【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆背面对位标记及其制作方法、晶圆背面切割方法、晶圆背面光刻方法、以及半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。硅晶棒经过线切割打磨成厚度在大约1mm内的裸晶圆，然后裸晶圆通过正面工艺和后道工艺制程做成带芯片的晶圆（wafer）且通过一定方式分切成晶粒（die），将切割下来的晶粒进行封装形成晶片，最后对封装好的芯片进行测试。
2、在晶圆制程工艺中，例如，晶圆划片或光刻，均需要在晶圆上设置相应的对位标记。
3、以晶圆划片为例，在芯片的封装工艺在中，晶圆划片是一道必不可少的工序，将做好芯片的整片晶圆按晶粒大小和预留划片道分割成单一的晶粒。随着晶粒尺寸和厚度的减小以及晶圆划片道宽度的减小，划片工艺对晶粒质量的影响越来越突出。
4、一般地，是沿着晶圆正面的划片道对晶圆进行切割从而将芯片从晶圆上分离下来。但是在一些特殊的封装工艺中，例如晶圆级封装（wafer level packaging，wlp），由于有不透明的环氧树脂覆盖，造成晶圆正面划片时不能有效识别晶圆正面的划片道，使得划片对位很困难。因此有必要从晶圆背面开始划片，而晶圆背面没有划片道，如何使位于晶圆背面一侧的切割刀对准位于晶圆正面的划片道就成了一个棘手的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上相关技术的缺失，本公开的目的在于提供一种晶圆背面对位标记及其制作方法、晶圆背面切割方法、晶圆背面光刻方法、以及半导体器件的制备方
2、本公开第一方面提供一种晶圆背面对位标记的制作方法，包括如下步骤：
3、提供晶圆，所述晶圆正面布设有管芯和纵横交错的划片道；
4、在所述晶圆正面的边缘区域制作与所述划片道对应的盲孔阵列，其中，在所述盲孔阵列中，对应于每一个划片道包括至少两个盲孔，且，所述盲孔的孔深要大于第一厚度；
5、对所述晶圆背面的中间区域进行减薄处理，并在减薄后的所述晶圆背面的中间区域制作金属层，其中，制作金属层之后的中间区域的厚度为第一厚度；以及
6、对所述晶圆背面的边缘区域进行研磨，使所述边缘区域中的盲孔阵列完全显露，形成显现于所述晶圆背面能供晶圆划片或光刻用的晶圆背面对位标记。
7、在第一方面的某些示例中，在所述晶圆正面的边缘区域制作与所述划片道对应的盲孔阵列包括：沿着每一个划片道，在所述晶圆正面的边缘区域制作至少两个盲孔。
8、在第一方面的某些示例中，在所述晶圆正面的边缘区域制作盲孔是通过激光打孔方式或刻蚀工艺实现的。
9、在第一方面的某些示例中，所述边缘区域为距离晶圆外缘4毫米以内的区域。
10、在第一方面的某些示例中，在减薄后的所述晶圆背面的中间区域制作金属层包括：采用溅射工艺或蒸发工艺在所述晶圆背面的版图区域沉积金属层。
11、在第一方面的某些示例中，对所述晶圆背面的边缘区域进行研磨之后，所述晶圆的边缘区域与所述晶圆的中间区域之间的台阶高度差小于等于10微米。
12、本公开第二方面提供一种晶圆背面对位标记，所述晶圆背面对位标记是通过如前所述的晶圆背面对位标记的制作方法在晶圆上制作的。
13、本公开第三方面提供一种晶圆背面切割方法，包括如下步骤：通过如前所述的晶圆背面 对位标记的制作方法在晶圆上制作出晶圆背面对位标记；利用所述晶圆背面对位标记，由所述晶圆背面进行划片处理。
14、本公开第四方面提供一种晶圆光刻方法，包括如下步骤：通过如前所述的晶圆背面对位标记的制作方法在晶圆上制作出晶圆背面对位标记；利用所述晶圆背面对位标记，由所述晶圆背面进行光刻处理。
15、本公开第五方面提供一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法包括利用如前所述的晶圆背面对位标记的制作方法对晶圆进行加工。
16、本公开实施例提供一种晶圆背面对位标记及其制作方法、晶圆背面切割方法、晶圆背面光刻方法、以及半导体器件的制备方法，该晶圆背面对位标记的制作方法包括：提供晶圆，所述晶圆正面布设有管芯和纵横交错的划片道；在晶圆正面的边缘区域制作与划片道对应的盲孔阵列，其中，对应于每一个划片道包括至少两个盲孔，且，所述盲孔的孔深要大于第一厚度；对晶圆背面的中间区域进行减薄处理，并在减薄后的晶圆背面的中间区域制作金属层；对晶圆背面的边缘区域进行研磨，使所述边缘区域中的盲孔阵列完全显露，形成显现于晶圆背面能供晶圆划片或光刻用的晶圆背面对位标记。如此，可利用制作的晶圆背面对位标记，能在晶圆背面执行包括晶圆切割或晶圆光刻在内等工艺，解决相关技术中在晶圆背面进行相关制程工艺时欠缺有效的晶圆背面对位标记的缺失。
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1.一种晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，在所述晶圆正面的边缘区域制作与所述划片道对应的盲孔阵列包括：
3.根据权利要求1或2所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，在所述晶圆正面的边缘区域制作盲孔是通过激光打孔方式或刻蚀工艺实现的。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，所述边缘区域为距离晶圆外缘4毫米以内的区域。
5.根据权利要求1所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，在减薄后的所述晶圆背面的中间区域制作金属层包括：采用溅射工艺或蒸发工艺在所述晶圆背面的版图区域沉积金属层。
6.根据权利要求1所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，对所述晶圆背面的边缘区域进行研磨之后，所述晶圆的边缘区域与所述晶圆的中间区域之间的台阶高度差小于等于10微米。
7.一种晶圆背面对位标记，其特征在于，所述晶圆背面对位标记是通过如权利要求1至6中任一项所述的晶圆背面对位标记的制作方法在晶圆上制作
8.一种晶圆背面切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
9.一种晶圆背面光刻方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括利用如权利要求1至6中任一项所述的晶圆背面对位标记的制作方法对晶圆进行加工。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，在所述晶圆正面的边缘区域制作与所述划片道对应的盲孔阵列包括：
3.根据权利要求1或2所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，在所述晶圆正面的边缘区域制作盲孔是通过激光打孔方式或刻蚀工艺实现的。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，所述边缘区域为距离晶圆外缘4毫米以内的区域。
5.根据权利要求1所述的晶圆背面对位标记的制作方法，其特征在于，在减薄后的所述晶圆背面的中间区域制作金属层包括：采用溅射工艺或蒸发工艺在所述晶圆背面的版图区...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄平，鲍利华，顾海颖，王祥亮，姚智圣，
申请(专利权)人：上海朕芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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