本发明专利技术提供具有无机记录膜的光学记录介质，其具有在无机记录膜上的透明导电膜。无机记录膜具有含有钛（Ｔｉ）的第一记录膜和含有锗的氧化物的第二记录膜。透明导电膜设置在第二记录膜侧。透明导电膜含有锡（Ｓｎ）的氧化物。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。特别是，本专利技术涉及具有无机 记录膜的光学记录介质。
技术介绍
近年来，需要能记录大量信息的高密度记录用光学记录介质。例如，为了满足该需求，蓝光光盘(Blue-ray Disc)(注册商标在下文，称为BD) 的标准已经被规范化，并且高清晰度的图像可以被记录并存储在光学记录介 质中。假设通常高清晰度的再现速度为一倍速，则根据该记录类型的BD， 光盘已经可以处理高达二倍速的记录速度。例如，作为适合蓝激光记录的光学记录介质，已经提出了具有无机记录 膜的介质，该无机记录膜由含有锗(Ge)的氧化物的第一记录膜和相邻于该 第一记录膜设置并含有钛(Ti)的第二记录膜构造(例如，参考 JP-A-2006-281751 )。这样的光学记录介质虽然由四层膜形成，但具有很宽的 功率裕度(power margin)和很好的耐久性。然而，未来所需要的是实现更 高的线速度记录。
技术实现思路
为了实现高线速度记录，需要达到高记录灵敏度这样的记录特性。然而， 如果通过优化含有锗(Ge )的氧化物的第一记录膜的氧成分和膜厚度以及含 有钛(Ti)的第二记录膜的膜厚度等来达到高记录灵敏度，则会发生记录功 率裕度变窄的问题。在采用锗(Ge)的氧化物作为记录材料的情况下，因为记录原理根本上 基于热记录，所以记录灵敏度对线速度的依赖性具有一定的预定比率，而例 如功率裕度等记录特性对线速度的依赖性很小。因此，为了在高线速度记录 的同时提高记录灵敏度，即使在低线速度下提高记录灵敏度也是有效的。为 了同时保证很宽的功率裕度，即使在低线速度下也保证很宽的功率裕度的方法变成了改善全部特性的指示(index )。因此，本专利技术的目的是提供可以实现很宽的功率裕度的光学记录介质及 制造该介质的方法。为了解决上面的问题，根据本专利技术的第一专利技术，提供具有无机记录膜的 光学记录介质，其特征在于该光学记录介质包括相邻于无机记录膜的透明导电膜，其中该无机记录膜具有含有钛(Ti)的第一记录膜和含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜，并且透明导电膜设置在第二记录膜侧。根据本专利技术的第二专利技术，提供具有无机记录膜的光学记录介质的制造方 法，其特征在于包括下面的步骤 形成含有钛(Ti)的第一记录膜；形成与第一记录膜相邻并且含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜；以及 形成与第二记录膜相邻的透明导电膜。根据本专利技术，当辐射记录光时，分离出第二记录膜中所含的氧，并且在 第一记录膜和第二记录膜之间的交界面上形成氧含量很大的锗层。就是说， 第二记录膜分成光学常数不同且保存稳定性很高的两个稳定层。因此，当辐 射再现光时，被辐射记录光的部分的反光量与没有被辐射记录光的部分的反 光量之间存在改变，从而获得很好的信号特性。第一记录膜的物理特性在记 录前和记录后基本不变，但可进行适于在与第二记录膜的交界面上促进反应 的所谓催化操作。如上所述，根据本专利技术，因为在无机记录膜和介电膜之间提供了透明导 电膜，所以可以实现很宽的功率裕度。附图说明图1的示意性截面图显示了根据本专利技术第一实施例的光学记录介质的结 构示例；图2的示意性截面图显示了根据本专利技术第二实施例的光学记录介质的结 构示例；图3的曲线图显示了示例1-1至l-6和比较示例1-1的每一个中Sn02膜的厚度与功率裕度之间的关系；图4的曲线图显示了示例2-1至2-5和比较示例2-1的每一个中Sn02膜 的厚度与功率裕度之间的关系；和图5的曲线图显示了示例3-1至3-5和比较示例3-1的每一个中Sn02膜 的厚度与功率裕度之间的关系。具体实施例方式下面将参考附图描述本专利技术的实施例。 (1 )第一实施例 光学记录介质的构造图1的示意性截面图显示了根据本专利技术第 一实施例的光学记录介质的结 构示例。光学记录介质10的结构为在基片1上依次层叠无机记录膜2、透明 导电膜3、介电膜4和透光层5。在才艮据第一实施例的光学记录介质10中，通过从透光层5侧将激光辐 射到无机记录膜2上，执行信息信号的记录和再现。例如，波长范围为400nm 或更大至410nm或更小的激光束由数值孔径范围为0.48或更大至0.86或更 小的物镜会聚，并且从透光层5侧辐射到无机记录膜2，从而执行了信息信 号的记录和/或再现。这样的光学记录介质10可以例举出例如BD-R。(基片)基片l具有环形形状，其中在中心上已经形成开口 (在下文，称为中心 孔)。基片1的一个主平面为凹/凸表面11。无才几记录膜2形成在凹/凸表面 11上。在下文，凹/凸表面11的凹入部分称为槽内Gin，而凸起部分成为槽 上Gon。关于槽内Gin和槽上Gon的形状，例如，可以采用例如螺旋形状或者同 心形状的各种形状。槽内Gin和/或槽上Gon摆动(wobble),以便加入地址 信息。考虑刚度来选择基片1的厚度，优选为0.3mm至1.3mm,更优选为0.6mm 至1.3mm，并且选择为例如l.lmm。另外，中心孔的直径选4奪为例如15mm。关于基片l的材料，例如，可以采用塑料材料或者玻璃。从成本的角度 考虑，优选采用塑料材料。作为塑料材料，例如，可以采用聚碳酸酯类树脂、 聚烯烃类树脂或丙烯酸类树脂(无^/L记录膜)无机记录膜2由依次层叠在基片1的凹/凸表面11上的第一记录膜2a 和第二记录膜2b构造。第一记录膜2a设置在基片l的凹/凸表面ll侧。第 二记录膜2b设置在透明导电膜3側。第一记录膜2a含有钛(Ti)作为主要成分。另外，从改善功率裕度的 角度看，优选第一记录膜2a含有低导热率金属作为添加剂，例如锰(Mn)、 锆(Zr)或者铪(Hf)。从改善功率裕度的角度看，低导热率金属含量的范 围为优选1至40原子％，更优选2至30原子％,再优选5至28原子％。 从调整记录灵敏度的角度看，还优选第一记录膜2a含有少量的氮(N)。第 一记录膜2a的厚度的范围优选为10至50nm。第二记录膜2b含有锗(Ge)的氧化物作为主要成分。第二记录膜2b 中锗(Ge)的氧化物的含量的范围优选为88至97原子％,更优选为90至 97原子％,再优选90至95原子％。从改善耐用性的角度看，还优选第二记 录膜2b含有锡(Sn)作为添加剂。第二记录膜2b中锡(Sn)的含量的范围 优选为3至12原子％,更优选为3至10原子％,再优选为5至10原子％。 这是因为如果锡(Sn)的含量等于或大于3原子％，则可以获得极好的耐久 性，而如果等于或小于12原子％,则可以获得极好的信号特性。另外，如 果第一记录膜2a含有钛(Ti )作为主要成分，并且第二记录膜2b含有锗(Ge ) 的氧化物作为主要成分，则通常可以获得好的记录特性。从改善调制度和信噪比(在下文，称为C/N比)等的角度看，第二记录 膜2b的吸收系数k的范围优选为0.15或更大到0.90或更小，更优选为0.20 或更大至0.70或更小，再优选为0.25或更大至0.6或更小。此外，第二记录 膜2b的厚度的范围优选为10至35nm。另外，说明书中的吸收系数k是在410nm波长测得的值。吸收系H k 可以采用偏振光椭圆率测量仪(由Rudolph Co.制造，商品名Auto EL-462P17)以如下方式获得。由偏振光椭圓率测量仪测得椭圓偏振的位相 度A和由椭圆的振幅/强度之比获得的正切甲。根据通过表面仿形铣床(su本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有无机记录膜的光学记录介质，其特征在于， 所述光学记录介质包括相邻于所述无机记录膜的透明导电膜， 其中所述无机记录膜具有 含有钛（Ｔｉ）的第一记录膜；和 含有锗（Ｇｅ）的氧化物的第二记录膜，并且 所述透明导电膜设置在所述第二记录膜一侧。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：酒井武光，池田悦郎，佐飞裕一，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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