【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体激光器。
技术介绍
1、具有掩埋异质结构(bh)的半导体激光器提供优异的功率特性和可靠性。由于对台面结构的较大的光学约束系数，bh可以使输出光的纵横比接近1。此外，通过加宽台面宽度，可以减小多量子阱(mqw)的电流密度，从而实现更高的功率输出和更高的可靠性。
2、当对台面结构的光学限制系数较大时，近场图案(nfp)的面积较小，由此远场图案(ffp)的扩散角变得较大，从而导致光耦合容限降低。此外，当台面宽度超过高阶横向模式截止宽度时，出现横向高阶模式，从而导致光耦合效率降低，由此功率输出降低。
3、在一些情况下，n-inp缓冲层和n-ingaasp引导层设置在台面结构下方。设置n-ingaasp引导层以填充衍射光栅。衍射光栅是对光学性质具有非常大影响的主要元件，具体地，其确定作为光的耦合系数的κ。因此，除了考虑κ的必要性之外，设计n-ingaasp引导层的灵活性较小。此外，由于n-inp缓冲层薄至30nm，因此其下方的n-ingaasp引导层可能增加对台面结构的光学限制系数，从而截止宽度可能变窄。
技术实现思路
1、本公开改进了半导体激光器的输出特性和可靠性。
2、在一些实施方式中，半导体激光器包括：多量子阱层，其被包括在台面结构中；掩埋层，其包括半绝缘半导体，所述掩埋层与所述台面结构的两侧中的每一侧接触；第一包覆层，其具有第一导电类型，所述第一包覆层在所述台面结构和所述掩埋层的下方，所述第一包覆层具有比所述多量子阱层更低的折射
3、具有高折射率的高折射率层扩展了光的分布。因此，高阶横向模式截止宽度变大，nfp的面积变大，并且ffp的扩散角变小，由此改善了输出特性和可靠性。
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1.一种半导体激光器，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第二包覆层位于所述掩埋层上。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其中所述台面结构位于成对的凹槽之间，所述成对的凹槽穿过所述掩埋层和所述第一包覆层延伸到所述衬底。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第三包覆层具有比所述多量子阱层更低的折射率。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第一包覆层的一部分被包括在所述台面结构中。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述高折射率层具有比所述多量子阱层更低的折射率。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述高折射率层包括以下项中的至少一项：InGaAsP、InGaAs或InGaAlAs。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述衬底、所述掩埋层、所述第一包覆层、所述第二包覆层或所述第三包覆层中的至少一者包括InP。
9.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述高折射率层被配置为具有成分波长，所述成分波长比所述半导体激光器的振荡波
10.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述衍射光栅层被配置为衍射在所述多量子阱层中振荡的光。
11.根据权利要求1所述的半导体激光器，还包括：
12.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第一包覆层具有500nm或更大的厚度。
13.根据权利要求12所述的半导体激光器，其中所述第一包覆层的厚度为1500nm或更小。
14.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述高折射率层具有50nm或更大的厚度。
15.根据权利要求14所述的半导体激光器，其中所述高折射率层的厚度为100nm或更小。
16.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中：
17.根据权利要求16所述的半导体激光器，其中所述多个第一包覆层具有不同的厚度，
18.根据权利要求16所述的半导体激光器，其中所述多个高折射率层包括上部层和下部层，
19.根据权利要求16所述的半导体激光器，其中所述多个高折射率层包括最上层、最下层、以及至少一个中间层，所述至少一个中间层位于所述最上层和最下层之间，
20.一种半导体激光器，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第二包覆层位于所述掩埋层上。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其中所述台面结构位于成对的凹槽之间，所述成对的凹槽穿过所述掩埋层和所述第一包覆层延伸到所述衬底。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第三包覆层具有比所述多量子阱层更低的折射率。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第一包覆层的一部分被包括在所述台面结构中。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述高折射率层具有比所述多量子阱层更低的折射率。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述高折射率层包括以下项中的至少一项：ingaasp、ingaas或ingaalas。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述衬底、所述掩埋层、所述第一包覆层、所述第二包覆层或所述第三包覆层中的至少一者包括inp。
9.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述高折射率层被配置为具有成分波长，所述成分波长比所述半导体激光器的振荡波长的中心更短。
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