【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种外延层内的滑移缺陷的检测系统及其检测方法。
技术介绍
1、在半导体集成电路制造中，常常会利用外延工艺在一晶片上外延生长所需的外延层，在外延生长的过程中外延材料将沿着晶片的结晶轴方向生长。然而，在外延生长的过程中，可能会受到衬底或者工艺的影响，导致所生长的外延层内会产生外延缺陷，例如包括外延层表面的划痕缺陷以及外延层内部的层错缺陷、滑移位错等，将半导体器件制作在具有缺陷的外延层上容易对器件的性能造成影响。
2、其中，外延层内的滑移缺陷对器件的影响尤其凸出，当器件所在的区域内存在有滑移缺陷时，将会极大可能的直接导致该器件失效。因此，有必要对外延层的滑移缺陷进行检测，以提高产品的良率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种外延层内的滑移缺陷的检测方法，以实现便捷、高效的滑移缺陷检测。
2、对此，本专利技术提供了一种外延层内的滑移缺陷的检测方法，包括：利用检测光扫描晶片上的外延层，并采集来自所述外延层的散射光信号；根据散射光的强度分布筛选出呈线性分布的散射光信号，以获得所述外延层上的线性缺陷；以及，根据所述外延层的晶向模拟出对应的滑移缺陷模型，并将各个线性缺陷与所述滑移缺陷模型进行比对，其中与所述滑移缺陷模型相匹配的线性缺陷判定为滑移缺陷。
3、可选的，在对所述外延层进行扫描前，将所述外延层划分为多个检测区域；检测光对所述外延层的各个检测区域进行扫描，以分别采集各个检测区域的散射光。
4、可选的，将
5、可选的，在采集到来自所述外延层的散射光后，还包括：对各个检测区域设置对应的信噪比阈值，并使各个检测区域基于对应的信噪比阈值过滤噪声信号。
6、可选的，在获得滑移缺陷之后，还包括：定位出各个滑移缺陷在外延层内的位置，并得到各个滑移缺陷的分布图。
7、可选的，所述滑移缺陷模型中的滑移线沿着预定角度和预定方向延伸，其中与所述滑移缺陷模型相匹配的线性缺陷为与所述滑移缺陷模型相匹配的沿着预定角度和预定方向延伸的线性缺陷。
8、本专利技术还提供了一种外延层的滑移缺陷的检测系统，包括：检测光发射模块，用于发射出检测光，以对晶片上的外延层进行扫描；散射光采集模块，用于采集来自所述外延层的散射光信号；第一筛选模块，用于根据散射光的强度分布筛选出呈线性分布的散射光信号，以获得所述外延层上的线性缺陷；以及，第二筛选模块，用于将各个线性缺陷与滑移缺陷模型进行比对，并筛选出与所述滑移缺陷模型相匹配的线性缺陷以判定为滑移缺陷，其中所述滑移缺陷模型是根据外延层的晶向模拟出。
9、可选的，该检测系统还包括：划分模块，用于将所述外延层划分为多个检测区域。
10、可选的，所述划分模块用于将所述外延层以其圆心为极点建立极坐标，并以预定角度将外延层划分出至少两个扇区，以及沿着外延层的半径方向以预定尺寸将各个扇区进一步划分出至少两个区域。
11、可选的，该检测系统还包括：噪声过滤模块，用于对各个检测区域设置对应的信噪比阈值，并使各个检测区域基于对应的信噪比阈值过滤噪声信号。
12、可选的，该检测系统还包括：信息整合模块，用于定位出各个滑移缺陷在外延层内的位置，并得到各个滑移缺陷的分布图。
13、本专利技术还提供了一种半导体加工方法，包括：在晶片上形成外延层，所述外延层上定义有多个用于制备半导体器件的器件区；采用如上所述的滑移缺陷的检测方法检测出外延层内的滑移缺陷；以及，判断滑移缺陷是否落入预定数量以上的器件区中；若是，则对当前的外延层执行返工或报废处理；若否，则在所述外延层上继续执行半导体器件的加工制程。
14、本专利技术提供的外延层内的滑移缺陷的检测方法中，根据外延层的晶向特征模拟出对应的滑移缺陷模型以作为滑移缺陷的参考对象，以便于在筛选出线性缺陷之后，可进一步从线性缺陷中筛选出与滑移缺陷模型相匹配的部分，从而可检测出外延层内的滑移缺陷。本专利技术提供的检测方法可以更加快捷、准确的获取滑移缺陷的检测结果，并可基于检测结果对半导体设备的工艺稳定性进行监控。
15、此外，在检测出外延层内的滑移缺陷之后，该检测结果还可用于预测出对后期形成的半导体器件的影响，从而可及时的对当前的外延层进行相应处理，避免滑移缺陷对后期形成的半导体器件造成重大损害。具体的，可根据滑移缺陷的分布而预测出其对后期形成的半导体器件的影响数量，当滑移缺陷落入预定数量以上的器件区内时，则可及时的对当前的外延层进行返工或报废处理，提前规避因为滑移缺陷而导致后期形成的半导体器件失效的问题，提高产品的良率。
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1.一种外延层内的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，在对所述外延层进行扫描前，将所述外延层划分为多个检测区域；检测光对所述外延层的各个检测区域进行扫描，以分别采集各个检测区域的散射光。
3.如权利要求2所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，将所述外延层划分为多个检测区域的方法包括：
4.如权利要求2所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，在采集到来自所述外延层的散射光后，还包括：对各个检测区域设置对应的信噪比阈值，并使各个检测区域基于对应的信噪比阈值过滤噪声信号。
5.如权利要求1所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，在获得滑移缺陷之后，还包括：定位出各个滑移缺陷在外延层内的位置，并得到各个滑移缺陷的分布图。
6.如权利要求1所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，所述滑移缺陷模型中的滑移线沿着预定角度和预定方向延伸，其中，与所述滑移缺陷模型相匹配的线性缺陷为与所述滑移缺陷模型相匹配的沿着预定角度和预定方向延伸的线性缺陷。p>
7.一种外延层的滑移缺陷的检测系统，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的外延层的滑移缺陷的检测系统，其特征在于，还包括：划分模块，用于将所述外延层划分为多个检测区域。
9.如权利要求8所述的外延层的滑移缺陷的检测系统，其特征在于，所述划分模块用于将所述外延层以其圆心为极点建立极坐标，并以预定角度将外延层划分出至少两个扇区，以及沿着外延层的半径方向以预定尺寸将各个扇区进一步划分出至少两个区域。
10.如权利要求8所述的外延层的滑移缺陷的检测系统，其特征在于，还包括：噪声过滤模块，用于对各个检测区域设置对应的信噪比阈值，并使各个检测区域基于对应的信噪比阈值过滤噪声信号。
11.如权利要求8所述的外延层的滑移缺陷的检测系统，其特征在于，还包括：信息整合模块，用于定位出各个滑移缺陷在外延层内的位置，并得到各个滑移缺陷的分布图。
12.一种半导体加工方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种外延层内的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，在对所述外延层进行扫描前，将所述外延层划分为多个检测区域；检测光对所述外延层的各个检测区域进行扫描，以分别采集各个检测区域的散射光。
3.如权利要求2所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，将所述外延层划分为多个检测区域的方法包括：
4.如权利要求2所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，在采集到来自所述外延层的散射光后，还包括：对各个检测区域设置对应的信噪比阈值，并使各个检测区域基于对应的信噪比阈值过滤噪声信号。
5.如权利要求1所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，在获得滑移缺陷之后，还包括：定位出各个滑移缺陷在外延层内的位置，并得到各个滑移缺陷的分布图。
6.如权利要求1所述的外延层的滑移缺陷的检测方法，其特征在于，所述滑移缺陷模型中的滑移线沿着预定角度和预定方向延伸，其中，与所述滑移缺陷模型相匹配的线性缺...
【专利技术属性】
技术研发人员：王通，王杰，严耿昕，曹敏，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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