【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、新型存储器中的存储材料层一般是采用不透光材料，如相变存储器的相变材料、阻变存储器的阻变材料和磁阻存储器的磁阻材料，均是包含一层或多层不透光材料。在对存储材料层进行光刻工艺时，需要之前再额外形成特定的光刻对准标记，在后续执行光刻工艺时，利用特定的光刻对准标记来实现对准曝光。而额外形成特定的光刻对准标记，增加了一道光刻工艺，增加了制造成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，实现节约制备成本。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底中同步形成连接孔和凹槽，所述凹槽的宽度大于所述连接孔的宽度；
4、形成金属层填充满所述连接孔，并覆盖所述凹槽的底部和侧壁以及覆盖所述衬底的表面；
5、执行化学机械抛光工艺，去除所述衬底表面的金属层，并使得所述连接孔内的金属层的顶面和所述凹槽侧壁的金属层的顶面与所述衬底的表面齐平；
6、形成存储材料层覆盖所述接触孔内的金属层的顶面、所述凹槽底部和侧壁的金属层以及所述衬底的表面；以及，
7、以所述凹槽作为光刻对准标记，执行光刻工艺对所述存储材料层进行图形化得到存储图形，所述存储图形覆盖所述接触孔内的金属层的顶面。
8、可选的，所述凹槽位于所述衬底的划片道内，所述连接孔位于所述衬底的器件区内。
9、可选的，所述
10、可选的，所述连接孔的横截面形状为圆形，所述凹槽的横截面形状为矩形。
11、可选的，所述金属层的材料包括钨，所述金属层的厚度为600埃～1200埃。
12、可选的，在执行化学机械抛光工艺后，所述凹槽侧壁的金属层的表面垂直度为80度～90度。
13、可选的，执行化学机械抛光工艺后，所述凹槽底部的金属层的表面与所述衬底的表面的高度差为1500埃～2000埃。
14、可选的，所述存储材料层的材料包括相变存储器存储材料、阻变存储器存储材料或磁阻存储器存储材料。
15、可选的，在形成金属层填充所述连接孔、覆盖所述凹槽的底部和侧壁以及覆盖所述衬底的表面之前，还包括形成阻挡层位于所述衬底和所述金属层之间。
16、可选的，所述阻挡层的材料包括钛或氮化钛。
17、在本专利技术提供的半导体器件的制备方法中，提供衬底，衬底中同步形成连接孔和凹槽，凹槽的宽度大于连接孔的宽度；形成金属层填充满连接孔，并覆盖凹槽的底部和侧壁以及覆盖衬底的表面；执行化学机械抛光工艺，去除衬底表面的金属层，并使得连接孔内的金属层的顶面和凹槽侧壁的金属层的顶面与衬底的表面齐平；形成存储材料层覆盖接触孔内的金属层的顶面、凹槽底部和侧壁的金属层以及衬底的表面；以及，以凹槽作为光刻对准标记，执行光刻工艺对存储材料层进行图形化得到存储图形，存储图形覆盖接触孔内的金属层的顶面。本专利技术在形成连接孔时同步形成凹槽，利用连接孔的填充工艺和化学机械抛光工艺使得凹槽具有光刻对准辨识度，后续凹槽作为光刻对准标记执行光刻工艺，能够节约额外形成特定的光刻对准标记的步骤，节约一道光刻工艺，实现节约制备成本。
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1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述凹槽位于所述衬底的划片道内，所述连接孔位于所述衬底的器件区内。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述连接孔的宽度为50nm～100nm，所述凹槽的宽度为1μm～3μm。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述连接孔的横截面形状为圆形，所述凹槽的横截面形状为矩形。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料包括钨，所述金属层的厚度为600埃～1200埃。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在执行化学机械抛光工艺后，所述凹槽侧壁的金属层的表面垂直度为80度～90度。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，执行化学机械抛光工艺后，所述凹槽底部的金属层的表面与所述衬底的表面的高度差为1500埃～2000埃。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述存储材料层的材料
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成金属层填充所述连接孔、覆盖所述凹槽的底部和侧壁以及覆盖所述衬底的表面之前，还包括形成阻挡层位于所述衬底和所述金属层之间。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括钛或氮化钛。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述凹槽位于所述衬底的划片道内，所述连接孔位于所述衬底的器件区内。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述连接孔的宽度为50nm～100nm，所述凹槽的宽度为1μm～3μm。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述连接孔的横截面形状为圆形，所述凹槽的横截面形状为矩形。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料包括钨，所述金属层的厚度为600埃～1200埃。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在执行化学机械抛光工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯高明，王萌，郭奥，李铭，李琛，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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