【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及外延控制，尤其涉及一种外延设备中的多层薄膜生长控制系统及方法。
技术介绍
1、碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，相比于传统硅材料具有高的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率和高的电子饱和漂移速率等优点，使其在高功率、高压、高温和高频等领域具有极大潜力，在新能源、轨道交通和电网等方面具有广泛应用。碳化硅外延层是连接碳化硅衬底和碳化硅器件之间的桥梁。提升碳化硅外延层的一致性对增加器件合格率具有重要的意义。
2、然而，在使用外延生长设备生产外延片的过程中，工作人员通过人为经验来设定反应室的温度，以控制整个反应室所生产的外延片的波长，使得反应室所生产的外延片的波长的精度较差，降低了外延片的成品率，并造成了人力成本的浪费。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种外延设备中的多层薄膜生长控制系统及方法，旨在解决在生产外延片时工作人员通过人为经验对反应室进行控制导致外延片成品率降低的问题。
2、为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种外延设备中的多层薄膜生长控制系统，包括监测模块、阈值存储模块、处理模块、温度控制模块和气体控制模块，所述监测模块、所述阈值存储模块、所述温度控制模块和所述气体控制模块分别与所述处理模块连接；
3、所述监测模块，用于对外延设备进行生长数据检测；
4、所述阈值存储模块，用于存储多层薄膜生长的阈值数据；
5、所述处理模块，基于所述阈值数据和所述生长数据对所述温度控制模块和所述气体控制模块
6、所述温度控制模块，用于控制外延设备的温度；
7、所述气体控制模块，用于控制外延设备的气体浓度和气体流量。
8、其中，所述监测模块包括测试点设置单元、检测单元和数据传输单元，所述测试点设置单元、所述检测单元和所述数据传输单元依次连接；
9、所述测试点设置单元，用于在外延设备上设置测试点；
10、所述检测单元，用于对所述测试点进行生长数据检测；
11、所述数据传输单元，用于将所述生长数据传输至所述处理模块。
12、其中，所述阈值存储模块包括输入单元、编号单元和存储单元，所述输入单元、所述编号单元和所述存储单元依次连接；
13、所述输入单元，用于输入阈值数据；
14、所述编号单元，用于对所述阈值数据进行编号；
15、所述存储单元，用于对编号后的所述阈值数据进行存储。
16、其中，所述处理模块包括查询单元、比对单元、生成单元和执行单元，所述查询单元、所述比对单元、所述生成单元和所述执行单元依次连接；
17、所述查询单元，用于查询所述存储单元中对应的阈值数据；
18、所述比对单元，基于对应的所述阈值数据对所述检测数据进行对比，得到差值数据；
19、所述生成单元，基于所述差值数据生成控制指令；
20、所述执行单元，基于所述控制指令对所述温度控制模块和所述气体流量控制模进行控制。
21、其中，所述温度控制模块包括升温单元、降温单元和恒温单元；
22、所述升温单元，用于控制外延设备温度升高；
23、所述降温单元，用于控制外延设备温度降低；
24、所述恒温单元，用于控制外延设备温度恒温。
25、其中，所述气体控制模块包括浓度控制单元和流量控制单元；
26、所述浓度控制单元，用于控制外延设备的气体浓度；
27、所述流量控制单元，用于控制外延设备的气体流量。
28、第二方面，一种外延设备中的多层薄膜生长控制方法，用于第一方面所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，包括以下步骤：
29、监测模块对外延设备进行生长数据检测；
30、处理模块基于阈值数据和所述生长数据对温度控制模块和气体控制模块进行控制；
31、所述温度控制模块和所述气体控制模块对外延设备的多层薄膜生长控制。
32、本专利技术的一种外延设备中的多层薄膜生长控制系统，包括监测模块、阈值存储模块、处理模块、温度控制模块和气体控制模块，所述监测模块、所述阈值存储模块、所述温度控制模块和所述气体控制模块分别与所述处理模块连接；所述监测模块对外延设备进行生长数据检测；所述阈值存储模块存储多层薄膜生长的阈值数据；所述处理模块基于所述阈值数据和所述生长数据对所述温度控制模块和所述气体控制模块进行控制；所述温度控制模块控制外延设备的温度；所述气体控制模块控制外延设备的气体浓度和气体流量，在对外延设备中的多层薄膜生长控制时，通过对外延设备上的多个检测点进行检测得到生长数据，再基于阈值数据对所述生长数据进行判断处理，若超出阈值则根据阈值数据生成控制指令对所述温度控制模块和所述气体控制模块进行控制，实现对所述外延设备中的多层薄膜生长控制，从而解决了在生产外延片时工作人员通过人为经验对反应室进行控制导致外延片成品率降低的问题。
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1.一种外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
2.如权利要求1所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
3.如权利要求2所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
4.如权利要求3所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
5.如权利要求4所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
6.如权利要求5所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
7.一种外延设备中的多层薄膜生长控制方法，用于权利要求1-6任意一项所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
2.如权利要求1所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
3.如权利要求2所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
4.如权利要求3所述的外延设备中的多层薄膜生长控制系统，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：文帆，廖秋林，欧鹏，易志峰，
申请(专利权)人：桂林雷光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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