【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试，尤其涉及一种膜厚监控晶圆及其制作方法。
技术介绍
1、薄膜厚度测量机台主要用于对晶圆上沉积的薄膜的厚度进行测量，以通过薄膜的沉积厚度来衡量产品的制造过程是否符合标准的要求。薄膜厚度测量的准确性和稳定性，对产品的电性能及其稳定性表现至关重要，所以薄膜厚度测量机台自身在测量时的准确性和稳定性就显得尤其重要。
2、为了对薄膜厚度测量机台的准确性和稳定性进行更精准地监控，通常会针对薄膜厚度测量机台设置多种膜厚监控项目，并采用膜厚监控晶圆进行测量的方式，对薄膜厚度测量机台的准确性和稳定性进行监控。其中，膜厚监控项目包含针对多种不同材质的薄膜，每种薄膜包含多种不同的厚度进行测量的要求。因此，在线产品的薄膜种类越复杂，膜厚监控晶圆的需求量就越多。
3、目前，业内都是按照将薄膜种类的数量与每种薄膜的不同厚度规格的数量的乘积数，作为膜厚监控晶圆的需求数量进行备置。而按照前述方法去准备膜厚监控晶圆，在每片膜厚监控晶圆上只能形成一层相同材质，单一厚度的薄膜，并用于一个膜厚监控项目的测量。并且，每次进行监控时，都需要将多个膜厚监控晶圆依次装载入薄膜厚度测量机台，并在测量后依次卸载出薄膜厚度测量机台。这样，在装载、卸载上消耗的时间(包括每次测量前的寻边时间)，比薄膜厚度测量机台的测量时间都要长，从而严重浪费了薄膜厚度测量机台的产能。另外，准备足够数量的膜厚监控晶圆，也需要消耗大量的成本。
4、因此，有必要提供一种新型的膜厚监控晶圆及其制作方法以解决现有技术中存在的上述问题。
【技术保护点】
1.一种膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，通过对所述薄膜进行图形化，在所述薄膜远离所述衬底的一侧表面上形成位于所述薄膜中的所述膜厚监控结构，并使所述膜厚监控结构的各所述台阶面的边界之间形成以所述衬底中心为圆心的同心圆结构。
3.根据权利要求2所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述对所述薄膜进行图形化，具体包括：
4.根据权利要求3所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求3或4所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述薄膜为单层薄膜。
6.根据权利要求3所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述薄膜为材质不同的双层薄膜，所述环形台阶面位于所述双层薄膜中的上层薄膜上，所述圆形台阶面位于所述双层薄膜中的下层薄膜上。
7.根据权利要求4所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述薄膜为材质各不相同的多层薄膜，所述中心圆形台阶面位于所述多层薄膜中的最下层薄膜上，所述环形台阶面至少位于所述多层薄膜中的最下层
8.根据权利要求7所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述多层薄膜中的最下层薄膜上方的每一层薄膜上至少形成有一个所述环形台阶面。
9.根据权利要求7所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述多层薄膜中的最下层薄膜上还形成有位于所述中心圆形台阶面外侧的至少一个所述环形台阶面。
10.根据权利要求7所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述多层薄膜中的各层薄膜的厚度相同或不同。
11.根据权利要求4所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，每次刻蚀时的刻蚀深度相同或不同。
12.根据权利要求3所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述以所述环形光阻层为掩模，对内侧露出的所述薄膜的表面进行刻蚀，具体包括：
13.根据权利要求1所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，各所述台阶面在沿所述衬底径向上的宽度相同或不同。
14.根据权利要求1所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述薄膜的材质包括透光介质。
15.根据权利要求14所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述透光介质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。
16.一种膜厚监控晶圆，采用权利要求1-15任意一项所述的膜厚监控晶圆的制作方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，通过对所述薄膜进行图形化，在所述薄膜远离所述衬底的一侧表面上形成位于所述薄膜中的所述膜厚监控结构，并使所述膜厚监控结构的各所述台阶面的边界之间形成以所述衬底中心为圆心的同心圆结构。
3.根据权利要求2所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述对所述薄膜进行图形化，具体包括：
4.根据权利要求3所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求3或4所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述薄膜为单层薄膜。
6.根据权利要求3所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述薄膜为材质不同的双层薄膜，所述环形台阶面位于所述双层薄膜中的上层薄膜上，所述圆形台阶面位于所述双层薄膜中的下层薄膜上。
7.根据权利要求4所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特征在于，所述薄膜为材质各不相同的多层薄膜，所述中心圆形台阶面位于所述多层薄膜中的最下层薄膜上，所述环形台阶面至少位于所述多层薄膜中的最下层薄膜上方的每一层薄膜上。
8.根据权利要求7所述的膜厚监控晶圆的制作方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴祥芳，孙传佳，吕晓晨，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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