【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法。
技术介绍
1、vdmos(vertical double-diffused metal oxide semiconductor)是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件，属于功率mosfet(metal oxide semiconductor fieldeffect transistor)的一种。trench vdmos器件是一种新型垂直结构器件，是在vdmos的基础上发展起来的，和vdmos相比，trench vdmos具有更低的导通电阻和栅漏电荷密度，因此具有更低的导通和开关损耗和更快的开关速度。同时，由于trench vdmos器件的沟道是垂直的，故可进一步提高其沟道密度，减小芯片尺寸。
2、图1为一trench vdmos器件的结构示意图，该类功率器件制备工艺中，深沟槽工艺得到广泛的应用，深沟槽通过干法刻蚀获得。对于深沟槽的干法刻蚀，因为需要有较深的沟槽刻蚀，刻蚀时间较长，硬掩膜层和光刻胶的厚度都会比较厚，尤其是硬掩膜层的厚度会达到几个微米，硬掩膜层的刻蚀时间长，在沟槽刻蚀后光刻、硬掩膜等残留，在沟槽中出现聚合物残留(polymer residue)颗粒，聚合物残留容易形成阻碍刻蚀(blocket)，进而在沟槽硅刻蚀(trench si et)之后沟槽底部形成硅尖刺(si grass)，并且因为聚合物残留比较多，清洗并不能完全洗干净，从而导致后续在沟槽生长的栅氧化层(gate oxide)的形态(profile)较差，击穿电压失效。
<...【技术保护点】
1.一种具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，第一氧化层和所述第二氧化层均包括TEOS，所述中间氮化层包括氮化硅。
3.根据权利要求2的具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度。
4.根据权利要求3具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为1.8um～2.2um，所述氮化层的厚度为0.2um～0.8um，所述第一氧化层的厚度为0.2um～0.5um。
5.根据权利要求1具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，对所述硬掩膜层进行图案化处理包括：
6.根据权利要求5所述的具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层进行图案化处理之后，以图案化处理后的硬掩膜层为掩膜刻蚀衬底之前，还包括：去除所述图案化光阻。
7.根据权利要求6所述的具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，形成所述栅极沟槽之后还包括：
8.
9.根据权利要求1的具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，所述衬底包括半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层，所述半导体衬底和外延层导电类型相同。
10.根据权利要求1的具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，所述功率器件包括Trench IGBT、Trench VDMOS、Trench超结VDMOS。
...【技术特征摘要】
1.一种具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，第一氧化层和所述第二氧化层均包括teos，所述中间氮化层包括氮化硅。
3.根据权利要求2的具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度。
4.根据权利要求3具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为1.8um～2.2um，所述氮化层的厚度为0.2um～0.8um，所述第一氧化层的厚度为0.2um～0.5um。
5.根据权利要求1具有沟槽型栅极的功率器件的制作方法，其特征在于，对所述硬掩膜层进行图案化处理包括：
6.根据权利要求5所述的具有沟槽型栅极的功率器件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：季康，严强生，陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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