【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法及半导体芯片的制造方法。
技术介绍
1、在通过包括光刻的配线形成工序制造半导体器件时，作为显影液及冲洗液等处理液，使用含有水和/或有机溶剂的药液。
2、作为用于以往的抗蚀剂图案形成的药液，在专利文献1中公开了一种“在图案形成技术中，能够减少粒子的产生的、化学增幅型抗蚀剂膜的图案形成用有机系处理液的制造方法([0010]段)”。在专利文献1中公开了将上述有机系处理液用作显影液或冲洗液的方式。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2015-084122号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、另一方面，近年来，随着光刻技术的进步而微细化得到发展，还要求在制造半导体器件时所使用的抗蚀剂图案的更进一步的高精细化。
3、使用在专利文献1中具体记载的乙酸正丁酯形成抗蚀剂图案的结果，本专利技术人等发现了相对于当前所需的要求水平，所形成的抗蚀剂图案的图案之间的间隔的偏差大，需要进行更进一步的改善。另外，图案之间的间隔是指在形成多个线状图案时的线状图案的间隔。
4、本专利技术的课题在于提供一种在用作显影液或冲洗液时，能够形成图案间隔的偏差得到抑制的抗蚀剂图案的药液。
5、并且，本专利技术的课题还在于提供一种药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法及半导体芯片的制造方法。
6、用于解决技术课题的手段
7、为
8、(1)一种药液，其含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，
9、相对于药液总质量，乙酸正丁酯的含量为99.000～99.999质量％，
10、相对于药液总质量，乙酸异丁酯的含量为1.0～1000质量ppm。
11、(2)根据(1)所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
12、相对于药液总质量，乙酸戊酯类的含量为1.0～300质量ppm。
13、(3)根据(2)所述的药液，其中，乙酸戊酯类含有选自由乙酸1-甲基丁酯、乙酸2-甲基丁酯及乙酸3-甲基丁酯组成的组中的化合物。
14、(4)如(2)或(3)所述的药液，其中，乙酸异丁酯的含量与乙酸戊酯类的含量的质量比为0.5～300。
15、(5)根据(1)至(4)中任一项所述的药液，其还含有丙酸丁酯，
16、相对于药液总质量，丙酸丁酯的含量为1.0～700质量ppm。
17、(6)根据(5)所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
18、丙酸丁酯的含量与乙酸戊酯类的含量的质量比为0.10～10.0。
19、(7)根据(1)至(6)中任一项所述的药液，其还含有甲酸丁酯，
20、相对于药液总质量，甲酸丁酯的含量为1.0～50质量ppm。
21、(8)根据(1)至(7)中任一项所述的药液，其还含有二丁醚，
22、相对于药液总质量，二丁醚的含量为5.0～500质量ppm。
23、(9)根据(8)所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
24、二丁醚的含量与乙酸戊酯类的含量的质量比超过0.5且为35.0以下。
25、(10)根据(1)至(9)中任一项所述的药液，其还含有1-丁醇，
26、相对于药液总质量，1-丁醇的含量为5.0～3500质量ppm。
27、(11)根据(1)至(10)中任一项所述的药液，其还含有硫酸根，
28、相对于药液总质量，硫酸根的含量为1.0～200质量ppm。
29、(12)根据(11)所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
30、硫酸根的含量与乙酸戊酯类的含量的质量比为0.01～10.0。
31、(13)根据(1)至(12)中任一项所述的药液，其还含有金属成分，
32、相对于药液总质量，金属成分的含量为0.01～150质量ppt。
33、(14)根据(13)所述的药液，其中，乙酸异丁酯的含量与金属成分的含量的质量比为104～107。
34、(15)根据(1)至(13)中任一项所述的药液，其还含有硫酸根及金属成分，
35、硫酸根的含量与金属成分的含量的质量比为104～108。
36、(16)根据(1)至(15)中任一项所述的药液，其用作显影液或冲洗液。
37、(17)一种药液容纳体，其含有容器和容纳于容器中的(1)至(16)中任一项所述的药液。
38、(18)根据(17)所述的药液容纳体，其中，与容器内的药液接触的液体接触部由经电解抛光的不锈钢或氟系树脂形成。
39、(19)根据(17)或(18)所述的药液容纳体，其中，由后述的式(1)求出的容器内的孔隙率为5～30体积％。
40、(20)一种抗蚀剂图案形成方法，其包括：
41、使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物在基板上形成涂膜的工序；
42、对涂膜进行曝光的工序；
43、使用显影液对经曝光的涂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，
44、所述抗蚀剂图案形成方法中，显影液为(1)至(16)中任一项所述的药液。
45、(21)一种抗蚀剂图案形成方法，其包括：
46、使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物在基板上形成涂膜的工序；
47、对涂膜进行曝光的工序；
48、使用显影液对经曝光的涂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；及
49、使用冲洗液对抗蚀剂图案进行清洗的工序，
50、所述抗蚀剂图案形成方法中，冲洗液为(1)至(16)中任一项所述的药液。
51、(22)一种半导体芯片的制造方法，其包括(20)或(21)所述的抗蚀剂图案形成方法。
52、(23)一种药液，其含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，
53、相对于药液总质量，乙酸正丁酯的含量为99.000～99.999质量％，
54、相对于药液总质量，乙酸异丁酯的含量为1.0～1000质量ppm，
55、所述药液还含有金属成分，
56、相对于药液总质量，金属成分的含量为0.01～100质量ppt。
57、(24)一种药液，其含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，
58、相对于药液总质量，乙酸正丁酯的含量为99.000～99.999质量％，
59、相对于药液总质量，乙酸异丁酯的含量为1.0～1000质量ppm，
60、所述药液还包含乙酸戊酯类、丙酸丁酯、1-丁醇、甲酸丁酯及二丁醚，
61、相对于药液总质量，乙酸戊酯类的含量为0.1～4000质量ppm，
62、相对于药液总质量，丙酸丁酯的含量为0本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种药液，其含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，
2.根据权利要求1所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
3.根据权利要求2所述的药液，其中，
4.根据权利要求2所述的药液，其中，
5.根据权利要求1所述的药液，其还含有丙酸丁酯，
6.根据权利要求5所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
7.根据权利要求1或2所述的药液，其还含有甲酸丁酯，
8.根据权利要求1所述的药液，其还含有二丁醚，
9.根据权利要求8所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
10.根据权利要求1或2所述的药液，其还含有1-丁醇，
11.根据权利要求1所述的药液，其还含有硫酸根，
12.根据权利要求11所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
13.根据权利要求1所述的药液，其还含有金属成分，
14.根据权利要求13所述的药液，其中，
15.根据权利要求1或2所述的药液，其还含有硫酸根及金属成分，
16.根据权利要求1或2所述的药液，其用作显影液或冲
17.一种药液容纳体，其含有容器和容纳于所述容器中的权利要求1至16中任一项所述的药液。
18.根据权利要求17所述的药液容纳体，其中，
19.根据权利要求17或18所述的药液容纳体，其中，
20.一种抗蚀剂图案形成方法，其包括：
21.一种抗蚀剂图案形成方法，其包括：
22.一种半导体芯片的制造方法，其包括权利要求20或21所述的抗蚀剂图案形成方法。
...【技术特征摘要】
1.一种药液，其含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，
2.根据权利要求1所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
3.根据权利要求2所述的药液，其中，
4.根据权利要求2所述的药液，其中，
5.根据权利要求1所述的药液，其还含有丙酸丁酯，
6.根据权利要求5所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
7.根据权利要求1或2所述的药液，其还含有甲酸丁酯，
8.根据权利要求1所述的药液，其还含有二丁醚，
9.根据权利要求8所述的药液，其还含有乙酸戊酯类，
10.根据权利要求1或2所述的药液，其还含有1-丁醇，
11.根据权利要求1所述的药液，其还含有硫酸根，
12.根据权利要求11所述的药液，...
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