【技术实现步骤摘要】
本技术涉及宽电压启动电路,尤其涉及一种宽电压低功耗启动电路及开关电源。
技术介绍
1、世界各国用电标准存在差异,以民用电为例,美国为60hz 120v,中国为50hz220v,英国、德国和法国均为50hz 230v标准。当出差或出国旅游,经常会遇到电能转换器不匹配的问题。
2、有开关电源生产商提出针对电压分段制造适用于宽电压环境的电子产品,如100~277v、200~264v。
3、生产适用100~380v宽范围电压的电子产品需要解决如下技术问题:
4、1、低电压输入,存在启动时间过长或难以低压启动;
5、2、高电压输入,启动功耗高,或者烧坏驱动芯片。
6、解决的方案是在高压与驱动电压之间设计一个降压电路,降低高压对驱动芯片的影响,选择电阻器降压,当电阻器电阻过大,分压过大,低压环境下存在启动时间长或难以启动的问题;当电阻器电阻过小,又无法起到降压的作用。
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于解决以上提出的技术问题。
2、根据本技术,提出一种宽电压低功耗启动电路,该启动电路包括:启动电阻、开关电路、供电电路、驱动电路和转换电路;
3、所述启动电阻包含电阻r1,所述电阻r1的前端连接高压母线hv端口,所述电阻r1的后端连接nmos晶体管q1的漏极,nmos晶体管q1的源极连接所述驱动电路的vcc端口;
4、所述开关电路包括电阻r2、稳压二极管zd1和nmos晶体管q1,所述电阻r2的前端
5、所述供电电路包括电容c2、三极管q2、稳压二极管zd2、二极管d2、电阻r7、电阻r8和辅助绕组t1b,所述三极管q2的发射极连接所述驱动电路的vcc端口,所述三极管q2的集电极连接所述二极管d2的负极,所述二极管d2的正极连接所述电阻r8的前端,所述电阻r8的后端连接所述辅助绕组t1b的同名端,所述辅助绕组t1b的异名端接地,所述电阻r7的一端连接所述三极管q2的集电极,所述电阻r7的另一端连接所述三极管q2的基极,所述电容c2的上极板连接所述三极管q2的发射极,所述电容c2的下极板接地;
6、所述驱动电路包括驱动芯片u1,所述转换电路包括nmos晶体管q3、电阻r6和原边绕组t1a,所述nmos晶体管q3的栅极通过所述电阻r6连接所述驱动电路的输出端dr端口,所述nmos晶体管q3的漏极连接所述原边绕组t1a的异名端,所述原边绕组t1a的同名端连接高压母线hv端口;所述原边绕组t1a与所述辅助绕组t1b耦合。
7、优选的,所述启动电路还包括隔离电路,所述隔离电路包括二极管d1和电容c1,所述二极管d1的负极连接所述电容c1的上极板,所述二极管d1的正极连接所述供电电路中的三极管q2的发射极,所述电容c1的下极板接地,所述二极管d1与所述电容c1的公共端连接所述驱动电路的vcc端口。
8、优选的,所述电阻r1包括多个串联电阻。
9、优选的,所述电阻r2包括多个串联电阻。
10、一种开关电源,包含上述宽电压低功耗启动电路。
11、本技术技术方案采用启动电阻,开关电源开机瞬间,nmos晶体管q1导通,高压母线(hv)通过电阻r1和nmos晶体管q1向驱动电路的驱动芯片u1提供启动电压,同时,开关电路中的nmos晶体管q1、稳压二极管zd1、电阻r2形成稳压电路,稳压二极管zd1为某一稳压值,使得nmos晶体管q1的源极电压满足驱动电路5中驱动芯片u1的最低启动电压,即可实现驱动芯片u1的快速启动。该电路结构简单,制造成本低。对很宽的输入电压范围的开关电源可以实现快速启动,开关电源正常启动后,直接关断启动电阻电路,降低开关电源功耗,提高开关电源的转换效率。
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1.宽电压低功耗启动电路,其特征在于,该启动电路(100)包括:启动电阻(1)、开关电路(2)、供电电路(4)、驱动电路(5)和转换电路(6);
2.根据权利要求1所述的宽电压低功耗启动电路,其特征在于,所述启动电路(100)还包括隔离电路(3),所述隔离电路(3)包括二极管D1和电容C1,所述二极管D1的负极连接所述电容C1的上极板,所述二极管D1的正极连接所述供电电路(4)中的三极管Q2的发射极,所述电容C1的下极板接地,所述二极管D1与所述电容C1的公共端连接所述驱动电路(5)的VCC端口。
3.根据权利要求2所述的宽电压低功耗启动电路,其特征在于,所述电阻R1包括多个串联电阻。
4.根据权利要求2所述的宽电压低功耗启动电路,其特征在于,所述电阻R2包括多个串联电阻。
5.一种开关电源,其特征在于,包含权利要求1至2中任一所述的宽电压低功耗启动电路。
【技术特征摘要】
1.宽电压低功耗启动电路,其特征在于,该启动电路(100)包括:启动电阻(1)、开关电路(2)、供电电路(4)、驱动电路(5)和转换电路(6);
2.根据权利要求1所述的宽电压低功耗启动电路,其特征在于,所述启动电路(100)还包括隔离电路(3),所述隔离电路(3)包括二极管d1和电容c1,所述二极管d1的负极连接所述电容c1的上极板,所述二极管d1的正极连接所述供电电路(4)中的三极管q2的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张维一,
申请(专利权)人:深圳市正远科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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