【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管和发光二极管的制作方法。
技术介绍
1、发光二极管是一种半导体发光器件，可以应用在显示、照明等显示领域中。
2、由于发光二极管芯片内折射与反射等现象的存在，使得大部分发光二极管芯片的发光角度处于110°～150°之间。
3、随着科技的发展，部分产品对发光二极管出光角度存在要求，要求其发光角度尽可能小，垂直于出光面方向的法向光强度尽可能高，但相关技术中的发光二极管结构无法满足该要求。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法，可以提升法向光强度。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：
3、发光二极管芯片和位于所述发光二极管芯片的出光面的法向增透膜；
4、所述法向增透膜包括交替层叠的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层为硅的氧化物膜层，所述第二膜层为钛的氧化物膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的总层数大于或等于16且小于或等于19。
5、示例性地，所述第一膜层为二氧化硅膜层，所述第二膜层为二氧化钛膜层。
6、示例性地，所述第一膜层和所述第二膜层的总层数为19。
7、示例性地，所述法向增透膜的第一层和最后一层均为所述第一膜层。
8、示例性地，所述法向增透膜的19个膜层的厚度范围分别为：
9、0.890×103～0.900×103埃、1.230×103～1.240×
10、示例性地，所述法向增透膜的19个膜层的厚度分别为：
11、0.894×103埃、1.237×103埃、0.816×103埃、1.140×103埃、0.769×103埃、1.216×103埃、0.709×103埃、1.233×103埃、0.752×103埃、1.136×103埃、0.809×103埃、1.223×103埃、1.074×103埃、0.220×103埃、3.142×103埃、0.767×103埃。
12、另一方面，提供了一种发光二极管的制作方法，所述方法包括：
13、制作发光二极管芯片；
14、在所述发光二极管芯片的出光面制作法向增透膜，所述法向增透膜包括交替层叠的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层为硅的氧化物膜层，所述第二膜层为钛的氧化物膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的总层数大于或等于16且小于或等于19。
15、示例性地，所述第一膜层和所述第二膜层的总层数为19。
16、示例性地，在所述发光二极管芯片的出光面制作法向增透膜，包括：
17、采用3～6埃/秒的沉积速度沉积所述第一膜层，采用1～2埃/秒的沉积速度沉积所述第二膜层。
18、示例性地，所述采用3～6埃/秒的沉积速度沉积所述第一膜层，采用1～2埃/秒的沉积速度沉积所述第二膜层，包括：
19、采用3埃/秒的沉积速度沉积厚度小于0.800×103埃的所述第一膜层，采用6埃/秒的沉积速度沉积厚度不小于0.800×103埃的所述第一膜层，采用1.5埃/秒的沉积速度沉积所述第二膜层。
20、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
21、在本公开实施例提供的发光二极管中，通过在发光二极管芯片的出光面覆盖法向增透膜，其中法向增透膜由交替层叠的硅的氧化物膜层和钛的氧化物膜层构成，且总层数限定在16至19层，上述结构能够透射小角度(与法向夹角小)入射光、反射大角度(与法向夹角大)入射光，被反射的光线最终在芯片内部不断反射直至低角度出射。因此，通过设置法向增透膜，能够使得光线更多从法向射出，增强法向的出光强度。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一膜层为二氧化硅膜层，所述第二膜层为二氧化钛膜层。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一膜层和所述第二膜层的总层数为19。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的第一层和最后一层均为所述第一膜层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的19个膜层的厚度范围分别为：
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的19个膜层的厚度分别为：
7.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一膜层和所述第二膜层的总层数为19。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，在所述发光二极管芯片的出光面制作法向增透膜，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述采用3～6埃/秒的沉积速度沉积所
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一膜层为二氧化硅膜层，所述第二膜层为二氧化钛膜层。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一膜层和所述第二膜层的总层数为19。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的第一层和最后一层均为所述第一膜层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的19个膜层的厚度范围分别为：
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴旭辉，牛艳萍，宋子健，葛俊飞，卫婷，王顺，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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