【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、由于电子技术的发展，半导体器件的小型化发展迅速，半导体器件的设计规则正在减少，晶体管的制备工艺已经进入10纳米级别甚至3纳米级别。
2、然而，随着半导体器件尺寸的微缩，接触插塞的尺寸不断减小以及相邻接触之间的距离也不断缩小，在制备过程中，增加了形成断路和短路的风险，对半导体制备工艺提出了更高的要求。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，可以增大接触插塞的制备工艺的窗口，减小接触短路或断路的风险等优点。
2、第一方面，本申请根据一些实施例，提供一种半导体器件，包括：
3、多个位线结构，设置在衬底上，所述多个位线结构中的每个包括位线和位线侧壁保护层，所述位线包括第一半导体层，金属导线层和位线盖层，所述位线侧壁保护层覆盖所述位线的两个侧壁；
4、多个接触插塞，设置在衬底上，所述多个接触插塞位于相邻的所述位线结构之间，所述接触插塞在垂直于衬底的方向上的高度低于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度；
5、多个结合垫，所述多个结合垫位于所述多个接触插塞上，与所述多个接触插塞对应连接，所述多个结合垫在垂直于衬底的方向上的高度高于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度，所述结合垫覆盖部分所述位线结构的顶面，在所述位线结构顶面上断开；
6、其中，所述结合垫包括第一金属材料层和第二金属材料层，所述第二
7、在一些实施例中，所述第二金属材料层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在垂直于衬底的方向上的高度小于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度，所述第二部分在垂直于衬底的方向上的高度大于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度，第一部分和曲率和所述第二部分的曲率不同。
8、在一些实施例中，所述半导体器件，还包括，
9、金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在所述接触插塞和所述结合垫之间。
10、在一些实施例中，所述金属硅化物在垂直于衬底的方向上的高度高于所述金属导线层在垂直于衬底的方向上的高度。
11、在一些实施例中，所述的半导体器件，还包括，
12、绝缘结构，所述绝缘结构填充所述多个结合垫之间，所述绝缘结构在垂直于衬底的方向上的高度等于所述结合垫在垂直于衬底的方向上的高度。
13、第二方面，本申请还根据一些实施例，提供一种半导体器件的制备方法，包括：
14、在衬底上形成多个位线结构，所述多个位线结构中的每个包括位线和位线侧壁保护层，所述位线包括第一半导体层，金属导线层和位线盖层，所述位线侧壁保护层覆盖所述位线的两个侧壁；
15、在衬底上形成多个接触插塞，所述多个接触插塞位于相邻的所述位线结构之间，所述接触插塞在垂直于衬底的方向上的高度低于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度；
16、在所述多个接触插塞上形成多个结合垫，所述多个结合垫位于所述多个接触插塞上，与所述多个接触插塞对应连接，所述多个结合垫在垂直于衬底的方向上的高度高于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度，所述结合垫覆盖部分所述位线结构的顶面，在所述位线结构顶面上断开；
17、其中，所述结合垫包括第一金属材料层和第二金属材料层，所述第二金属材料层位于所述第一金属材料层上，所述第一金属材料层具有l型横截面。
18、在一些实施例中，提供第一半导体结构包括：
19、所述在衬底上形成多个接触插塞包括：
20、在所述多个位线结构之间沉积接触插塞材料层，回刻所述接触插塞材料层，形成所述接触插塞，所述接触插塞在垂直于衬底的方向上的高度低于所述位线在垂直于衬底的方向上的高度。
21、在一些实施例中，在所述多个接触插塞上形成多个结合垫包括：
22、在所述接触插塞和所述位线结构上沉积初始第一金属材料层，所述初始第一金属材料层覆盖所述接触插塞和所述位线结构的表面；
23、在所述初始第一金属材料层的表面沉积初始第二金属材料层，所述初始第二金属材料层在垂直于衬底的方向上的高度高于所述位线在垂直于衬底的方向上的高度，研磨打平所述第二金属材料层；
24、使用第一刻蚀方法刻蚀所述初始第二金属材料层，露出所述初始第一金属材料层；
25、使用第二刻蚀方法刻蚀所述初始第一金属材料层，形成具有l型横截面的所述第一金属材料层。
26、在一些实施例中，在所述多个接触插塞上形成多个结合垫之前还包括：
27、在所述接触插塞上形成金属硅化物层，所述金属硅化物在垂直于衬底的方向上的高度高于所述金属导线层在垂直于衬底的方向上的高度。
28、在一些实施例中，在所述多个接触插塞上形成多个结合垫之后还包括：
29、清洗所述结合垫；
30、在所述多个结合垫之间填充绝缘结构，所述绝缘结构在垂直于衬底的方向上的高度等于所述结合垫在垂直于衬底的方向上的高度。
31、本申请提供的半导体结构及其制备方法至少具有如下有益效果：
32、本申请提供的半导体器件及半导体器件的制备方法，半导体器件中结合垫包括第一金属材料层和第二金属材料层，第二金属材料层位于第一金属材料层上，第一金属材料层具有l型横截面，可以使相邻的结合垫相互断开，防止结合垫形成短路，同时第二金属材料层又不会减小太多而导致结合垫的电阻过大甚至导致结合垫断路。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，还包括，
6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法， 在所述多个接触插塞上形成多个结合垫包括：
9.根据权利要求6-8任一项所述的半导体器件的制备方法，在所述多个接触插塞上形成多个结合垫之前还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，在所述多个接触插塞上形成多个结合垫之后还包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，还包括，
6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，
7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹堪宇，应鹏展，李逛城，谢晨帆，陆丹晨，张新成，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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