【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体制备领域，具体而言，涉及一种降低碳化硅边缘应力的生长组件及生长装置。
技术介绍
1、目前，市面上常采用配置有石墨坩埚的生长装置实施物理气相传输法制备碳化硅晶体，此类生长装置通常在石墨坩埚内装入碳化硅原料，在石墨坩埚顶部安装碳化硅籽晶，通过对石墨坩埚加热使碳化硅原料升华后在碳化硅籽晶上析出单晶的碳化硅晶体。
2、为了实现碳化硅晶体的可控生长，常在石墨坩埚的内部额外加装生长组件，生长组件形成有用于引导碳化硅晶体生长的生长通道，生长过程中在生长通道的约束下形成圆柱状晶体。
3、当碳化硅晶体生长结束时，石墨坩埚内部的温度降低，碳化硅晶体会发生一定程度的收缩，由于其边缘依然受生长通道的约束，在收缩时会产生较大的边缘应力，导致碳化硅晶体边缘位错突增，严重影响生长品质。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种降低碳化硅边缘应力的生长组件，其既能够引导碳化硅晶体生长，又能够在生长结束时降低碳化硅晶体的边缘应力，从而提升生长品质。
2、本专利技术的另一目的在于提供一种生长装置，其既能够引导碳化硅晶体生长，又能够在生长结束时降低碳化硅晶体的边缘应力，从而提升生长品质。
3、本专利技术的实施例提供一种技术方案：
4、一种降低碳化硅边缘应力的生长组件，包括石墨筒、多个伸缩组件及多个石墨板，多个所述伸缩组件分别与所述石墨筒连接，多个所述石墨板在所述石墨筒的内部依次周向排布，并与多个所述伸缩组件一一对应连接，多个所述伸
5、在可选的实施方式中，所述伸缩组件包括热膨胀系数大于石墨与碳化硅晶体的热膨胀件，所述热膨胀件与对应的所述石墨板连接，用于在第一温度条件下膨胀，以驱动所述石墨板运动至围成所述生长通道，还用于在第二温度条件下收缩，以带动所述石墨板远离所述碳化硅晶体运动。
6、在可选的实施方式中，所述伸缩组件还包括石墨安装座及石墨推拉杆，所述石墨安装座的一端与所述石墨筒的内壁连接，另一端凹设有伸缩通道；所述热膨胀件设置于所述伸缩通道内，且所述热膨胀件通过所述石墨推拉杆与对应的所述石墨板连接。
7、在可选的实施方式中，所述石墨筒的两端的均设置有周向延伸的石墨环垣，两个所述石墨环垣伸入所述石墨筒的内部，在所述石墨筒的轴向上，多个所述石墨板始终处于两个所述石墨环垣之间，且任意所述石墨板的相对两端与两个所述石墨环垣分别贴合。
8、在可选的实施方式中，所述生长组件还包括多个石墨遮挡件，任意相邻的两个所述石墨板之间均可活动的设置有所述石墨遮挡件，在多个所述石墨板相互分离的状态下，两个所述石墨环垣、多个所述石墨板及多个所述石墨遮挡件与所述石墨筒共同围成密封的安装夹腔，多个所述伸缩组件容置于所述安装夹腔内。
9、在可选的实施方式中，所述石墨环垣、所述石墨板及所述石墨遮挡件背离所述安装夹腔的表面均设置有防护层。
10、在可选的实施方式中，所述安装夹腔内填充有柔性填充物，多个所述伸缩组件被所述柔性填充物包裹。
11、在可选的实施方式中，多个所述伸缩组件在所述石墨筒的周向上均匀分布，且多个所述伸缩组件分别在所述石墨筒的多个直径延伸方向上伸缩。
12、在可选的实施方式中，在垂直于所述石墨筒的轴线的平面内，各所述石墨板参与围成所述生长通道的一侧表面的投影呈圆弧形，所述生长通道呈圆柱形。
13、本专利技术的实施例还提供一种生长装置，包括石墨坩埚及前述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，所述生长组件包括石墨筒、多个伸缩组件及多个石墨板，多个所述伸缩组件分别与所述石墨筒连接，多个所述石墨板在所述石墨筒的内部依次周向排布，并与多个所述伸缩组件一一对应连接，多个所述伸缩组件用于驱动多个所述石墨板聚拢围成引导碳化硅晶体生长的生长通道，还用于在引导碳化硅晶体生长结束时，驱动多个所述石墨板远离所述碳化硅晶体运动。所述石墨筒同轴套设于所述石墨坩埚的内部，且所述石墨筒的外壁与所述石墨坩埚的内壁贴合并连接。
14、相比现有技术，本专利技术提供的降低碳化硅边缘应力的生长组件，在碳化硅晶体正常生长的过程中，多个石墨板聚拢围成生长通道，引导碳化硅晶体正常生长。在生长结束时，多个伸缩组件驱动多个石墨板远离碳化硅晶体运动，与碳化硅晶体边缘主动分离，从而避免在冷却过程中碳化硅晶体收缩而产生较大的边缘应力，避免产生边缘位错，提升晶体品质。因此，本专利技术提供的降低碳化硅边缘应力的生长组件的有益效果包括：既能够引导碳化硅晶体生长，又能够在生长结束时降低碳化硅晶体的边缘应力，从而提升生长品质。
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1.一种降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，包括石墨筒(110)、多个伸缩组件(120)及多个石墨板(130)，多个所述伸缩组件(120)分别与所述石墨筒(110)连接，多个所述石墨板(130)在所述石墨筒(110)的内部依次周向排布，并与多个所述伸缩组件(120)一一对应连接，多个所述伸缩组件(120)用于驱动多个所述石墨板(130)聚拢围成引导碳化硅晶体生长的生长通道(140)，还用于在引导碳化硅晶体生长结束时，驱动多个所述石墨板(130)远离所述碳化硅晶体运动。
2.根据权利要求1所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述伸缩组件(120)包括热膨胀系数大于石墨与碳化硅晶体的热膨胀件(121)，所述热膨胀件(121)与对应的所述石墨板(130)连接，用于在第一温度条件下膨胀，以驱动所述石墨板(130)运动至围成所述生长通道(140)，还用于在第二温度条件下收缩，以带动所述石墨板(130)远离所述碳化硅晶体运动。
3.根据权利要求2所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述伸缩组件(120)还包括石墨安装座(122)及石墨推拉
4.根据权利要求1所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述石墨筒(110)的两端的均设置有石墨环垣(111)，两个所述石墨环垣(111)伸入所述石墨筒(110)的内部，在所述石墨筒(110)的轴向上，多个所述石墨板(130)始终处于两个所述石墨环垣(111)之间，且任意所述石墨板(130)的相对两端与两个所述石墨环垣(111)分别贴合。
5.根据权利要求4所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述生长组件(100)还包括多个石墨遮挡件(150)，任意相邻的两个所述石墨板(130)之间均可活动的设置有所述石墨遮挡件(150)，在多个所述石墨板(130)相互分离的状态下，两个所述石墨环垣(111)、多个所述石墨板(130)及多个所述石墨遮挡件(150)与所述石墨筒(110)共同围成密封的安装夹腔(160)，多个所述伸缩组件(120)容置于所述安装夹腔(160)内。
6.根据权利要求5所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述石墨环垣(111)、所述石墨板(130)及所述石墨遮挡件(150)背离所述安装夹腔(160)的表面均设置有防护层。
7.根据权利要求5所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述安装夹腔(160)内填充有柔性填充物，多个所述伸缩组件(120)被所述柔性填充物包裹。
8.根据权利要求1所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，多个所述伸缩组件(120)在所述石墨筒(110)的周向上均匀分布，且多个所述伸缩组件(120)分别在所述石墨筒(110)的多个直径延伸方向上伸缩。
9.根据权利要求1所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，在垂直于所述石墨筒(110)的轴线的平面内，各所述石墨板(130)参与围成所述生长通道(140)的一侧表面的投影呈圆弧形，所述生长通道(140)呈圆柱形。
10.一种生长装置，其特征在于，包括石墨坩埚(11)及如权利要求1-9任一项所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件(100)，所述石墨筒(110)同轴套设于所述石墨坩埚(11)的内部，且所述石墨筒(110)的外壁与所述石墨坩埚(11)的内壁贴合并连接。
...【技术特征摘要】
1.一种降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，包括石墨筒(110)、多个伸缩组件(120)及多个石墨板(130)，多个所述伸缩组件(120)分别与所述石墨筒(110)连接，多个所述石墨板(130)在所述石墨筒(110)的内部依次周向排布，并与多个所述伸缩组件(120)一一对应连接，多个所述伸缩组件(120)用于驱动多个所述石墨板(130)聚拢围成引导碳化硅晶体生长的生长通道(140)，还用于在引导碳化硅晶体生长结束时，驱动多个所述石墨板(130)远离所述碳化硅晶体运动。
2.根据权利要求1所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述伸缩组件(120)包括热膨胀系数大于石墨与碳化硅晶体的热膨胀件(121)，所述热膨胀件(121)与对应的所述石墨板(130)连接，用于在第一温度条件下膨胀，以驱动所述石墨板(130)运动至围成所述生长通道(140)，还用于在第二温度条件下收缩，以带动所述石墨板(130)远离所述碳化硅晶体运动。
3.根据权利要求2所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述伸缩组件(120)还包括石墨安装座(122)及石墨推拉杆(123)，所述石墨安装座(122)的一端与所述石墨筒(110)的内壁连接，另一端凹设有伸缩通道(1221)；所述热膨胀件(121)设置于所述伸缩通道(1221)内，且所述热膨胀件(121)通过所述石墨推拉杆(123)与对应的所述石墨板(130)连接。
4.根据权利要求1所述的降低碳化硅边缘应力的生长组件，其特征在于，所述石墨筒(110)的两端的均设置有石墨环垣(111)，两个所述石墨环垣(111)伸入所述石墨筒(110)的内部，在所述石墨筒(110)的轴向上，多个所述石墨板(130)始终处于两个所述石墨环垣(111)之间，且任意所述石墨板(130)的相对两端与两...
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