本发明专利技术提供一种薄膜材料磁阻效应测量方法、系统、存储介质及程序产品，涉及电学测量技术领域；所述方法包括：按照设定电流信息，控制供电模块对电磁器件进行循环通电；电磁器件用于在通电后生成磁场；待测薄膜器件设置在磁场的范围内，通过磁场对待测薄膜器件施加电流；设定电流信息用于指示循环测量次数和每次循环测量对应的通电电流值；在每次循环测量中，获取测量模块对待测薄膜器件进行测量得到的测量数据，并基于测量数据和磁场对应的磁感应强度，实时绘制得到待测薄膜器件对应的磁阻效应关系图并显示；能够解决薄膜器件的磁阻效应测量的测量效率低且成本较高的问题；提高了薄膜器件磁阻效应测量的效率；同时，减少了设备和人力成本。
1、在信息化飞速发展的时代，对信息存储器件的需求持续增长。现代存储器件要求具备更高的存储密度、更大的容量、更快的存取速度、更低的成本以及更小的体积。为了满足这一需求，磁性随机存储器（mram）作为一种新型存储技术备受关注。在研究和开发这类磁性存储器的过程中，测量磁性薄膜器件在电流和磁场下的霍尔电阻变化是一个关键的实验环节。
2、目前，传统的薄膜器件的磁阻效应测量方法，包括：使用物理性能测量系统（physical property measurement system，ppms）或者维萨实验室物理性能测量系统（versalab physical property measurement system，versalab）等测量薄膜器件的磁阻效应。
3、然而，但ppms和versalab等设备集成了多种高级功能和精密的测量模块，每个模块需要通过集中的计算机系统进行协调控制，这些模块需要连接多个硬件接口和信号传输系统，增加了系统的物理体积和技术复杂性，操作繁琐且需要专业的人员进行操作和维护，导致薄膜器件的磁阻效应测量存在测量效率低且成本较高的问题。
1、鉴于此，本专利技术实施例提供了一种薄膜材料磁阻效应测量方法、系统、存储介质及程序产品，以消除或改善现有技术中存在的一个或更多个缺陷。能够解决薄膜器件的磁阻效应测量的测量效率低且成本较高的问题。
>2、本专利技术的一个方面提供了一种薄膜材料磁阻效应测量方法，应用于磁阻效应测量系统中的测量控制装置，磁阻效应测量系统还包括预设数量的电磁器件、供电模块以及测量模块；控制装置与供电模块和测量模块连接；供电模块还与电磁器件连接；该方法包括以下步骤：3、按照设定电流信息，控制供电模块对电磁器件进行循环通电；电磁器件用于在通电后生成磁场；待测薄膜器件设置在磁场的范围内，通过磁场对待测薄膜器件施加电流；设定电流信息用于指示循环测量次数和每次循环测量对应的通电电流值；
4、在每次循环测量中，获取测量模块对待测薄膜器件进行测量得到的测量数据，并基于测量数据和磁场对应的磁感应强度，实时绘制得到待测薄膜器件对应的磁阻效应关系图并显示。
5、在本专利技术的一些实施例中，设定电流信息包括第一预设电流值、第二预设电流值和步进电流值；按照设定电流信息，控制供电模块对电磁器件进行循环通电之前，还包括：
6、基于第一预设电流值、第二预设电流值和步进电流值，确定循环测量次数。
7、在本专利技术的一些实施例中，按照设定电流信息，控制供电模块对电磁器件进行循环通电，包括：
8、基于设定电流信息，确定电磁器件在本次测量中对应的通电电流值；
9、在通电电流值大于0的情况下，按照通电电流值和预设通电时长控制供电模块为电磁器件通电，并设置电磁器件的通电电流方向为正方向；
10、确定当前循环次数，在当前循环次数小于循环测量次数的情况下，执行确定电磁器件在本次测量中对应的通电电流值的步骤。
11、在本专利技术的一些实施例中，在通电电流值小于0的情况下，方法还包括：
12、按照通电电流值和预设通电时长控制供电模块为电磁器件通电，并设置电磁器件的通电电流方向为负方向；
13、确定当前循环次数，在当前循环次数小于循环测量次数的情况下，执行确定电磁器件在本次测量中对应的通电电流值的步骤。
14、在本专利技术的一些实施例中，基于设定电流信息，确定电磁器件在本次测量中对应的通电电流值之后，还包括：基于通电电流值确定磁感应强度。
15、在本专利技术的一些实施例中，测量模块包括电流测量子模块和电压测量子模块；在每次循环测量中，获取测量模块对待测薄膜器件进行测量得到的测量数据，包括：
16、获取电流测量子模块对应的测量值作为待测薄膜器件对应的器件电流；
17、获取电压测量子模块对应的测量值作为待测薄膜器件对应的器件电压；
18、基于器件电流和器件电压计算得到器件电阻。
19、在本专利技术的一些实施例中，在每次循环测量中，获取测量模块对待测薄膜器件进行测量得到的测量数据之前，还包括：初始化电流测量子模块和电压测量子模块。
20、本专利技术的另一方面提供了一种薄膜材料磁阻效应测量系统，其特征在于，系统包括测量控制装置、预设数量的电磁器件、供电模块以及测量模块；其中，测量控制装置与供电模块和测量模块连接；供电模块还与电磁器件连接；
21、测量控制装置，用于：按照设定电流信息，控制供电模块对电磁器件进行循环通电；以使电磁器件在通电后生成磁场；待测薄膜器件设置在磁场的范围内，通过磁场对待测薄膜器件施加电流；设定电流信息用于指示循环测量次数和每次循环测量对应的通电电流值；
22、测量模块，用于：在每次循环测量中，对待测薄膜器件进行测量得到的测量数据；将测量数据发送至测量控制装置；
23、测量控制装置，还用于：在每次循环测量中，获取测量模块对待测薄膜器件进行测量得到的测量数据，并基于测量数据和磁场对应的磁感应强度，实时绘制得到待测薄膜器件对应的磁阻效应关系图并显示。
24、本专利技术的另一方面提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序/指令，该计算机程序/指令被处理器执行时实现如前所述的薄膜材料磁阻效应测量方法的步骤。
25、本专利技术的另一方面提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，该计算机程序/指令被处理器执行时实现如前所述薄膜材料磁阻效应测量方法的步骤。
26、本专利技术的薄膜材料磁阻效应测量方法和装置，能够解决薄膜器件的磁阻效应测量的测量效率低且成本较高的问题；通过控制供电模块对电磁器件循环通电，自动采集磁感应强度和薄膜器件的测量数据，并绘制磁阻效应图，操作人员只需设置电流参数即可实现对薄膜器件的磁阻效应测量，简化了测量操作流程和减少了人工的操作难度，提高了薄膜器件磁阻效应测量的效率和可操作性；同时，避免了对复杂昂贵设备的依赖，减少了设备和人力成本。
27、本专利技术的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本专利技术的实践而获知。本专利技术的目的和其它优点可以通过在说明书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。
28、本领域技术人员将会理解的是，能够用本专利技术实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本专利技术能够实现的上述和其他目的。
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【技术保护点】
1.一种薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，应用于磁阻效应测量系统中的测量控制装置，所述磁阻效应测量系统还包括预设数量的电磁器件、供电模块以及测量模块；所述控制装置与所述供电模块和所述测量模块连接；所述供电模块还与所述电磁器件连接；该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，所述设定电流信息包括第一预设电流值、第二预设电流值和步进电流值；所述按照设定电流信息，控制所述供电模块对所述电磁器件进行循环通电之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，所述按照设定电流信息，控制所述供电模块对所述电磁器件进行循环通电，包括：
4.根据权利要求3所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，在所述通电电流值小于0的情况下，所述方法还包括：
5.根据权利要求3所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，所述基于所述设定电流信息，确定所述电磁器件在本次测量中对应的通电电流值之后，还包括：基于所述通电电流值确定所述磁感应强度。
6.根据权利要求1所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，所述测量模块包括电流测量子模块和电压测量子模块；所述在所述每次循环测量中，获取所述测量模块对所述待测薄膜器件进行测量得到的测量数据，包括：
7.根据权利要求6所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，所述在所述每次循环测量中，获取所述测量模块对所述待测薄膜器件进行测量得到的测量数据之前，还包括：初始化所述电流测量子模块和所述电压测量子模块。
8.一种薄膜材料磁阻效应测量系统，其特征在于，所述系统包括测量控制装置、预设数量的电磁器件、供电模块以及测量模块；其中，所述测量控制装置与所述供电模块和所述测量模块连接；所述供电模块还与所述电磁器件连接；
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序/指令，其特征在于，该计算机程序/指令被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述薄膜材料磁阻效应测量方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，其特征在于，该计算机程序/指令被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述薄膜材料磁阻效应测量方法的步骤。
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【技术特征摘要】
1.一种薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，应用于磁阻效应测量系统中的测量控制装置，所述磁阻效应测量系统还包括预设数量的电磁器件、供电模块以及测量模块；所述控制装置与所述供电模块和所述测量模块连接；所述供电模块还与所述电磁器件连接；该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，所述设定电流信息包括第一预设电流值、第二预设电流值和步进电流值；所述按照设定电流信息，控制所述供电模块对所述电磁器件进行循环通电之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，所述按照设定电流信息，控制所述供电模块对所述电磁器件进行循环通电，包括：
4.根据权利要求3所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，在所述通电电流值小于0的情况下，所述方法还包括：
5.根据权利要求3所述的薄膜材料磁阻效应测量方法，其特征在于，所述基于所述设定电流信息，确定所述电磁器件在本次测量中对应的通电电流值之后，还包括：基于所述通电电流值确定所述磁感应强度。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟康康，薄国豪，徐晓光，姜勇，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：
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