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显示装置及电子设备制造方法及图纸

技术编号:44193803 阅读:21 留言:0更新日期:2025-02-06 18:32
提供了一种具有层叠结构的显示装置,该层叠结构设置有:发光元件,根据提供的电流改变亮度;电流源晶体管,与电流源和发光元件电连接并且将与信号电压对应的电流提供至发光元件;电容单元,与电流源晶体管的控制端子连接;以及选择晶体管,与电流源晶体管的控制端子连接并且经由电容单元将信号电压提供至电流源晶体管,该层叠结构包括:半导体基板,电流源晶体管被设置至该半导体基板;布线层,层叠在半导体基板上并且包括选择晶体管,选择晶体管包括薄膜晶体管;以及发光元件,层叠在布线层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及显示装置和电子设备。


技术介绍

1、近来已经开发了使用电致发光(el)元件作为发光元件的显示装置。例如,这种显示装置包括多个发光元件,包括下部电极、堆叠在下部电极上的发光层、以及堆叠在发光层上的上部电极。除了上述发光元件之外,显示装置还包括用于驱动发光元件的驱动电路。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1:jp 2020-154323 a

5、专利文献2:jp 2021-9401a


技术实现思路

1、技术问题

2、随着发光元件的小型化,考虑到包括在驱动电路中的各种晶体管所需的耐压和特性变化范围,要求显示装置减小驱动电路的布局尺寸。然而,存在在满足期望的耐受电压的同时减小包括在驱动电路中的晶体管的尺寸的限制,并且因此也存在减小驱动电路的布局尺寸的限制。

3、本公开提出了一种能够减小驱动电路的布局尺寸的显示装置和电子设备。

4、问题的解决方案

5、根据本公开,提供了一种显示装置,包括堆叠结构体,该堆叠结构体包括:发光元件,发光元件的亮度根据提供的电流而变化;电流源晶体管,与电流源和发光元件电连接,并且电流源晶体管将与信号电压对应的电流提供至发光元件;电容器,与电流源晶体管的控制端子连接;以及选择晶体管,与电流源晶体管的控制端子连接,并且选择晶体管经由电容器将信号电压提供至电流源晶体管,其中,堆叠结构体包括:半导体基板,在半导体基板上设置有电流源晶体管;布线层,堆叠在半导体基板上,并且布线层包括由薄膜晶体管形成的电容器和选择晶体管;并且发光元件堆叠在布线层上。

6、根据本公开,还提供了一种配备有显示装置的电子设备,该显示装置包括堆叠结构体,该堆叠结构体包括:发光元件,发光元件的亮度根据提供的电流而变化;电流源晶体管,与电流源和发光元件电连接,并且电流源晶体管将与信号电压对应的电流提供至发光元件;电容器,与电流源晶体管的控制端子连接;以及选择晶体管,与电流源晶体管的控制端子连接,并且选择晶体管经由电容器将信号电压提供至电流源晶体管,其中,堆叠结构体包括:半导体基板,在半导体基板上设置有电流源晶体管;布线层,堆叠在半导体基板上,并且布线层包括由薄膜晶体管形成的电容器和选择晶体管;并且发光元件堆叠在布线层上。

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【技术保护点】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述选择晶体管是N沟道晶体管。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述开关晶体管为N沟道晶体管。

7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,在所述堆叠结构体中,多个所述薄膜晶体管沿着所述堆叠结构体的堆叠方向堆叠。

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述薄膜晶体管包括含有选自由硅、铝、铟、镓和锌组成的组中的至少一种元素的薄膜半导体层作为沟道。

9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述堆叠结构体中,所述薄膜晶体管具有顶栅结构、底栅结构或双栅结构。

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电容器具有MIM结构,所述MIM结构由一对金属膜沿着所述堆叠结构体的堆叠方向从上下方向夹住绝缘膜而形成。

11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述绝缘膜由氮化硅膜构成。

12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述绝缘膜由包含从由硅、铪、氧化锆、钽、钇构成的组中选择的至少一种元素的氧化膜构成。

13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电容器具有MIM结构,所述MIM结构由金属膜从垂直于所述堆叠结构体的堆叠方向的平面方向夹住绝缘膜而形成。

14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电流源晶体管是P沟道晶体管。

15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电流源晶体管是N沟道晶体管。

16.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,

18.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体基板具有对接接触结构,在所述对接接触结构中,所述电流源晶体管的源极触点和所述半导体基板的阱区域的触点电连接。

19.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光元件是OLED。

20.一种配备有显示装置的电子设备,

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述选择晶体管是n沟道晶体管。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述开关晶体管为n沟道晶体管。

7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,在所述堆叠结构体中,多个所述薄膜晶体管沿着所述堆叠结构体的堆叠方向堆叠。

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述薄膜晶体管包括含有选自由硅、铝、铟、镓和锌组成的组中的至少一种元素的薄膜半导体层作为沟道。

9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述堆叠结构体中,所述薄膜晶体管具有顶栅结构、底栅结构或双栅结构。

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电容器具有mim结构,所述mim结构由一对金属膜沿着所述堆叠结构体的堆叠方向从上下方向夹住绝缘膜而形成。

11.根据权利要求10...

【专利技术属性】
技术研发人员:木村圭
申请(专利权)人:索尼集团公司
类型:发明
国别省市:

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