【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及电路领域，尤其涉及一种供电电路和开关电源。
技术介绍
1、在电子设备中，广泛使用多个供电路径或多个电源向电子设备内的用电电路供电。以多个供电路径为例，用电电路的电源端子可以连接第一供电路径和第二供电路径。在第一供电路径和第二供电路径向该用电电路的电源端子输出的电压不同的情况下，输出电压高的第一供电路径会向输出电压低的第二供电路径产生倒灌，在第二供电路径上形成反向的逆向电流(以下简称为逆流)，当第一供电路径和第二供电路径的压差超出一定范围时，容易造成电路的损坏。目前，可以通过二极管、继电器、mosfet器件(金属-氧化物半导体场效应晶体管)等防止逆流。
2、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、专利技术人发现：在利用具有体二极管的mosfet器件防止逆流的情况下，在mosfet器件导通时，由于mosfet器件的寄生三极管等影响，该mosfet器件的电流被分流，导致提供给用电电路的电源端子的电流减少。此外，在现有的利用mosfet器件防止逆流的电路中，电路结构比较复杂，电路所占空间较大，不利于集成电路(ic)的小型化。
2、针对上述问题的至少之一，本申请实施例提供一种供电电路和开关电源。
3、根据本申请实施例的一方面，提供一种供电电路，其向用电
4、根据本申请实施例的另一方面，提供一种开关电源，所述开关电源包括：用电电路；以及如本申请实施例的一方面所述的供电电路，其向所述用电电路供电。
5、本申请实施例的有益效果之一在于：通过在逆流防止电路的n型mosfet器件的源极和背栅之间插入第一电阻，能够抑制该n型mosfet器件的寄生pnp晶体管的基极电流，从而抑制寄生电流，进而能够可靠地向用电电路的电源端子提供电流。此外，通过使n型mosfet器件的源极和栅极与启动电路连接，能够通过启动电路控制n型mosfet器件导通或截止，从而能够简化逆流防止电路的结构，有助于逆流防止电路的小型化和减小损耗。
6、参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
7、针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
8、应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
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1.一种供电电路(100)，其向用电电路(200)提供电力，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的供电电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的供电电路，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的供电电路，其特征在于，所述启动电路(1)还包括开关器件(13)，所述开关器件(13)包括第二MOSFET器件(131)，所述第二MOSFET器件(131)的漏极与所述第一MOSFET器件(11)的栅极连接，所述第二MOSFET器件(131)的源极接地，所述第二MOSFET器件(131)的栅极根据所述用电电路(200)的状态被提供相应的控制信号。
7.根据权利要求6所述的供电电路，其特征在于，所述开关器件(13)还包括稳压二极管(132)，所述稳压二极管的负极与所述第二MOSFET器件(131)的漏极连接，所述稳压二极管的正极与所述第二MOSFET器件(131)的源极连接。
8.一种半导体装置，其特征在于，所述半导
9.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
10.一种开关电源，其特征在于，所述开关电源包括：
...【技术特征摘要】
1.一种供电电路(100)，其向用电电路(200)提供电力，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的供电电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的供电电路，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的供电电路，其特征在于，所述启动电路(1)还包括开关器件(13)，所述开关器件(13)包括第二mosfet器件(131)，所述第二mosfet器件(131)的漏极与所述第一mosfet器件(11)的栅极连接，所述第二mo...
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