【技术实现步骤摘要】
本公开涉及芯片封装领域，特别涉及一种引线框的处理方法、芯片封装方法以及芯片封装产品。
技术介绍
1、在芯片封装的领域，通常使用引线框作为安装芯片的载体，并通过键合线焊接实现芯片上的电极与引线框连接，从而将芯片的电极接出；同时需要使用塑封材料将芯片与键合线密封，以保护芯片与键合线免受外部环境的干扰和影响。
2、通常使用封装材料将芯片、键合线以及引线框的大部分包裹完成封装，因此，封装材料与引线框的结合强度将影响封装的强度和稳定性。通常引线框的材质为铜合金，键合线的材质为金，为增强键合线与引线框的焊接牢固性，一般首先在引线框上电镀银，再将键合线焊接在银上。由于封装材料与铜合金的结合力大于其与银的结合力，电镀银的形成减少了与封装材料结合的铜合金的面积，导致封装强度有所下降。在实际封装中，容易出现封装材料与引线框分层的现象。
3、为增强封装强度，通常对引线框表面未镀银的区域进行处理，其中一种处理方式为氧化处理，被氧化的引线框表面与封装材料的结合力有一定加强。然而，引线框表面与封装材料的结合力可能随着时间推移出现下降，可能出现封装材料与引线框分层的现象，导致封装失败；尤其当镀银面积较大时，更容易出现分层的现象。
4、因此，需要一种新的引线框的处理方法。
技术实现思路
1、为解决芯片封装时出现的封装材料与引线框出现分层的问题，提高封装的可靠性，本公开的实施例提供一种引线框的处理方法，包括：提供引线框，所述引线框包括基岛，所述基岛用于放置芯片；在所述引线框的基岛
2、在一些实施例中，在形成所述结合增强层之前，所述引线框的基岛的表面还形成有图形化的掩膜层，以暴露出形成所述结合增强层的区域。
3、在一些实施例中，形成所述结合增强层包括：通过电化学反应在所述引线框的基岛的表面形成所述结合增强层。
4、在一些实施例中，所述电化学反应包括：以浓度为0.1～2mol/l的铜的盐溶液或包含浓度为0.1～2mol/l的铜氰络合离子的溶液作为反应溶液，以所述引线框作为阴极，在0.1～100a/dm2的电流密度下进行电化学反应。
5、在一些实施例中，形成所述结合增强层还包括：在进行电化学反应之后，通过浓度为0.1～2mol/l的碱性溶液将所述图形化的掩膜层去除。
6、在一些实施例中，形成所述结合增强层包括：通过3d打印在所述引线框的基岛的表面形成所述结合增强层。
7、在一些实施例中，所述3d打印包括：以包含20wt％～80wt％的铜的墨水在所述基岛的表面进行3d打印，所述墨水的粘度是1～1000cp。
8、在一些实施例中，所述结合增强层包括多晶铜。
9、在一些实施例中，所述结合增强层的厚度为0.1μm～5μm。
10、在一些实施例中，在形成所述结合增强层之后，所述引线框的处理方法还包括：对至少部分所述结合增强层进行氧化处理，以形成氧化物层。
11、在一些实施例中，所述氧化处理包括：将所述引线框浸入氧化处理液中，以在所述引线框的部分表面形成氧化物层，所述氧化处理液包括氧化剂、第一改性剂与第一添加剂，所述氧化剂的质量分数为1％～10％；对所述引线框进行清洗。
12、在一些实施例中，所述第一改性剂包括三唑、四唑、咪唑中的一种或多种，所述第一添加剂包括胺或季铵盐，所述氧化剂包括过氧化氢、过硫酸钠、亚氯酸钠中的一种或多种。
13、在一些实施例中，在进行所述氧化处理之前，所述引线框的处理方法还包括：对所述引线框进行氧化预处理；所述氧化预处理包括：将所述引线框放置在氧化预处理液中，所述氧化预处理液包括：第二改性剂与第二添加剂，所述第二改性剂的质量分数为1％～10％，所述第二添加剂的质量分数为1％～10％。
14、在一些实施例中，所述第二改性剂包括三唑、四唑、咪唑中的一种或多种，所述第二添加剂包括胺或季铵盐。
15、在一些实施例中，在进行所述氧化处理之后，所述引线框的处理方法还包括：对所述引线框进行氧化后处理；所述氧化后处理包括：将所述引线框放置在氧化后处理液中，所述氧化后处理液包括络合剂或螯合剂，所述络合剂或螯合剂的质量分数为1％～10％。
16、在一些实施例中，所述络合剂或螯合剂包括含氮化合物、含氧化合物或含硫化合物中的一种或多种。
17、在一些实施例中，经过所述氧化后处理之后，所述氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在所述引线框的表面上占的面积之比为1～5。
18、在一些实施例中，经过所述氧化后处理之后，所述氧化物层的厚度为
19、本公开的实施例还提供一种引线框，所述引线框包括：基岛，适于放置芯片；结合增强层，位于所述基岛的表面，所述结合增强层覆盖用于放置芯片的区域，所述结合增强层包括金属的多晶态材料；氧化物层，位于所述结合增强层的表面。
20、在一些实施例中，所述结合增强层包括多晶铜。
21、在一些实施例中，所述引线框的材质为铜合金或铜。
22、在一些实施例中，所述氧化物层的厚度为
23、在一些实施例中，所述氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在所述引线框的表面上占的面积之比为1～5。
24、本公开的实施例还提供一种芯片封装产品，所述芯片封装产品包括：以上任意的引线框；安装于所述引线框的基岛上的芯片；将所述芯片与所述引线框电连接的键合线；封装材料，所述封装材料将所述芯片、所述键合线、与所述引线框的至少部分封装。
25、在一些实施例中，所述封装材料包括环氧树脂。
26、与现有技术相比，本公开实施例的技术方案具有以下有益效果：
27、本公开的实施例的引线框的处理方法，在引线框的基岛的表面形成结合增强层，结合增强层包括金属的多晶态材料，对结合增强层进行氧化处理以形成具有一定粗糙度的氧化物层，将处理后的引线框用于芯片封装，所述氧化物层与封装材料之间具有良好的结合力，降低了分层的风险，提高了封装的可靠性。
28、本公开的实施例的引线框包括结合增强层与氧化物层，在所述引线框用于芯片封装时，在封装过程中封装材料进入引线框的基岛上的氧化物层上的空隙或凹处，在封装材料固化后，氧化物层与封装材料具有良好的结合力，从而提升了封装的强度与可靠性。
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1.一种引线框的处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的引线框的处理方法，其特征在于，在形成所述结合增强层之前，所述引线框的基岛的表面还形成有图形化的掩膜层，以暴露出形成所述结合增强层的区域。
3.根据权利要求2所述的引线框的处理方法，其特征在于，形成所述结合增强层包括：通过电化学反应在所述引线框的基岛的表面形成所述结合增强层。
4.根据权利要求3所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述电化学反应包括：以浓度为0.1～2mol/L的铜的盐溶液或包含浓度为0.1～2mol/L的铜氰络合离子的溶液作为反应溶液，以所述引线框作为阴极，在0.1～100A/dm2的电流密度下进行电化学反应。
5.根据权利要求4所述的引线框的处理方法，其特征在于，形成所述结合增强层还包括：在进行电化学反应之后，通过浓度为0.1～2mol/L的碱性溶液将所述图形化的掩膜层去除。
6.根据权利要求1所述的引线框的处理方法，其特征在于，形成所述结合增强层包括：通过3D打印在所述引线框的基岛的表面形成所述结合增强层。
7.根据权利
8.根据权利要求1-7中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述结合增强层包括多晶铜。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述结合增强层的厚度为0.1μm～5μm。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，在形成所述结合增强层之后，还包括：对至少部分所述结合增强层进行氧化处理，以形成氧化物层。
11.根据权利要求10所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述氧化处理包括：
12.根据权利要求11所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述第一改性剂包括三唑、四唑、咪唑中的一种或多种，所述第一添加剂包括胺或季铵盐，所述氧化剂包括过氧化氢、过硫酸钠、亚氯酸钠中的一种或多种。
13.根据权利要求10所述的引线框的处理方法，其特征在于，在进行所述氧化处理之前，还包括：对所述引线框进行氧化预处理；
14.根据权利要求13所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述第二改性剂包括三唑、四唑、咪唑中的一种或多种，所述第二添加剂包括胺或季铵盐。
15.根据权利要求10所述的引线框的处理方法，其特征在于，在进行所述氧化处理之后，还包括：对所述引线框进行氧化后处理；
16.根据权利要求15所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述络合剂或螯合剂包括含氮化合物、含氧化合物或含硫化合物中的一种或多种。
17.根据权利要求15所述的引线框的处理方法，其特征在于，经过所述氧化后处理之后，所述氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在所述引线框的表面上占的面积之比为1～5。
18.根据权利要求15所述的引线框的处理方法，其特征在于，经过所述氧化后处理之后，所述氧化物层的厚度为
19.一种引线框，其特征在于，包括：
20.根据权利要求19所述的引线框，其特征在于，所述结合增强层包括多晶铜。
21.根据权利要求19所述的引线框，其特征在于，所述引线框的材质为铜合金或铜。
22.根据权利要求19-21中任一项所述的引线框，其特征在于，所述氧化物层的厚度为
23.根据权利要求19-21中任一项所述的引线框，其特征在于，所述氧化物层的表面的实际面积与所述氧化物层在所述引线框的表面上占的面积之比为1～5。
24.一种芯片封装产品，其特征在于，包括：
25.根据权利要求24所述的芯片封装产品，其特征在于，所述封装材料包括环氧树脂。
...【技术特征摘要】
1.一种引线框的处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的引线框的处理方法，其特征在于，在形成所述结合增强层之前，所述引线框的基岛的表面还形成有图形化的掩膜层，以暴露出形成所述结合增强层的区域。
3.根据权利要求2所述的引线框的处理方法，其特征在于，形成所述结合增强层包括：通过电化学反应在所述引线框的基岛的表面形成所述结合增强层。
4.根据权利要求3所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述电化学反应包括：以浓度为0.1～2mol/l的铜的盐溶液或包含浓度为0.1～2mol/l的铜氰络合离子的溶液作为反应溶液，以所述引线框作为阴极，在0.1～100a/dm2的电流密度下进行电化学反应。
5.根据权利要求4所述的引线框的处理方法，其特征在于，形成所述结合增强层还包括：在进行电化学反应之后，通过浓度为0.1～2mol/l的碱性溶液将所述图形化的掩膜层去除。
6.根据权利要求1所述的引线框的处理方法，其特征在于，形成所述结合增强层包括：通过3d打印在所述引线框的基岛的表面形成所述结合增强层。
7.根据权利要求6所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述3d打印包括：以包含20wt％～80wt％的铜的墨水在所述基岛的表面进行3d打印，所述墨水的粘度是1～1000cp。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述结合增强层包括多晶铜。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述结合增强层的厚度为0.1μm～5μm。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的引线框的处理方法，其特征在于，在形成所述结合增强层之后，还包括：对至少部分所述结合增强层进行氧化处理，以形成氧化物层。
11.根据权利要求10所述的引线框的处理方法，其特征在于，所述氧化处理包括：
12.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：关耀辉，高证良，庄清洲，
申请(专利权)人：先进半导体材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：
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