【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种闪存的技术，且特别是一种利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法以及使用其的闪存系统。
技术介绍
1、电子抹除式可复写只读存储器(electrically-erasable programmable read-only memory，eeprom)最早是在1978年由intel推出，用于替代传统rom(read-onlymemory)。电子抹除式可复写只读存储器的单位是字节(byte)，另外，电子抹除式可复写只读存储器的读写操作是单独进行的，需要对每个字节进行读写操作。由于电子抹除式可复写只读存储器的读写操作需要经过多次擦除和写入，其读写次数通常能达到10万次到100万次的程度。
2、闪存(flash memory)则是在1988年由日本公司东芝推出，主要是为了解决电子抹除式可复写只读存储器写入时间长的问题而开发出来的。电子抹除式可复写只读存储器的写入速度比闪存慢，一般情况约需要4ms。然而，在微控制器(micro control unit，mcu)在某些应用，会需要模拟电子抹除式可复写只读存储器的行为，除了以1byte或2bytes为读写单位的特性外，电子抹除式可复写只读存储器也可以直接写入。而一般的闪存，在写入前需要先进行整页数据的抹除。故闪存并没有如电子抹除式可复写只读存储器的随机存取特性。
技术实现思路
1、本公开提供一种利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法以及使用其的闪存系统，用以依照闪存以及电子抹除式可复写只读存储器两者的地址特性，
2、本公开的实施例提供了一种利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，用以在一闪存，模拟可重复读写的电子抹除式可复写只读存储器，此利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法包括下列步骤：在将该闪存的每一个单元(unit)，分为一数据字段以及一地址字段；将多个单元(unit)分配为一个页面(page)；将多个页面(page)分配为一个存储区段(sector)；当接收到一指令，对该存储区段(sector)中，一特定存储地址进行写入，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法包括：由该存储区段(sector)的一初始网页的一初始单元开始，判断单元的地址字段是否已经写入；若该地址字段为已写入状态，根据该地址字段，找到下一地址，直到找出其中的一最终单元，其中，该最终单元的地址字段系未写入状态；另外找出一可写入单元，其中，该可写入单元的数据字段以及地址字段皆未写入；以及写入上述可写入单元的数据字段，并将该最终单元的地址字段写入该可写入单元的地址。
3、本公开的实施例另外提供了一种闪存系统，此闪存系统包括一控制电路以及一闪存，其中，此闪存的每一个单元(unit)，分为一数据字段以及一地址字段，且将多个单元(unit)分配在一第一页面(page)，且分配在一个存储区段(sector)。当控制电路接收到一指令，对上述存储区段(sector)中，一特定存储地址进行读取，上述控制电路由上述存储区段(sector)的一初始网页的一初始单元开始，判断单元的地址字段是否已经写入。若上述控制电路判断上述单元的地址字段为已写入状态，根据上述地址字段，找到下一地址，直到找出其中的一单元的地址字段未写入。上述控制电路读取上述未写入地址字段的单元的数据字段。
4、依照本公开较佳实施例所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法以及使用其的闪存系统，其中，当接收到一指令，对上述存储区段(sector)中，一特定存储地址进行读取，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法包括：由上述存储区段(sector)的一初始网页的一初始单元开始，判断单元的地址字段是否已经写入；若该地址字段为已写入状态，根据该地址字段，找到下一地址，直到找出其中的一单元的地址字段未写入；以及读取上述单元的数据字段。
5、依照本公开较佳实施例所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法以及使用其的闪存系统，更包括下列步骤：将至少一第二页面(page)分配为一个存储区段(sector)；其中，当接收到该指令，对该存储区段(sector)中，该特定存储地址进行写入，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法更包括：当该第一页面(page)存储满，寻找该第二页面的一单元，其中，该单元的地址字段未写入；以及写入上述第二页面的该单元的数据字段。
6、公开的实施例另外提供了一种利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，用以在一闪存，模拟可重复读写的电子抹除式可复写只读存储器，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法包括下列步骤：在将该闪存的每一个单元(unit)，分为一数据字段以及一地址字段；将多个单元(unit)分配为一第一页面(page)，并分配在一存储区段(sector)；当接收到一指令，对该存储区段(sector)中，一特定存储地址进行读取，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法包括：由该存储区段(sector)的该第一页面的一初始单元开始，判断单元的地址字段是否已经写入；若该地址字段为已写入状态，根据该地址字段，找到下一地址，直到找出其中的一单元的地址字段未写入；以及读取上述单元的数据字段。
7、综上所述，本公开的实施例采用在闪存中，将原本使用电子抹除式可复写只读存储器的分区方式用在闪存的寻址方式，并额外在每个可写入单元中，配置一个数据字段以及一个地址指针字段。当地址指针字段是有写入的状态，表示数据字段的资料非最新写入的资料。此时，只要继续找寻地址指针字段中的地址，直到找出一单元，此单元中的地址指针字段是未写入状态，表示此单元中的数据字段中的数据是最新的数据。藉此，可以模拟电子抹除式可复写只读存储器的内存配置，并且减少闪存的全页面抹除次数，增加闪存的使用寿命。
8、为了进一步理解本公开的技术、手段和效果，可以参考以下详细描述和附图，从而可以彻底和具体地理解本公开的目的、特征和概念。然而，以下详细描述和附图仅用于参考和说明本公开的实现方式，其并非用于限制本公开。
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1.一种利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，用以在一闪存，模拟电子抹除式可复写只读存储器，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法包括：
2.根据权利要求1所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，其中，
3.根据权利要求1所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，其中，该闪存为一非与型闪存，且该非与型闪存内建于一微处理器中。
4.根据权利要求2所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，更包括：
5.根据权利要求1所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，其中，该方法更用以写入多数个模拟电子抹除式可复写只读存储器，其中，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法更包括：
6.一种利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，用以在一闪存，模拟可重复读写的电子抹除式可复写只读存储器，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法包括：
7.根据权利要求6所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，其中，
8.根据权利要求7所述的利用
9.一种闪存系统，包括：
10.一种闪存系统，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，用以在一闪存，模拟电子抹除式可复写只读存储器，该利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法包括：
2.根据权利要求1所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，其中，
3.根据权利要求1所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，其中，该闪存为一非与型闪存，且该非与型闪存内建于一微处理器中。
4.根据权利要求2所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法，更包括：
5.根据权利要求1所述的利用闪存模拟电子抹除式可复写只读存储器的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：张纹硕，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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