System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法技术_技高网

一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法技术

技术编号:44187394 阅读:0 留言:0更新日期:2025-02-06 18:28
本发明专利技术提供了一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,包括以下步骤:S1、配方准备;S2、混合;S3、沉淀与澄清;S4、过滤纯化;S5、性能测试;S6、应用于研磨。本发明专利技术的团聚研磨液在用于蓝宝石LED芯片背减工艺中具有以下优点:提高悬浮性和粘度:通过添加增稠剂(如卡波姆、CMC等),增强了液体的悬浮性,减少磨料在研磨过程中的沉淀,确保了磨料的均匀分布;便捷的工艺替代:该工艺使用树脂蜂窝垫搭配团聚悬浮液,取代了传统的铜盘工艺,降低了铜盘修正周期及时间成本,提高了生产效率;提升去除率:由于增稠剂的使用,磨料在研磨过程中不易甩出,从而提高了团聚粉体的利用率,确保更有效的加工效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及研磨液,更具体地说,涉及一种用于蓝宝石led芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法。


技术介绍

1、蓝宝石led芯片背减工艺是指在生产蓝宝石基底的led芯片时,针对其背面进行处理的一种工艺,该工艺的主要目的是通过削薄蓝宝石基底,减小其厚度,从而提高光提取效率和降低材料成本;团聚研磨液是一种用于研磨和抛光材料的液体,特别是在半导体、光电子以及其他高精度制造领域中广泛应用,它的主要作用是通过悬浮磨料颗粒来实现材料表面的精细加工;在蓝宝石led芯片的背减工艺中,通常会使用类多晶研磨液和团聚研磨液。

2、蓝宝石衬底减薄常规工艺是铜盘搭配类多晶研磨液单面研磨,但铜盘存在受热变形大,磨损快,修整的时间无法生产等问题,使得蓝宝石衬底加工的成本无法继续降低,产能的提升也只能依赖增加设备和场地。

3、本专利技术的树脂蜂窝垫搭配团聚悬浮液,完美替代铜盘工艺,该工艺便捷,更换垫子时间短,帮助客户提升修铜盘的时间利用率,提高产能。特别的,单面磨团聚液中增加卡波姆,cmc等增稠剂,提高液体的悬浮性和粘度,保证在双面研磨过程中团聚磨料不甩出,提高去除率。


技术实现思路

1、本专利技术旨在于解决上述
技术介绍
提出的技术问题,本专利技术提供如下技术方案:一种用于蓝宝石led芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,包括以下步骤:

2、s1、配方准备:选择合适的磨料并进行预处理,添加增稠剂以提高液体的悬浮性和粘度;

3、s2、混合:将磨料、增稠剂和其他添加剂按照一定比例混合,使用搅拌设备确保均匀分散,避免团聚现象,得到混合液;

4、s3、沉淀与澄清:让混合液静置一段时间,以去除气泡和不溶物,确保液体清澈;

5、s4、过滤纯化:对沉淀和澄清后的混合液进行过滤,以去除剩余的不溶物和杂质,确保得到足够纯度和均匀性的团聚研磨液;

6、s5、性能测试:对研磨液进行性能测试,包括磨料分布、粘度、ph值等指标,以确保其符合工艺要求;

7、s6、应用于研磨:将制备好的团聚研磨液应用于蓝宝石led芯片的背减工艺中,并采用树脂蜂窝垫搭配团聚悬浮液,完美替代铜盘工艺,该工艺便捷,更换垫子时间短,帮助客户提升修铜盘的时间利用率,提高产能。

8、在本专利技术的一个实施例中,在s1中,所述磨料选自氧化铝、碳化硅、立方氮化硼和金刚石团聚粉中的一种或多种。

9、在本专利技术的一个实施例中,在s1中,所述增稠剂选自卡波姆、羧甲基纤维素钠、黄原胶和聚乙烯醇中的一种或多种。

10、在本专利技术的一个实施例中,在s1中,准备步骤具体如下:

11、s1、按照所选磨料的性质进行干燥和筛分,确保颗粒均匀且无水分或杂质,将预处理好的磨料按所需比例称量备用;

12、s2、称取所需量的增稠剂,将增稠剂慢慢加入到预先准备的水相中,使用搅拌器保持均匀搅拌,防止结块,继续搅拌直至增稠剂完全溶解,形成均匀的粘稠液体。

13、在本专利技术的一个实施例中,在s2中,所述添加剂选自分散剂、防腐剂和抗氧化剂中的一种或多种。

14、在本专利技术的一个实施例中,在s2中,混合步骤具体如下:

15、s1、将预处理后的磨料逐步加入到增稠剂溶液中,边加边搅拌,确保磨料完全分散,根据需要调整粘度,可以适量增加增稠剂的用量,或添加水以达到理想的流动性;

16、s2、使用ph计检测研磨液的ph值,根据需要可加少量酸或碱进行调整,以获得最佳的稳定性和性能;

17、s3、最终混合:将混合物经过细致搅拌,确保所有成分均匀分布,得到混合液。

18、在本专利技术的一个实施例中,在s3中,沉淀步骤具体如下:

19、s1、将混合液倒入透明的容器中,放置在温度稳定、无振动的环境中,推荐的静置时间通常为30分钟至数小时;

20、s2、在静置过程中,定期检查混合液的上层是否出现气泡消失,以及底部是否有沉淀物的形成。

21、在本专利技术的一个实施例中,在s3中,澄清步骤具体如下:

22、s1、静置后,使用透明容器观察混合液的上层是否已经变得清澈,若发现仍有悬浮物,可考虑延长静置时间;

23、s2、如果混合液的上层已清澈,而底部有沉淀物,轻轻倾斜容器,尽量避免搅动沉淀,可以小心倒出清澈部分,留下沉淀物。

24、在本专利技术的一个实施例中,在s4中,过滤纯化步骤具体如下:

25、s1、将沉淀和澄清后的混合液缓慢倒入过滤设备中,确保液体均匀流动,以提高过滤效率;

26、s2、可以使用滤布、滤纸、或专用的过滤器进行过滤,将混合液通过过滤器,以确保去除所有不溶物;

27、s3、收集过滤后的液体,确保没有杂质残留在过滤介质上,再对滤液进行检查,确保其清澈且无杂质,如果有必要,可以重复过滤以进一步提高纯度。

28、在本专利技术的一个实施例中,在s5中,所述性能测试分别采用激光粒度仪检测粒度分布、使用粘度计测量粘度和ph计监测酸碱度。

29、有益效果

30、本专利技术的团聚研磨液在用于蓝宝石led芯片背减工艺中具有以下优点:

31、提高悬浮性和粘度:通过添加增稠剂(如卡波姆、cmc等),增强了液体的悬浮性,减少了磨料在研磨过程中的沉淀,确保了磨料的均匀分布;

32、便捷的工艺替代:该工艺使用树脂蜂窝垫搭配团聚悬浮液,取代了传统的铜盘工艺,降低了更换垫子的时间成本,提高了生产效率;

33、提升去除率:由于增稠剂的使用,磨料在研磨过程中不易甩出,从而提高了去除率,确保更有效的加工效果;

34、高纯度与均匀性:经过沉淀、澄清与过滤的步骤,确保了团聚研磨液的高纯度和均匀性,减少了杂质对研磨效果的影响;

35、性能可控:通过对粘度、ph值等性能指标的检测与调整,可以根据不同需求优化研磨液的性能,确保其满足特定的工艺要求;

36、减少气泡和沉淀:静置与澄清步骤可以有效去除气泡和不溶物,保证最终产品的质量;

37、环境友好:研磨液的成分可以选择环保型材料,有助于减少对环境的影响。

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【技术保护点】

1.一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S1中,所述磨料选自氧化铝、碳化硅、立方氮化硼和金刚石团聚粉中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S1中,所述增稠剂选自卡波姆、羧甲基纤维素钠、黄原胶和聚乙烯醇中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S1中,准备步骤具体如下:

5.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S2中,所述添加剂选自分散剂、防腐剂和抗氧化剂中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S2中,混合步骤具体如下:

7.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S3中,沉淀步骤具体如下:

8.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S3中,澄清步骤具体如下:

9.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S4中,过滤纯化步骤具体如下:

10.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石LED芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在S5中,所述性能测试分别采用激光粒度仪检测粒度分布、使用粘度计测量粘度和pH计监测酸碱度。

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【技术特征摘要】

1.一种用于蓝宝石led芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石led芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在s1中,所述磨料选自氧化铝、碳化硅、立方氮化硼和金刚石团聚粉中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石led芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在s1中,所述增稠剂选自卡波姆、羧甲基纤维素钠、黄原胶和聚乙烯醇中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石led芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在s1中,准备步骤具体如下:

5.根据权利要求1所述的一种用于蓝宝石led芯片背减工艺的团聚研磨液加工方法,其特征在于,在s2中,所述添加剂选自分散剂、防腐剂和抗氧化剂中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:李浩杰陈斌陶阳袁高龙李黎明
申请(专利权)人:中机半导体材料深圳有限公司
类型:发明
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