【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电介质材料，具体涉及玻璃材料及其制备方法和应用。
技术介绍
1、电介质电容器是一种常见的电容器，电介质材料会直接影响电介质电容器的性能。目前，电介质材料通常可以分为以下三种：1)陶瓷介质材料：相对介电常数较高(εr>100)，但介电损耗高，且击穿强度低(<500kv/cm)；2)聚合物介质材料：介电击穿强度非常高(1mv/cm～10mv/cm)，但相对介电常数小(εr<10)，且使用温度范围小(<200℃)；3)玻璃介质材料：介电击穿强度非常高(1mv/cm～20mv/cm)，介电损耗低(<10-3)，温度稳定性好，但介电常数较低。综上可知，现有的电介质材料均存在明显的缺点，制成的电介质电容器尚难以完全满足日益增长的实际应用要求。
2、近些年来，随着微波通信行业的快速发展，电子器件趋于微型化。单层电容器因具有介质损耗低、无串扰效应等优点，其比多层电容器更加符合高频率电子线路的要求，而玻璃的高介电击穿和低介电损耗特性十分符合单层电容器的性能要求。
3、因此，开发一种在具有低介电损耗的同时还能保持较高介电常数的玻璃介质材料具有十分重要的意义。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供玻璃材料及其制备方法和应用。
2、本专利技术所采取的技术方案是：
3、本专利技术提供一种玻璃材料，包括以下摩尔百分比的组分：
4、氧化镧：5％～25％；
5、氧化铋：40％～70％；
...【技术保护点】
1.一种玻璃材料，其特征在于，包括以下摩尔百分比的组分：
2.根据权利要求1所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化镧、氧化硼的摩尔比为0.2～1:1。
3.根据权利要求2所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化镧、氧化硼的摩尔比为0.3～0.7:1。
4.根据权利要求1所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化铋、氧化硼的摩尔比为2～4:1。
5.根据权利要求4所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化铋、氧化硼的摩尔比为2.2～3:1。
6.根据权利要求1所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化铋和氧化硼的总摩尔量与二氧化锆、二氧化锡和三氧化二钕的总摩尔量的比为4.5～10:1。
7.根据权利要求6所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化铋和氧化硼的总摩尔量与二氧化锆、二氧化锡和三氧化二钕的总摩尔量的比为5～9.5:1。
8.一种封装玻璃粉，其特征在于，包含权利要求1～7中任意一项所述的玻璃材料。
9.一种太阳能电池，其特征在于，包含权利要求1～7中任意一项所述的玻璃材料。
10.一种电容器，其特
...【技术特征摘要】
1.一种玻璃材料，其特征在于，包括以下摩尔百分比的组分：
2.根据权利要求1所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化镧、氧化硼的摩尔比为0.2～1:1。
3.根据权利要求2所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化镧、氧化硼的摩尔比为0.3～0.7:1。
4.根据权利要求1所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化铋、氧化硼的摩尔比为2～4:1。
5.根据权利要求4所述的玻璃材料，其特征在于：所述氧化铋、氧化硼的摩尔比为2.2～3:1。
6.根据权利要求1所述的玻璃材料，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕明，章忠健，蒋存涛，刘振航，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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