System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有迟滞性的比较器和电子设备制造技术_技高网

具有迟滞性的比较器和电子设备制造技术

技术编号:44166235 阅读:3 留言:0更新日期:2025-01-29 10:39
一种比较器(10),其包括输入级(IS),该输入级被配置为接收一对输入信号(S1、S2)以生成至少一个差分电流信号(S3)。该比较器(10)还包括输出级(OS),该输出级被配置为根据差分电流信号(S3)生成输出信号(S4)。该输出级(OS)包括电流镜(12)和电连接到电流镜(12)的节点(14)。该电流镜(12)包括第一晶体管(16)、第二晶体管和第三晶体管(18、20),该第二晶体管和第三晶体管(18、20)并联连接。该比较器(10)还包括增益级(GS),该增益级包括第一反相器和第二反相器(22、24),其中,第一反相器(22)的输出被输入到第二反相器(24)。第二反相器(24)的输出被配置为控制第三晶体管(20)处于浮动或导通状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

1、根据实施例,比较器包括输入级、输出级以及增益级,输入级被配置为接收一对输入信号,以生成至少一个差分电流信号;输出级被配置为根据差分电流信号生成输出信号,输出级包括电流镜以及电连接到电流镜的节点,电流镜包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管,第二晶体管和第三晶体管并联连接;增益级包括第一反相器和第二反相器,其中,第一反相器的输出被输入到第二反相器。更详细地说,第二反相器的输出被配置为控制第三晶体管处于浮动状态或导通状态。

2、换句话说,第三晶体管作为开关,其根据第二反相器的输出来导通和截止。这种开关配置通过调节电流镜负载来实现迟滞性。

3、例如,如果第二反相器的输出为高,则第三晶体管可被控制为导通。在这种情况下,可能会有更大的电流流过输出级,从而提高上限阈值电压。

4、在另一方面,如果第二反相器的输出为低,则第三晶体管可被控制为浮动。在这种情况下,可能会有更小的电流流过输出级,从而降低下限阈值电压。

5、通过上述方式,可以实现迟滞性。这种配置可以对切换阶段的速度进行调节,使得该比较器可以用于快速信号。

6、输入级可以包括第一输入晶体管和第二输入晶体管,第一输入晶体管与第二输入晶体管不同。换句话说,在比较器的一种配置中,可以实现一对非对称的输入晶体管。例如,第二输入晶体管可以小于第一输入晶体管,并且该第二输入晶体管可以连接到开关输入。第一晶体管可以连接到参考端。这使得切换更快,并且可以为电流源(例如,偏置晶体管)提供更多的操作空间(headroom),从而在饱和状态下产生恒定且稳定的电流源。

7、该比较器还可以包括反相器和控制晶体管。第二反相器的输出可以经由反相器馈送至控制晶体管的栅极端子。控制晶体管可以根据第二反相器的输出来控制第三晶体管的导通或者截止。

8、控制晶体管可以采用nmos晶体管来实现。

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【技术保护点】

1.一种比较器(10),包括:

2.根据权利要求1所述的比较器(10),其中,如果所述第二反相器(24)的输出为高,则所述第三晶体管(20)被控制为导通。

3.根据权利要求1或2所述的比较器(10),其中,如果所述第二反相器(24)的输出为低,则所述第三晶体管(20)被控制为浮动。

4.根据前述权利要求中任一项所述的比较器(10),其中,所述输入级(IS)包括第一输入晶体管(26)和第二输入晶体管(28),所述第一输入晶体管(26)与所述第二输入晶体管(28)不同。

5.根据前述权利要求中任一项所述的比较器(10),还包括控制反相器(30)和控制晶体管(32),其中,所述第二反相器(24)的输出通过所述控制反相器(30)馈送到所述控制晶体管(32)的栅极端子。

6.根据权利要求5所述的比较器(10),其中,所述控制晶体管(32)被实现为NMOS晶体管。

7.一种电子设备(11),包括根据前述权利要求中任一项所述的比较器(10)。

8.根据权利要求7所述的电子设备(11),其被实现为激光驱动器、智能眼镜或移动设备。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种比较器(10),包括:

2.根据权利要求1所述的比较器(10),其中,如果所述第二反相器(24)的输出为高,则所述第三晶体管(20)被控制为导通。

3.根据权利要求1或2所述的比较器(10),其中,如果所述第二反相器(24)的输出为低,则所述第三晶体管(20)被控制为浮动。

4.根据前述权利要求中任一项所述的比较器(10),其中,所述输入级(is)包括第一输入晶体管(26)和第二输入晶体管(28),所述第一输入晶体管(26)与所述第二输入晶体管(28)不同。...

【专利技术属性】
技术研发人员:埃米尔·塞尔达雷维奇
申请(专利权)人:AMS欧司朗有限公司
类型:发明
国别省市:

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