【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体加工，具体涉及一种下电极组件及半导体工艺腔室。
技术介绍
1、半导体工艺腔室主要包括上电极组件、下电极组件及腔室主体，其中下电极组件作为主要的射频馈入结构，可激发气体形成等离子体并控制等离子体的运动方向。基座为下电极组件中的核心部件，基座的其中一个重要功能即为分区加热功能，利用不同区域的温度可单独控制或调整工艺中晶圆不同区域的工艺速率及均匀性。由于下电极组件为射频环境，故需要使用滤波器滤除半导体工艺腔室内的射频功率，防止射频进入基座的加热电源内影响加热电源的使用。
2、现有技术中，滤波器通过线缆分别与基座的多个加热区电连接，以防止射频进入基座的加热电源内。但是，由于滤波器设置在射频馈入模块的一侧且所有线缆均集中在滤波器上，导致形成单侧集中馈入的情况，这样，在半导体工艺腔室的使用过程中，线缆之间射频互相耦合的情况严重，因此易导致工艺均匀性较差。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种下电极组件及半导体工艺腔室，能够解决相关技术中半导体工艺腔室在使用过程中线缆之间射频互相耦合的情况严重而导致工艺均匀性较差的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种下电极组件，用于设置于半导体工艺腔室的腔室主体内，所述下电极组件包括：
3、基座，设置有加热层，所述加热层包括至少两个加热区；
4、至少两个转接部，与所述至少两个加热区一一对应；
5、至少两个滤波器，与所述至少两个加热区一一对应，且各所述滤波器与对应的所述加热
6、第二方面，本申请实施例还提供一种半导体工艺腔室，包括腔室主体、上电极组件和上述下电极组件，所述下电极组件设置于所述腔室主体内，所述上电极组件、所述腔室主体和所述下电极组件相连接围成工艺空间。
7、在本申请实施例中，下电极组件设置于半导体工艺腔室的腔室主体内，即下电极组件的基座和滤波器均设置于半导体工艺腔室的腔室主体内，滤波器与加热区通过转接部电连接，这样，可以有效缩短滤波器与基座之间的距离，进而可以有效缩短滤波器与基座的加热区之间的转接部的长度，从而可以有效降低转接部之间的射频互相耦合的程度；并且，下电极组件包括至少两个滤波器，至少两个滤波器与至少两个加热区一一对应，各滤波器与对应的加热区通过对应的转接部电连接，这样，可以使每个加热区均单独配备一个滤波器，以有效避免转接部集中分布，进而可以避免出现单侧集中馈入的情况，从而可以进一步地降低转接部之间的射频相互耦合的程度。如此，有利于提高工艺速率的一致性，从而可以避免出现工艺偏心及工艺均匀性较差的情况。
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1.一种下电极组件，其特征在于，用于设置于半导体工艺腔室的腔室主体（900）内，所述下电极组件包括：
2.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括下电极接口盘（500），所述下电极接口盘（500）设置于所述基座（100）的下方，所述滤波器（200）与所述下电极接口盘（500）连接，且所述滤波器（200）的滤波连接部（210）穿过所述下电极接口盘（500）与所述转接部（220）电连接。
3.根据权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，所述加热区（111）设置有正极馈入点（1111）和负极馈入点（1112）；
4.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，属于同一所述转接部（220）中的所述正极转接件（2201）与所述负极转接件（2202）在所述加热层（110）上的正投影的长度相同，且属于同一所述转接部（220）中的所述正极转接件（2201）和所述负极转接件（2202）在所述加热层（110）上的正投影关于所述正极馈入点（1111）和所述负极馈入点（1112）连线的中垂线对称。
5.根据权利要求3所述的下电极组件
6.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，所述转接件（2200）的两端分别设置有第一连接件（221）和第二连接件（222），所述第一连接件（221）位于所述转接件（2200）的上方并与所述加热区（111）电连接，所述第二连接件（222）位于所述转接件（2200）的下方并与所述滤波器（200）电连接，所述第一连接件（221）为第一插针，所述第二连接件（222）与所述滤波器（200）中的一者包括第二插针（211），另一者包括与所述第二插针（211）相插接的插座。
7.根据权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括用于支撑所述基座（100）的基座接口盘（600），所述基座接口盘（600）上设置有多个限位槽（610），各所述转接件（2200）分别位于各所述限位槽（610）内，各所述第一连接件（221）的一端穿过所述基座接口盘（600）伸入所述基座（100）内，各所述第二连接件（222）的一端伸出所述限位槽（610），且所述转接件（2200）与所述基座接口盘（600）通过固定件（620）连接。
8.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括冷却装置（800），所述冷却装置（800）分别与各所述滤波器（200）连接，并用于对各所述滤波器（200）降温。
9.根据权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，各所述滤波器（200）均包括滤波壳体和设置于所述滤波壳体内的滤波元件，所述滤波元件用于与所述转接部（220）和加热电源电连接，所述滤波壳体上设置有进风口（230）；
10.根据权利要求9所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括射频馈入模块（300），所述至少两个滤波器（200）沿所述射频馈入模块（300）的周向环绕所述射频馈入模块（300）分布，所述风冷进风件（820）为环状结构，所述风冷进风件（820）环绕所述射频馈入模块（300）设置。
11.根据权利要求9所述的下电极组件，其特征在于，所述风冷进风件（820）包括风冷基体（821）和风冷盖板（822），所述风冷基体（821）上设置有进风槽，各所述出风口（824）均设置于所述风冷基体（821）的侧壁上并与所述进风槽连通，所述风冷盖板（822）与所述风冷基体（821）连接并封闭所述进风槽的槽口，以形成所述进风腔（823）。
12.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室主体（900）、上电极组件（1000）和权利要求1-11任一项所述的下电极组件，所述下电极组件设置于所述腔室主体（900）内，且所述上电极组件（1000）、所述腔室主体（900）和所述下电极组件相连接围成工艺空间。
...【技术特征摘要】
1.一种下电极组件，其特征在于，用于设置于半导体工艺腔室的腔室主体（900）内，所述下电极组件包括：
2.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括下电极接口盘（500），所述下电极接口盘（500）设置于所述基座（100）的下方，所述滤波器（200）与所述下电极接口盘（500）连接，且所述滤波器（200）的滤波连接部（210）穿过所述下电极接口盘（500）与所述转接部（220）电连接。
3.根据权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，所述加热区（111）设置有正极馈入点（1111）和负极馈入点（1112）；
4.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，属于同一所述转接部（220）中的所述正极转接件（2201）与所述负极转接件（2202）在所述加热层（110）上的正投影的长度相同，且属于同一所述转接部（220）中的所述正极转接件（2201）和所述负极转接件（2202）在所述加热层（110）上的正投影关于所述正极馈入点（1111）和所述负极馈入点（1112）连线的中垂线对称。
5.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，所述转接件（2200）为刚性结构。
6.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，所述转接件（2200）的两端分别设置有第一连接件（221）和第二连接件（222），所述第一连接件（221）位于所述转接件（2200）的上方并与所述加热区（111）电连接，所述第二连接件（222）位于所述转接件（2200）的下方并与所述滤波器（200）电连接，所述第一连接件（221）为第一插针，所述第二连接件（222）与所述滤波器（200）中的一者包括第二插针（211），另一者包括与所述第二插针（211）相插接的插座。
7.根据权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括用于支撑所述基座（100）的基座接口盘（600），所述基座接口...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶琦，邓雅天，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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