【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体，具体涉及一种晶圆处理装置及处理方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，为提升芯片良率及晶圆回收再利用率，湿法清洗及湿法蚀刻技术则尤为重要，但在利用支撑结构支撑晶圆进入处理槽进行湿法清洗或湿法蚀刻时，晶圆与支撑结构相接触的位置容易产生气泡，导致清洗或蚀刻不充分，最后产生缺陷。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种晶圆处理装置及处理方法，用于改善晶圆清洗或蚀刻不充分及晶圆表面产生缺陷的情况。
2、本公开第一方面提供了一种晶圆处理装置，其包括：
3、处理槽，用于容纳晶圆处理液；
4、支撑组，包括多个支撑部，能够独立或共同支撑晶圆处于竖立状态，所述支撑部具有在支撑所述晶圆时与所述晶圆相接触的接触表面；
5、动作系统，与多个所述支撑部分别相连，用于驱动多个所述支撑部之间相互配合运动，其中，
6、至少一个所述支撑部的接触表面在所述动作系统的驱动下能够处于与所述晶圆相接触的状态；
7、至少一个所述支撑部的接触表面在所述动作系统驱动其进入所述晶圆处理液的过程中与液面相交的区域能够处于与所述晶圆相分离的状态。
8、本公开第二方面提供了一种晶圆处理方法，其包括：
9、向处理槽内添加晶圆处理液；
10、利用支撑组支撑晶圆处于竖立状态，所述支撑组包括多个分别与动作系统相连的支撑部，多个所述支撑部能够独立或共同支撑所述晶圆，所述支撑部具有在支撑所述晶圆时与所述晶圆相接触的接触表面
11、利用所述动作系统驱动多个所述支撑部之间相互配合运动，以带动所述晶圆进入所述晶圆处理液中，其中，在所述晶圆进入所述晶圆处理液的过程中：
12、至少一个所述支撑部的接触表面在所述动作系统的驱动下处于与所述晶圆相接触的状态；
13、至少一个所述支撑部的接触表面在所述动作系统驱动其进入所述晶圆处理液的过程中与液面相交的区域处于与所述晶圆相分离的状态。
14、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
15、利用动作系统与多个支撑部相互配合，可使得晶圆在整个过程中均有支撑部支撑其处于竖立状态，同时，还可使得至少一个支撑部的接触表面在动作系统驱动其进入晶圆处理液的过程中与液面相交的区域处于与晶圆相分离的状态，从而可使晶圆脱离此支撑部的位置以无接触点的方式进入晶圆处理液内，继而改善晶圆与支撑部相接触的位置处容易产生缺陷以及不易被充分清洗或湿法蚀刻的情况。
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1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，多个所述支撑部包括第一支撑部和设于所述第一支撑部的相对两侧的第二支撑部，所述第二支撑部的水平高度被配置为在所述第一支撑部和所述第二支撑部共同支撑所述晶圆时高于所述第一支撑部的水平高度，其中，
3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述动作系统包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述动作系统还包括：
5.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二支撑部设置两个，并位于同一水平高度上。
6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支撑部包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支撑部还包括包裹所述约束壁的缓冲层，所述缓冲层的硬度小于所述约束壁的硬度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括回液系统，所述回液系统包括：
10.
11.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的晶圆处理方法，其特征在于，至少两个所述支撑部配置为在共同支撑所述晶圆时处于不同的水平高度，且每个所述支撑部的接触表面在所述动作系统驱动其进入所述晶圆处理液的过程中与液面相交的区域均处于与所述晶圆相分离的状态。
13.根据权利要求12所述的晶圆处理方法，其特征在于，多个所述支撑部包括第一支撑部和设于所述第一支撑部相对两侧的第二支撑部，所述第二支撑部的水平高度被配置为在所述第一支撑部和所述第二支撑部共同支撑所述晶圆时高于所述第一支撑部的水平高度，其中，所述晶圆进入所述晶圆处理液的过程，包括：
14.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，在进入所述第一下降阶段之前，若所述第一支撑部的接触表面处于与所述晶圆的第一接触部相接触的位置，则所述晶圆进入所述晶圆处理液的过程，还包括：初始调整阶段，其中，
15.根据权利要求14所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述在所述初始调整阶段中：利用所述动作系统驱动所述第一支撑部和所述第二支撑部中至少一者沿竖直方向进行移动的步骤，包括：
16.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的晶圆处理方法，其特征在于，在所述第一下降阶段中和在所述第二下降阶段中：利用所述动作系统驱动所述第一支撑部和所述第二支撑部同时且等速进行下降运动。
18.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述在所述第一调整阶段中：利用所述动作系统驱动所述第一支撑部和所述第二支撑部中至少一者进行移动的步骤，包括：
19.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆进入所述晶圆处理液的过程还包括：位于所述第二下降阶段之后且依次进行的第二调整阶段和第三下降阶段，其中，
20.根据权利要求19所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述在所述第二调整阶段中：利用所述动作系统驱动所述第一支撑部和第二支撑部中至少一者沿竖直方向进行移动的步骤，包括：
21.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，在所述晶圆完全进入所述晶圆处理液之后，所述晶圆处理方法还包括：
22.根据权利要求21所述的晶圆处理方法，其特征在于，
23.根据权利要求11至22中任一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述向处理槽内添加晶圆处理液的步骤，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，多个所述支撑部包括第一支撑部和设于所述第一支撑部的相对两侧的第二支撑部，所述第二支撑部的水平高度被配置为在所述第一支撑部和所述第二支撑部共同支撑所述晶圆时高于所述第一支撑部的水平高度，其中，
3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述动作系统包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述动作系统还包括：
5.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二支撑部设置两个，并位于同一水平高度上。
6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支撑部包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支撑部还包括包裹所述约束壁的缓冲层，所述缓冲层的硬度小于所述约束壁的硬度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括回液系统，所述回液系统包括：
10.根据权利要求9所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述回液系统还包括：
11.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的晶圆处理方法，其特征在于，至少两个所述支撑部配置为在共同支撑所述晶圆时处于不同的水平高度，且每个所述支撑部的接触表面在所述动作系统驱动其进入所述晶圆处理液的过程中与液面相交的区域均处于与所述晶圆相分离的状态。
13.根据权利要求12所述的晶圆处理方法，其特征在于，多个所述支撑部包括第一支撑部和设于所述第一支撑部相对两侧的第二支撑部，所述第二支撑部的水平高度被配置为在所述第一支撑部和所述第二支撑部共同支撑所述晶圆时高于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘致伯，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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