【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体器件，尤其涉及一种整流器件、功率模块及电子设备。
技术介绍
1、功率模块是一种将多个元件集成于一体的整体结构，其中，封装工艺直接影响功率模块的电学性能及可靠性。
2、相关技术中，功率模块的封装多采用硅胶灌封的形式，然而这种封装形式在耐高温性能以及防水性能等方面仍有不足。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种整流器件、功率模块及电子设备，整流器件能够提供一种集成度高的互连结构，并且这种互连结构具有较强的防水性能。
2、第一方面，本申请实施例提供一种整流器件，整流器件包括承载基板、封装部及固定部，承载基板包括衬底、第一导电层与第二导电层，第一导电层与第二导电层同层设置于衬底，第一导电层用于连接功率器件，第二导电层用于连接连接端子，第一导电层与第二导电层通过连接件互连；封装部与承载基板连接且至少覆盖第一导电层与第二导电层设置，封装部为环氧树脂固化物；固定部与封装部连接设置，整流器件通过固定部与散热件连接。
3、在一些实施例中，整流器件还包括安装支架，安装支架设置于第二导电层，安装支架开设有插孔以周向固定连接端子。
4、在一些实施例中，安装支架在第一方向上的长度大于封装部在第一方向上的长度以暴露插孔。
5、在一些实施例中，连接件包括载流体以及两个接电端子，两个接电端子分别连接第一导电层与第二导电层并且通过载流体互连。
6、在一些实施例中，载流体具有拱起部，沿第一方向，拱起部的底面高于任一接电端子的顶面
7、在一些实施例中，封装部包括与承载基板连接的第一基体，第一基体覆盖衬底且包覆第一导电层及第二导电层。
8、在一些实施例中，封装部还包括两个第二基体，固定部嵌入第二基体，两个第二基体沿第二方向分设于第一基体的两侧，沿远离第一基体的方向，第二基体在第一方向上的长度逐渐减小。
9、在一些实施例中，承载基板还包括传热层，传热层设置于衬底背离第一导电层与第二导电层的一侧，传热层与衬底固定连接。
10、第二方面，本申请实施例提供了一种功率模块，功率模块包括散热件、功率器件、连接端子以及前述任一项实施例所提供的整流器件，其中，功率器件与第一导电层电连接，连接端子与第二导电层电连接，功率器件与连接端子通过整流器件实现互连，散热件通过固定部与整流器件连接。
11、第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，电子设备包括前述任一实施例所提供的功率模块。
12、本申请实施例的整流器件采用环氧树脂替代传统封装结构中的硅凝胶，环氧树脂固化后形成封装部，承载基板与固定部能够通过封装部形成为一体结构，提升整流器件的防水防渗性能。区别于传统封装结构中以壳体作为承载框架的硅凝胶，封装部缩短了传热路径以改善散热性能，且环氧树脂具有相比硅凝胶更优的耐高温性能。
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1.一种整流器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述整流器件还包括安装支架，所述安装支架设置于所述第二导电层，所述安装支架开设有插孔以周向固定连接端子。
3.根据权利要求2所述的整流器件，其特征在于，所述安装支架在第一方向上的长度大于所述封装部在第一方向上的长度以暴露所述插孔。
4.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述连接件包括载流体以及两个接电端子，两个所述接电端子分别连接所述第一导电层与所述第二导电层并且通过所述载流体互连。
5.根据权利要求4所述的整流器件，其特征在于，所述载流体具有拱起部，沿第一方向，所述拱起部的底面高于任一所述接电端子的顶面。
6.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述封装部包括与所述承载基板连接的第一基体，所述第一基体覆盖所述衬底且包覆所述第一导电层及所述第二导电层。
7.根据权利要求6所述的整流器件，其特征在于，所述封装部还包括两个第二基体，所述固定部嵌入所述第二基体，两个所述第二基体沿第二方向分设于所述第一基体的两侧，沿远离
8.根据权利要求1至7任一项所述的整流器件，其特征在于，所述承载基板还包括传热层，所述传热层设置于所述衬底背离所述第一导电层与所述第二导电层的一侧，所述传热层与所述衬底固定连接。
9.一种功率模块，其特征在于，包括：
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的功率模块。
...【技术特征摘要】
1.一种整流器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述整流器件还包括安装支架，所述安装支架设置于所述第二导电层，所述安装支架开设有插孔以周向固定连接端子。
3.根据权利要求2所述的整流器件，其特征在于，所述安装支架在第一方向上的长度大于所述封装部在第一方向上的长度以暴露所述插孔。
4.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述连接件包括载流体以及两个接电端子，两个所述接电端子分别连接所述第一导电层与所述第二导电层并且通过所述载流体互连。
5.根据权利要求4所述的整流器件，其特征在于，所述载流体具有拱起部，沿第一方向，所述拱起部的底面高于任一所述接电端子的顶面。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李光，金文慧，
申请(专利权)人：瑞能微恩半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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