【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及具有高台面脊结构且在半导体层表面具备绝缘膜的半导体光集成元件。
技术介绍
1、在指代中继局与用户之间的光通信系统的接入网中，作为集成适合高速调制的电吸收型调制器(electro－absorption modulator：eam)和分布反馈半导体激光器(distributed feedback laser diode：dfb－ld或者dfb激光器)等输出单一波长的光的半导体激光器而成的半导体光集成元件，使用电吸收型调制器集成型半导体激光器(electro－absorption modulator integrated laser：eml)。
2、由于半导体光集成元件可以在高温高湿环境下使用，所以通常主要为了确保耐湿性而在半导体层表面设置表面保护膜。在形成表面保护膜时，为了确保覆盖性而实施表面保护膜的厚膜化，另外，表面保护膜的厚膜化还具有降低构成表面保护膜的绝缘膜的绝缘膜电容的效果。特别是在具有形成有3μm以上的凹凸的高台面脊结构的半导体光集成元件中，由于高台面脊结构的侧壁部难以被覆盖，所以存在为了确保覆盖性而需要厚膜化的情况。另一方面，表面保护膜的厚膜化由于伴随膜应力的增大，所以存在产生表面保护膜的剥离以及浮起的情况。另外，由于在进行表面保护膜的成膜后的制造过程的热处理等中也存在产生膜质变化的情况，所以存在表面保护膜的剥离以浮起的担忧。
3、日本特开昭61－112386号公报中公开了通过三层结构的绝缘膜实现表面保护膜的厚膜化的技术，但未考虑向具有高台面脊结构的半导体光集成元件的应用，不能充分地解决
4、专利文献1：日本特开昭61－112386号公报
5、就具有高台面脊结构的半导体光集成元件而言，与半导体层表面相比，难以在高台面脊结构的侧壁进行表面保护膜的成膜，为了确保覆盖性，而需要表面保护膜的进一步的厚膜化。另一方面，由于伴随表面保护膜的进一步的厚膜化，表面保护膜的应力也增大，所以表面保护膜的剥离以及浮起的担忧进一步提高。因此，在形成具有高台面脊结构的半导体光集成元件的表面保护膜时，存在如下课题：在确保覆盖性与担忧表面保护膜的剥离以及浮起之间需要权衡。
技术实现思路
1、本公开是为了解决上述那样的课题而完成的，用于获得在形成对高台面脊结构也具有覆盖性的表面保护膜的同时抑制了表面保护膜从半导体层的剥离以及浮起的半导体光集成元件。
2、一种半导体光集成元件，具备：inxga1－xasyp1－y(0≤x≤1，0≤y≤1)层，形成于具有高台面脊结构的半导体层叠体的最表面；第一氮化膜，通过cvd法或者ald法形成在inxga1－xasyp1－y(0≤x≤1，0≤y≤1)层之上；绝缘中间膜，在第一氮化膜之上由高分子化合物层或者通过cvd法形成的绝缘膜构成，且具有以上的膜厚；以及第二氮化膜，是在绝缘中间膜之上使用cvd法形成的膜厚为以上的氮化膜或者使用ald法形成的膜厚为以上的氮化膜。
3、根据本公开，能够形成具备用于确保覆盖性和紧贴性的第一氮化膜、担负覆盖性和表面保护膜的厚膜化的绝缘中间膜、以及担负耐湿性的第二氮化膜的表面保护膜。因此，能够提供具备在具有覆盖性的同时抑制了剥离以及浮起的表面保护膜的具有高台面脊结构的半导体光集成元件。
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1.一种半导体光集成元件，其中，
2.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其中，
3.根据权利要求1或者2所述的半导体光集成元件，其中，
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体光集成元件，其中，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体光集成元件，其中，
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体光集成元件，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体光集成元件，其中，
2.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其中，
3.根据权利要求1或者2所述的半导体光集成元件，其中，
4.根据权利要求1～...
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