一种芯片封装结构及封装体制造技术

本申请提供一种芯片封装结构和封装体，所述芯片包括焊接区，所述焊接区包括多个子焊接区，所述子焊接区围绕所述焊接区的中心点设置且相交于所述中心点，每个所述子焊接区设置至少一个焊点，所述焊点与所述中心点的距离为所述焊接区长度或者宽度值的1/6至1/2；第一键合线，所述第一键合线串联多个所述焊点。本申请通过围绕所述焊接区的中心点设置多个子焊接区，使得多个焊点围绕焊接区中心点沿环形排列，实现多个焊点在焊接区内的均匀分布，起到均匀分散浪涌电流的效果，通过使焊点靠近焊接区边缘设置，便于增设焊点，增加焊点接触面积，从而改善芯片的浪涌能力和VF。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体设备，特别涉及一种芯片封装结构及封装体。

技术介绍

1、电子元件工作时，经常会因为输入开关切换、瞬间启动或其它电压/电流感应源的影响产生瞬间电流浪涌，电子元件能够承受此瞬间电流浪涌的最大值ifsm是关乎器件能否安全使用的参数，正向导通压降vf是电子元件正向导通时两端的压降，是衡量电子元件的正向导通性能的重要参数，一般应用状况下，此正向压降愈小愈好。随着电子产品的不断发展，对芯片的工作安全性和可靠性要求也越来越高，而改善芯片的浪涌电流能力以及正向导通性能是其中的重要环节。

技术实现思路

1、本申请的目的是提高芯片的浪涌电流能力以及减小正向导通压降。

2、本申请实施例提供一种芯片封装结构，包括：芯片，所述芯片包括焊接区，所述焊接区包括多个子焊接区，所述子焊接区围绕所述焊接区的中心点设置且相交于所述中心点，每个所述子焊接区设置至少一个焊点，所述焊点与所述中心点的距离为所述焊接区长度或者宽度值的1/6至1/2；第一键合线，所述第一键合线串联多个所述焊点。

3、在本申请的一些实施例中，所述焊点与所述焊接区边缘的间距等于所述焊接区的长度或者宽度与所述第一键合线直径的1至5倍的差值。

4、在本申请的一些实施例中，所述焊点相对所述焊接区的中心点对称。

5、在本申请的一些实施例中，所述焊点与所述焊接区的边缘的间距相等。

6、在本申请的一些实施例中，所述焊点与所述中心点的距离相等。

7、在本申请的一些实施例中，多个所述焊点中的部分或全部两两相互搭接。

8、在本申请的一些实施例中，其特征在于，所述焊点的截面为规则形状，所述截面的长度尺寸为所述第一键合线截面尺寸的1至5倍，所述截面的宽度尺寸为所述第一键合线截面尺寸的1至3倍。

9、在本申请的一些实施例中，还包括至少一根第二键合线，所述第二键合线第一端与所述第一键合线连接，所述第二键合线的第二端与集中焊合端连接。

10、在本申请的一些实施例中，第二键合线与所述第一键合线的连接点分别为所述焊点。

11、本申请实施例还提供一种封装体，所述封装体包括连接载体和一个或多个所述芯片封装结构，所述连接载体用于连接电子元器件，所述芯片封装结构与所述连接载体电连接。

12、在本申请的一些实施例中，所述连接载体为端子、基座或引线框架。

13、本申请提供的芯片封装结构的有益效果包括但不限于以下：

14、1.本申请提供的一种芯片封装结构，通过在焊接区内围绕中心点设置多个子焊接区，并在所述子焊接区内设置焊点，使得多个焊点围绕焊接区中心点沿环形排列，从而实现多个焊点在焊接区内的均匀分布，通过将所述焊点与焊接区中心点的距离设置为所述焊接区长度或者宽度值的1/6至1/2，使焊点位置靠近焊接区边缘，以便能够增加焊点数量，从而增加焊点接触面积，提高芯片的浪涌能力，同时降低芯片的正向导通压降vf。

15、2.通过设置多根与第一键合线连接的第二键合线，使通过芯片的电流通过多根第二键合线传导至第一键合线，对浪涌电流起到有效的分流作用，从而提高浪涌电流的阈值，改善芯片的vf。

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【技术保护点】

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点与所述焊接区边缘的间距等于所述焊接区的长度或者宽度与所述第一键合线直径的1至5倍的差值。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点相对所述焊接区的中心点对称。

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点与所述焊接区的边缘的间距相等。

5.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点与所述中心点的距离相等。

6.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，多个所述焊点中的部分或全部两两相互搭接。

7.根据权利要求1至6任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点的截面为规则形状，所述截面的长度尺寸为所述第一键合线截面尺寸的1至5倍，所述截面的宽度尺寸为所述第一键合线截面尺寸的1至3倍。

8.根据权利要求1至6任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括至少一根第二键合线，所述第二键合线第一端与所述第一键合线连接，所述第二键合线的第二端与集中焊合端连接。</p>

9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，第二键合线与所述第一键合线的连接点分别为所述焊点。

10.一种封装体，其特征在于，所述封装体包括连接载体和一个或多个如权利要求1至9任一项所述的芯片封装结构，所述连接载体用于连接电子元器件，所述芯片封装结构与所述连接载体电连接。

11.根据权利要求10所述的封装体，其特征在于，所述连接载体为端子、基座或引线框架。

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【技术特征摘要】

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点与所述焊接区边缘的间距等于所述焊接区的长度或者宽度与所述第一键合线直径的1至5倍的差值。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点相对所述焊接区的中心点对称。

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点与所述焊接区的边缘的间距相等。

5.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点与所述中心点的距离相等。

6.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，多个所述焊点中的部分或全部两两相互搭接。

7.根据权利要求1至6任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊点的截面为规则形...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，潘伟，吴轲，
申请(专利权)人：飞锃半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：