【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于钕铁硼磁体的扩散源及其制备方法和磁体的处理方法。
技术介绍
1、钕铁硼永磁材料具有较高的矫顽力和剩磁。晶界扩散技术能够提高钕铁硼永磁材料的磁性能。
2、cn118675837a公开了一种稀土永磁材料的制备方法，将重稀土浆料设置在第一永磁材料的第一表面上，重稀土浆料包括铜粉、重稀土合金粉、环氧树脂胶水和溶剂；对第一永磁材料的第一表面上重稀土浆料进行固化处理，对固化处理后第一永磁材料进行扩散热处理，对扩散热处理后的第一永磁材料进行时效热处理，得到稀土永磁材料。含有重稀土的浆料直接涂敷在磁体表面，膜层厚度均一性控制难度大、负载量低，膜层涂敷工艺容易收到磁体规格限制，如非平面磁体无法获得厚度均一的高质量扩散源膜层，此外，重稀土浆料中含有大量的有机物，扩散后会对磁体的性能产生不利的影响，且浆料中铜粉、重稀土合金粉之间的孔隙较大，有机物脱除后金属颗粒间接触面积小，合金化速率低，影响扩散效果。
3、cn115116728a公开了一种异性钕铁硼磁体的晶界扩散方法，在不含铜的烧结钕铁硼磁体表面采用电镀的方式沉积厚度为0.1～1μm的铜镀层；将扩散源粉末与粘结剂、有机溶剂混合，制备扩散源浆料，扩散源粉末为含有重稀土元素的粉末，重稀土元素为dy或tb中的至少一种。将扩散源浆料均匀覆盖到稀土表面的铜镀层上，将覆盖了扩散源浆料的磁体烘干，然后进行晶界扩散处理。该方法中扩散源膜层制备容易受磁体规格限制，其利用电镀铜隔离了有机物相对磁体的污染，但是并没有解决稀土浆料膜层覆盖中面临的问题，即在磁体表层与在电镀铜膜测
4、cn114717496a公开了一种用于r-fe-b系稀土永磁材料的扩散源，包括重稀土金属以及辅助金属元素，重稀土金属元素为dy、tb和ho中的一种或几种，辅助金属元素为cu、al和ga中的一种或几种，辅助金属元素含量占总质量的1～10％，扩散源的孔隙率为30～50％。该方法中粉末轧制制备扩散源，可以避免磁体规格对扩散源膜层制备的限制，但是该扩散源的孔隙率依然较大。轧制制备薄板厚度2mm，也就是2000微米，作为扩散源远远过量，不利于重稀土元素高效利用，而且过饱和扩散反而容易恶化磁体性能，实际扩散效果并不佳。轧制复合扩散源中重稀土含量高，成本高昂。
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的在于提供一种用于钕铁硼磁体的扩散源，该扩散源能够显著地提高钕铁硼磁体的矫顽力。进一步地，该扩散源对于磁体的剩磁、最大磁能积、方形度等影响小。更进一步地，该扩散源能够降低稀土元素的用量，选择性地对钕铁硼磁体进行扩散改性。
2、本专利技术的另一个目的在于提供一种扩散源的制备方法，该制备方法能够提高附着物与箔片基体之间的结合力，降低附作物之间的孔隙率。进一步地，该制备方法能够有效地降低扩散源中杂质元素的含量，保证扩散源的活性，提高扩散效果。
3、本专利技术的再一个目的在于提供一种钕铁硼磁体的处理方法，该处理方法能够有效地提高钕铁硼磁体的矫顽力。进一步地，该处理方法对于磁体的剩磁、最大磁能积、方形度等影响小。
4、一方面，本专利技术提供了一种用于钕铁硼磁体的扩散源，包括铜或铜合金箔和附着物，所述铜或铜合金箔的上表面和下表面分别附着有所述附着物，所述附着物包括稀土颗粒、非稀土氧化物和非稀土金属或合金；
5、所述稀土颗粒中的稀土元素选自铽、镝、镨、钕中的一种或多种，且含有铽、镝中的至少一种；所述稀土颗粒选自稀土氢化物颗粒、稀土氟化物颗粒、稀土单质颗粒、稀土合金颗粒中的一种或多种；所述稀土颗粒的含量为10～30重量份；
6、所述非稀土氧化物选自氧化铝、氧化镁中的一种或多种；所述非稀土氧化物的含量为0.1～5重量份；
7、所述非稀土金属或合金中的非稀土元素选自铜、铝、镁、铁、锆、铌、镓、锌、钴、硅中的一种或多种，且所述非稀土金属或合金中含有铜、铝中的至少一种；所述非稀土金属或合金的用量为0.3～5重量份。
8、根据本专利技术的扩散源，优选地，所述稀土颗粒中铽和镝的总含量大于等于12wt％，稀土元素的总含量大于等于42wt％；
9、所述非稀土金属或合金中铜和铝的总含量大于等于15wt％。
10、根据本专利技术的扩散源，优选地，所述铜或铜合金箔的厚度为1～100μm；
11、所述稀土颗粒的d50小于等于10μm，所述非稀土氧化物的粒度为200～450目，所述非稀土金属或合金的d50为1～20μm。
12、根据本专利技术的扩散源，优选地，所述稀土颗粒中含有非稀土金属元素，所述非稀土金属元素选自铜或铝中的一种或多种。
13、另一方面，本专利技术提供了上述扩散源的制备方法，包括如下步骤：
14、(1)将含有稀土颗粒、非稀土氧化物、非稀土金属或合金、粘结剂和有机溶剂的扩散源浆料涂覆在铜或铜合金箔的上表面和下表面，得到负载物；
15、(2)在对负载物的上表面和下表面施加压力的同时对负载物进行热处理，得到扩散源。
16、根据本专利技术的制备方法，优选地，步骤(2)包括如下步骤：
17、在对负载物的上表面和下表面施加5～80mpa压力的同时，将负载物在80～160℃的条件下固化1～7min，得到扩散源。
18、根据本专利技术的制备方法，优选地，步骤(2)包括如下步骤：
19、在对负载物的上表面和下表面施加5～80mpa压力的同时，将负载物在80～160℃的条件下固化1～7min，得到固化物；将固化物在230～290℃的条件下脱脂15～90min，得到扩散源。
20、根据本专利技术的制备方法，优选地，在对固化物的上表面和下表面施加1～10mpa压力的同时，将固化物在230～290℃的条件下脱脂15～90min，得到扩散源。
21、根据本专利技术的制备方法，优选地，所述负载物的厚度为30～150μm；所述扩散源的厚度为所述负载物厚度的60％～95％。
22、再一方面，本专利技术提供了一种钕铁硼磁体的处理方法，包括如下步骤：
23、将至少一部分表面覆盖有上述扩散源的钕铁硼磁体进行加热扩散和时效处理，得到处理后磁体；
24、所述加热扩散条件如下：一级扩散温度为600～900℃，一级扩散时间为60～240min，二级扩散温度为850～960℃，二级扩散时间为200～500min；
25、和任选地，在一级扩散之前进行预扩散，预扩散温度为250～480℃，预扩散时间为10～100min；
26、时效处理条件如下：时效处理温度为450～620℃，时效处理时间为80～350min。
27、本专利技术的扩散源能够显著地提高钕铁硼磁体的矫顽力。进一步地，该本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于钕铁硼磁体的扩散源，其特征在于，所述扩散源包括铜或铜合金箔和附着物，所述铜或铜合金箔的上表面和下表面分别附着有所述附着物，所述附着物包括稀土颗粒、非稀土氧化物和非稀土金属或合金；
2.根据权利要求1所述的扩散源，其特征在于，所述稀土颗粒中铽和镝的总含量大于等于12wt％，稀土元素的总含量大于等于42wt％；
3.根据权利要求1所述的扩散源，其特征在于，所述铜或铜合金箔的厚度为1～100μm；
4.根据权利要求1所述的扩散源，其特征在于，所述稀土颗粒中含有非稀土金属元素，所述非稀土金属元素选自铜或铝中的一种或多种。
5.根据权利要求1～4任一项所述的扩散源的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)包括如下步骤：
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在对固化物的上表面和下表面施加1～10MPa压力的同时，将固化物在230～290℃的条件下脱脂15～90mi
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述负载物的厚度为30～150μm；所述扩散源的厚度为所述负载物厚度的60％～95％。
10.一种钕铁硼磁体的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种用于钕铁硼磁体的扩散源，其特征在于，所述扩散源包括铜或铜合金箔和附着物，所述铜或铜合金箔的上表面和下表面分别附着有所述附着物，所述附着物包括稀土颗粒、非稀土氧化物和非稀土金属或合金；
2.根据权利要求1所述的扩散源，其特征在于，所述稀土颗粒中铽和镝的总含量大于等于12wt％，稀土元素的总含量大于等于42wt％；
3.根据权利要求1所述的扩散源，其特征在于，所述铜或铜合金箔的厚度为1～100μm；
4.根据权利要求1所述的扩散源，其特征在于，所述稀土颗粒中含有非稀土金属元素，所述非稀土金属元素选自铜或铝中的一种或多种。
5.根据权利要求1～4任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔红兵，田世艳，艾静雯，程岩，张茂彩，辛博，娄树普，赵明静，李志强，
申请(专利权)人：包头稀土研究院，
类型：发明
国别省市：
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