【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于线路板制备领域，具体涉及一种具有深宽比大于8:1的通孔的线路板的制备方法。
技术介绍
1、先进封装在半导体产业的比重稳步提升，其发展与通孔互连技术的演进和加工精度的提高息息相关。在高密度、高集成度先进电子系统时代，实现高性能sip和aip应用的中介层和基板至关重要。玻璃通孔(tgv)为具有挑战性且昂贵的硅技术提供了一种成本更低、损耗更低的替代方案。tgv，through glass via，是穿过玻璃基板的垂直电气互连，被认为是下一代三维集成的关键技术。tgv是直径通常为10μm-100μm的微通孔。对于先进封装领域的各种应用，每片基板上通常需要应用数万个tgv通孔并对其进行金属化，以获得所需要的导电性。
2、目前，在集成电路与印制电路板行业，多以l/s(线宽/线距)来确定产品所适合的制程工艺。pcb硬板的减成法工艺的l/s范围为45-100μm，pcb软板的减成法工艺的l/s范围为30-100μm。若要求l/s:30/30μm以下或l/s:2/2μm～35/35μm之间则需要选择msap工艺(半加成法)、sap工艺(全加成法)等加成法工艺。目前，深宽比为8:1以上的基板封装，行业内普遍认为减成法工艺无法在此类基板上制作细线路(l/s：2/2-30/30μm)。传统的tgv采用的加成法工艺，以硼硅玻璃、石英玻璃等玻璃为基材，通过种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化、rdl再布线，bump工艺引出实现3d互联。然而，加成法工艺的设备成本显著较高，且容易出现生产良率较低的问题。
3、基于此，申请
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本专利技术提供一种具有通孔的线路板的制备方法，能够以较低成本在深宽比大于8:1的微通孔基板上制备出细线路(l/s：2/2-30/30μm)，获得高密度线路板。
2、本专利技术采用如下技术方案：
3、一种具有通孔的线路板的制备方法，包括如下步骤：
4、s1、提供待镀基板，所述基板具有两个表面及通孔，所述通孔自所述基板的其中一个表面贯通至另一个表面，所述通孔的深度和宽度的比值大于8:1；
5、s2、向所述通孔的内壁溅射金属形成第一导电层；
6、s3、将形成有第一导电层的基板放置于化学镀设备中，在所述基板上形成第二导电层，其中所述第二导电层为覆盖所述第一导电层、所述通孔内壁的未被所述第一导电层覆盖的区域以及至少一个所述表面的连续层；
7、s4、将步骤s3处理后的基板放置于电镀设备中，形成第三导电层，其中所述第三导电层覆盖所述第二导电层并将所述通孔填满；
8、s5、将步骤s4处理后的基板放置于刻蚀设备中，将所述基板上的未被图形化的掩膜覆盖的区域中的全部导电层刻蚀去除，形成间隙以及被所述间隙隔开的线路，所述线路由所述掩膜下的导电层形成；其中，至少部分所述线路的线宽和线距分别为35μm以下；
9、步骤s5中，将基板悬挂于刻蚀槽中，通过和所述基板相对的喷盘向所述基板的表面上均匀喷射刻蚀药水，将未被掩膜覆盖的区域中的全部导电层刻蚀去除；其中，所述喷盘具有上下设置的上部分区和底部分区，所述上部分区和所述底部分区分别布设有多个喷嘴，控制所述底部分区的喷嘴的液流量和/或喷液时长小于所述上部分区的喷嘴的液流量和/或喷液时长。
10、在一优选的实施例中，至少部分所述线路的线宽和线距分别为2～30μm。
11、在一优选的实施例中，所述通孔的深度和宽度的比值为(15～20)：1。
12、在一优选的实施例中，步骤s3中，将基板置于处理槽中，分别在所述基板的两侧形成第一腔体和第二腔体；向所述第一腔体内通入化学镀液，通过压力差使化学镀液经由所述基板上的通孔流入所述第二腔体中；向所述第二腔体内通入化学镀液，通过压力差使化学镀液经由所述基板上的通孔流入所述第一腔体中；直至形成连续的所述第二导电层。进一步地，化学镀液包含金属离子或导电高分子。
13、在一更优选的实施例中，步骤s3中，所述压力差通过所述第一腔体和第二腔体内的液位差施加，或通过向所述第一腔体或所述第二腔体抽真空施加。
14、在一更优选的实施例中，步骤s3中，在施加压力差的同时，还向所述第一腔体或所述第二腔体内的化学镀液施加振动或朝向通孔的推力。
15、在一优选的实施例中，步骤s1中，还对具有通孔的基板进行清洗。
16、在一进一步优选的实施例中，步骤s1中，将基板置于处理槽中，分别在所述基板的两侧形成第一腔体和第二腔体；向所述第一腔体内通入液体，通过压力差使液体经由所述基板上的通孔流入所述第二腔体中；向所述第二腔体内通入所述液体，通过压力差使液体经由所述基板上的通孔流入所述第一腔体中；直至形成连续的所述第二导电层。所述液体具体为清洗液。
17、在一更优选的实施例中，步骤s1中，所述压力差通过所述第一腔体和第二腔体内的液位差施加，或通过向所述第一腔体或所述第二腔体抽真空施加。
18、在一更优选的实施例中，步骤s1中，在施加压力差的同时，还向所述第一腔体或所述第二腔体内的清洗液施加振动或朝向通孔的推力。
19、在一优选的实施例中，步骤s5中，将基板悬挂于刻蚀槽中，向所述基板的表面上均匀喷射刻蚀药水，将未被掩膜覆盖的区域中的全部导电层刻蚀去除。
20、在一更优选的实施例中，步骤s5中，所述基板竖直悬挂于所述刻蚀槽中，通过和所述基板相对的喷盘向所述基板喷射刻蚀药水，其中，所述基板相对所述喷盘沿第一方向往复移动，所述第一方向平行于所述基板。
21、在一更优选的实施例中，步骤s5中，通过控制所述基板的移动速度、所述喷盘上的喷嘴的液流量、喷嘴的喷液时长中的一或多项，使基板的表面上接收的刻蚀药液量趋于一致。
22、在一更优选的实施例中，所述喷盘具有沿第一方向依次布设的第一分区、第二分区和第三分区，所述第一分区、所述第二分区及所述第三分区分别布设有多个喷嘴；步骤s5中，控制所述第二分区的喷嘴的液流量和/或喷液时长小于所述第一分区及所述第三分区的喷嘴的液流量和/或喷液时长。
23、在一更优选的实施例中，每个分区分别具有位于所述喷盘内的压力室；步骤s5中，通过调节通入所述压力室内的刻蚀药水的压力来控制喷嘴的液流量。
24、在一具体且优选的实施例中，所述喷盘具有上下设置的上部分区和底部分区，所述上部分区包括沿第一方向依次布设的第一分区、第二分区和第三分区，所述第一分区、所述第二分区、所述第三分区及所述底部分别均匀地布设有多个喷嘴；步骤s5具体实施如下：控制所述基板沿第一方向匀速往复移动，依次经过第一分区、第二分区及第三分区，所述基板的底部始终正对所述底部分区，使各个分区内的喷嘴向基板喷射刻蚀药水，且控制所述第二分区的喷嘴的液流量和/或喷液时长小于所述第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种具有通孔的线路板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，至少部分所述线路的线宽和线距分别为2～30μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通孔的深度和宽度的比值为(15～20)：1。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，还对具有通孔的基板进行清洗；步骤S1或S3中，将基板置于处理槽中，分别在所述基板的两侧形成第一腔体和第二腔体；向所述第一腔体内通入液体，所述液体为化学镀液或清洗液，通过压力差使液体经由所述基板上的通孔流入所述第二腔体中；向所述第二腔体内通入所述液体，通过压力差使液体经由所述基板上的通孔流入所述第一腔体中；直至形成连续的所述第二导电层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤S1或S3中，所述压力差通过所述第一腔体和第二腔体内的液位差施加，或通过向所述第一腔体或所述第二腔体抽真空施加。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤S1或S3中，在施加压力差的同时，还向所述第一腔体或所述第二腔体
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S5中，所述基板竖直悬挂于所述刻蚀槽中，向所述基板喷射刻蚀药水，其中，所述基板相对所述喷盘沿第一方向往复移动，所述第一方向平行于所述基板。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤S5中，通过控制所述基板的移动速度、所述喷盘上的喷嘴的液流量、喷嘴的喷液时长中的一或多项，使基板的表面上接收的刻蚀药液量趋于一致。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每个分区分别具有位于所述喷盘内的压力室；步骤S5中，通过调节通入所述压力室内的刻蚀药水的压力来控制喷嘴的液流量。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基板的两个表面上均形成有线路，所述通孔内的导电层将两个表面上的线路导通；所述基板为玻璃，所述第一导电层包括钛铜原子，所述第二导电层为铜镀层或导电高分子镀层，所述第三导电层为铜镀层。
...【技术特征摘要】
1.一种具有通孔的线路板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，至少部分所述线路的线宽和线距分别为2～30μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通孔的深度和宽度的比值为(15～20)：1。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，还对具有通孔的基板进行清洗；步骤s1或s3中，将基板置于处理槽中，分别在所述基板的两侧形成第一腔体和第二腔体；向所述第一腔体内通入液体，所述液体为化学镀液或清洗液，通过压力差使液体经由所述基板上的通孔流入所述第二腔体中；向所述第二腔体内通入所述液体，通过压力差使液体经由所述基板上的通孔流入所述第一腔体中；直至形成连续的所述第二导电层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤s1或s3中，所述压力差通过所述第一腔体和第二腔体内的液位差施加，或通过向所述第一腔体或所述第二腔体抽真空施加。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：王彦智，何国良，李川，候志宛，黄玺，杜彪，许书鸣，
申请(专利权)人：盛青永致半导体设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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