗粒状的所述导电层、残留的被氧化的所述导电层或者残留的被氮化的所述导电层中的至少一者。
4、在一些实施例中，所述半导体结构还包括外围区，所述外围区位于所述过渡区沿所述第一方向上远离所述阵列区的一侧，所述基底还横跨所述外围区，所述外围区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第三接触孔，所述第一接触孔的深度大于所述第三接触孔的深度，所述扩散阻挡膜还保形覆盖所述第三接触孔的内壁，所述导电膜还填充满所述第三接触孔；在以所述掩膜层为掩膜对所述基底进行所述图形化处理的步骤中，所述外围区中也形成有多个相互间隔的所述导电柱；对所述凹槽的表面进行所述清洗处理的步骤还包括：对所述外围区的所述凹槽的表面进行所述清洗处理。
5、在一些实施例中，对露出的所述导电层的表面进行所述氮化处理，包括：提供第一气体并对所述第一气体进行等离子体处理，采用经过所述等离子体处理处理后的所述第一气体，对所述导电层的表面进行所述氮化处理；其中，所述第一气体包括二氮化二氢气体，所述二氮化二氢气体的气体流量范围为100sccm～15000sccm。
6、在一些实施例中，在对所述基底进行所述图形化处理之后，在对露出的所述导电层进行所述氮化处理之前，还包括：对所述第一扩散阻挡层进行氧化处理，使得沿所述第一方向上至少部分宽度的所述第一扩散阻挡层转变为第二扩散阻挡层，所述第二方向垂直于所述第一方向；对所述凹槽的表面进行第一清洗处理，以去除部分所述残留物，所述第一清洗处理对所述残留物的刻蚀速率大于对所述第二扩散阻挡层的刻蚀速率。
7、在一些实施例中，对所述第一扩散阻挡层进行所述氧化处理，包括：提供第二气体并对所述第二气体进行等离子体处理，采用经过所述等离子体处理处理后的所述第二气体，对所述第一扩散阻挡层的表面进行所述氧化处理；其中，所述第二气体包括氧气，所述氧气的气体流量范围为100sccm～15000sccm。
8、在一些实施例中，提供所述基底的步骤包括：提供初始衬底，所述初始衬底横跨沿第一方向依次排列的所述阵列区、所述过渡区和外围区；对所述初始衬底进行图形化处理，剩余初始衬底为所述衬底，以在所述阵列区的所述衬底中形成所述第一接触孔，在所述过渡区的所述衬底中形成所述第二接触孔，在所述外围区的所述衬底中形成第三接触孔，所述第三接触孔自所述衬底顶面延伸至所述衬底内，所述第一接触孔的孔深、所述第二接触孔的孔深和所述第三接触孔的孔深依次减小；形成所述扩散阻挡膜，所述扩散阻挡膜保形覆盖所述第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔的内壁，以及位于所述衬底顶面；形成所述导电膜，所述导电膜填充满所述第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔，且位于所述扩散阻挡膜远离所述衬底顶面的第一顶面。
9、在一些实施例中，对所述凹槽的表面进行所述清洗处理的步骤包括：对所述凹槽的表面依次进行第一清洗处理和第二清洗处理，所述第一清洗处理采用的清洗液不同于所述第二清洗处理采用的清洗液。
10、在一些实施例中，在对所述基底进行所述图形化处理之后，所述第一扩散阻挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述导电层的底面，所述第二部分环绕所述导电层的部分侧壁；在对所述基底进行所述图形化处理之后，在对露出的所述导电层进行氮化处理之前，还包括：对所述第一扩散阻挡层进行氧化处理，使得沿第二方向上至少部分厚度的所述第二部分转变为第二扩散阻挡层，所述第二方向垂直于所述第一方向；对所述凹槽的表面进行第一清洗处理，以去除部分所述残留物，所述第一清洗处理对所述残留物的刻蚀速率大于对所述第二扩散阻挡层的刻蚀速率。
11、在一些实施例中，在形成所述氮化物层之后，对所述凹槽的表面进行所述清洗处理包括：对所述凹槽的表面进行第二清洗处理，以去除所述残留物，所述第一清洗处理采用的清洗液不同于所述第二清洗处理采用的清洗液。
12、在一些实施例中，所述第二接触孔的孔深范围为25nm～35nm。
13、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底横跨沿第一方向依次排列的阵列区和过渡区，所述阵列区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第一通孔；多个相互间隔的导电柱，每一所述导电柱包括一扩散阻挡层和一导电层，所述扩散阻挡层保形覆盖所述第一通孔的内壁，以及覆盖所述过渡区的所述衬底的表面，所述导电层位于所述扩散阻挡层远离所述衬底的表面，且以所述第一通孔的底面为参考面，所述导电层远离所述衬底的第二顶面高于所述扩散阻挡层远离所述衬底的第三顶面；其中，位于所述阵列区的所述扩散阻挡层为第一扩散阻挡层，或者位于所述阵列区的所述扩散阻挡层包括沿第二方向上接触连接的所述第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层；位于所述过渡区的所述扩散阻挡层为所述第一扩散阻挡层或者所述第二扩散阻挡层，或者位于所述过渡区的所述扩散阻挡层包括沿所述第二方向上接触连接的所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层；本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构包括阵列区和过渡区，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述残留物包括残留的所述掩膜层、残留的颗粒状的所述导电层、残留的被氧化的所述导电层或者残留的被氮化的所述导电层中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体结构还包括外围区，所述外围区位于所述过渡区沿所述第一方向上远离所述阵列区的一侧，所述基底还横跨所述外围区，所述外围区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第三接触孔，所述第一接触孔的深度大于所述第三接触孔的深度，所述扩散阻挡膜还保形覆盖所述第三接触孔的内壁，所述导电膜还填充满所述第三接触孔；
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对露出的所述导电层的表面进行所述氮化处理，包括：提供第一气体并对所述第一气体进行等离子体处理，采用经过所述等离子体处理处理后的所述第一气体，对所述导电层的表面进行所述氮化处理；其中，所述第一气体包括二氮化二氢气体，所述二氮化二氢气体的气体流量范围为100sccm～15000sccm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其特征在于，在对所述基底进行所述图形化处理之后，在对露出的所述导电层进行所述氮化处理之前，还包括：
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，对所述第一扩散阻挡层进行所述氧化处理，包括：提供第二气体并对所述第二气体进行等离子体处理，采用经过所述等离子体处理处理后的所述第二气体，对所述第一扩散阻挡层的表面进行所述氧化处理；其中，所述第二气体包括氧气，所述氧气的气体流量范围为100sccm～15000sccm。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其特征在于，提供所述基底的步骤包括：提供初始衬底，所述初始衬底横跨沿第一方向依次排列的所述阵列区、所述过渡区和外围区；
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，对所述凹槽的表面进行所述清洗处理的步骤包括：对所述凹槽的表面依次进行第一清洗处理和第二清洗处理，所述第一清洗处理采用的清洗液不同于所述第二清洗处理采用的清洗液。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在对所述基底进行所述图形化处理之后，所述第一扩散阻挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述导电层的底面，所述第二部分环绕所述导电层的部分侧壁；
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成所述氮化物层之后，对所述凹槽的表面进行所述清洗处理包括：对所述凹槽的表面进行第二清洗处理，以去除所述残留物，所述第一清洗处理采用的清洗液不同于所述第二清洗处理采用的清洗液。
11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二接触孔的孔深范围为25nm～35nm。
12.一种半导体结构，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第二通孔，所述第一通孔的孔深大于所述第二通孔的孔深；所述扩散阻挡层覆盖所述过渡区的所述衬底的表面包括：所述扩散阻挡层保形覆盖所述第二通孔的内壁，所述导电层填充满所述第一通孔和所述第二通孔。
14.根据权利要求12或13所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还横跨外围区，所述外围区位于所述过渡区沿所述第一方向上远离所述阵列区的一侧，所述外围区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第三通孔，所述扩散阻挡层还保形覆盖所述第三通孔的内壁，所述导电层位于剩余的所述第三通孔中；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构包括阵列区和过渡区，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述残留物包括残留的所述掩膜层、残留的颗粒状的所述导电层、残留的被氧化的所述导电层或者残留的被氮化的所述导电层中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体结构还包括外围区，所述外围区位于所述过渡区沿所述第一方向上远离所述阵列区的一侧，所述基底还横跨所述外围区，所述外围区的所述衬底中具有自所述衬底顶面延伸至所述衬底内的第三接触孔，所述第一接触孔的深度大于所述第三接触孔的深度，所述扩散阻挡膜还保形覆盖所述第三接触孔的内壁，所述导电膜还填充满所述第三接触孔；
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对露出的所述导电层的表面进行所述氮化处理，包括：提供第一气体并对所述第一气体进行等离子体处理，采用经过所述等离子体处理处理后的所述第一气体，对所述导电层的表面进行所述氮化处理；其中，所述第一气体包括二氮化二氢气体，所述二氮化二氢气体的气体流量范围为100sccm～15000sccm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其特征在于，在对所述基底进行所述图形化处理之后，在对露出的所述导电层进行所述氮化处理之前，还包括：
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，对所述第一扩散阻挡层进行所述氧化处理，包括：提供第二气体并对所述第二气体进行等离子体处理，采用经过所述等离子体处理处理后的所述第二气体，对所述第一扩散阻挡层的表面进行所述氧化处理；其中，所述第二气体包括氧气，所述氧气的气体流量范围为100sccm～15000sccm。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其特征在于，提...
【专利技术属性】
技术研发人员：王沛萌，郗宁，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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