【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备。
技术介绍
1、随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2d或者平面nand闪存的存储密度接近上限。
2、为克服2d或者平面nand闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(3d nand)，通过将存储单元三维地布置在衬底之上来提高存储密度。
3、然而，相关技术在三维结构的存储器的制作过程中，还存在损害三维存储器的问题。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种三维存储器及其制备方法、存储系统，旨在改善相关技术在制作过程中，损害三维存储器的问题。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、一方面，提供一种三维存储器，包括叠层结构和沟道结构。所述叠层结构包括交替层叠设置的栅极层和介质层。所述沟道结构贯穿所述叠层结构。其中，所述栅极层包括栅导电层和栅阻挡层，所述栅阻挡层至少位于所述栅导电层和所述沟道结构之间，所述栅导电层的材质包括mo。
4、相关技术中，栅导电层包括材料钨(w)，通常采用化学气相沉积工艺沉积w。化学气相沉积方法的钨可以由氟化钨(wf6)作为前驱体制备而成。在沉积w的过程中，会产生气体氟，气体氟会破坏氧化物。由于沟道结构的材质中包括氧化物，因此，气体氟会破坏沟道结构，对存储器件造成较大损害。此处，“前驱体”是指“前驱体”是用来合成、制备其他物质的经过特殊处理的配合料
5、此处，“栅导电层的材质包括mo”是指：栅导电层仅包括金属钼(mo)材料，或者，栅导电层包括mo和其他导电材料。通过上述设置，本公开的栅导电层能够避免使用金属钨(w)，在三维存储器的制作过程中能够避免使用wf6作为前驱体，因此，有利于改善在制作过程中，损害三维存储器的问题，有利于保护三维存储器，避免三维存储器被损害。
6、另外，相关技术中栅极层可以被构造为字线，降低字线电阻可以改善编程和擦除的速度。由于mo的电阻低于w，以使本公开中的字线电阻低于相关技术中的字线电阻，有利于提升三维存储器的编程和擦除的速度。
7、在一些实施例中，所述栅阻挡层的材质包括高介电常数材料。
8、在一些实施例中，所述栅阻挡层的材质包括hfo2。
9、在一些实施例中，所述栅阻挡层的晶相结构呈铁电相。
10、另一方面，提供一种三维存储器的制备方法，包括：形成初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替层叠设置的牺牲层和介质层。形成沟道结构，所述沟道结构贯穿所述初始叠层结构。将所述牺牲层替换为栅极层。其中，所述栅极层包括栅导电层和栅阻挡层，所述栅阻挡层至少位于所述栅导电层和所述沟道结构之间，所述栅导电层的材质包括mo。
11、在一些实施例中，所述将所述牺牲层替换为所述栅极层包括：去除牺牲层，以形成栅极间隙。在所述栅极间隙内沉积hfo2，以形成所述栅阻挡层。在所述栅极间隙沉积mo，以形成所述栅导电层。
12、在一些实施例中，制备方法还包括：对所述栅阻挡层进行热处理，以使所述栅阻挡层的晶相结构呈铁电相。
13、在一些实施例中，所述在所述栅极间隙沉积mo，包括：以mocl5作为前驱体，采用化学气相沉积工艺形成所述栅导电层。
14、在一些实施例中，所述在所述栅极间隙内沉积hfo2，包括：采用原子层沉积工艺形成所述栅阻挡层。
15、又一方面，提供一种存储系统，包括如上的一些实施例所述的三维存储器，以及控制器，所述控制器耦合至所述三维存储器，以控制所述三维存储器存储数据。
16、又一方面，提供一种电子设备，包括线路板和如上所述的存储系统，所述线路板与所述存储系统电连接。
17、可以理解地，本公开的上述实施例提供的三维存储器的制备方法、存储系统及电子设备，其所能达到的有益效果可参考上文中三维存储器的有益效果，此处不再赘述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅阻挡层的材质包括高介电常数材料。
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述栅阻挡层的材质包括HfO2。
4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述栅阻挡层的晶相结构呈铁电相。
5.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将所述牺牲层替换为所述栅极层包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，制备方法还包括：对所述栅阻挡层进行热处理，以使所述栅阻挡层的晶相结构呈铁电相。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极间隙沉积Mo，包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极间隙内沉积HfO2，包括：
10.一种存储系统，其特征在于，包括：
11.一种电子设备，其特征在于，包括线路板和如权利要求10所述的存储系统，所述线路板与所述存储系统电连接。p>...
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅阻挡层的材质包括高介电常数材料。
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述栅阻挡层的材质包括hfo2。
4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述栅阻挡层的晶相结构呈铁电相。
5.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将所述牺牲层替换为所述栅极层包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟明，贾建权，张安，靳磊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。