【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光照射剥离用的粘接剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法。
技术介绍
1、就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(tsv：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。
2、薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况而容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易拆卸。
3、例如，追求如下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)。
4、为了这样的粘接和分离工艺，公开了利用激光照射的方法(例如参照专利文献1、2)，但随着近年来的半导体领域中的进一步的进展，始终谋求与利用激光等光的照射实现的剥离相关的新技术。
5、此外，在通过将支承体临时粘接来对基板进行加工的方法中，作为成为临时粘接的对象的基板，除了如上所述的以薄化为目的的半导体基板以外，还可列举出：包括多个
6、包括半导体元件(也称为半导体芯片基板)的半导体封装(电子部件)根据对应尺寸而存在各种形态，例如存在wlp(wafer level package：晶片级封装)、plp(panel levelpackage：面板级封装)等。
7、为了谋求半导体封装的小型化，重要的是，减薄组装的元件中的基板的厚度。然而，若减薄基板的厚度，则其强度降低，在制造半导体封装时容易发生基板的破损。针对于此，已知：使用粘接剂将基板临时粘接于支承体，进行基板的加工后，将基板与支承体分离的技术(例如参照专利文献3～5)。
8、现有技术文献
9、专利文献
10、专利文献1：日本特开2004－64040号公报
11、专利文献2：日本特开2012－106486号公报
12、专利文献3：日本特开2019－34541号公报
13、专利文献4：日本特开2020－107649号公报
14、专利文献5：国际公开第2021/131395号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、在上述专利文献1和2中记载了一种层叠体，其为了通过激光照射将相当于上述半导体晶片的半导体基板与支承体剥离，在半导体基板与支承体之间，层叠接合层(粘接剂层)和包含光吸收剂的光转换层(也称为分离层)这两层。
3、再者，若能以一层的形式形成兼具上述粘接剂层的粘接功能和能将上述分离层的基板与支承体剥离的剥离功能这两个功能的层，则能将上述粘接剂层和上述分离层这两层构成制成一层构成，减少层数，因此，从制作更简便的构成的层叠体的观点考虑，是理想的。
4、因此，期望提供一种层叠体，其具有兼备粘接功能和利用光的剥离功能这两种功能的、能通过光照射而剥离的粘接剂层，且该粘接剂层能将半导体基板与支承体剥离。
5、此外，在上述专利文献3和4中记载了一种层叠体，其为了通过激光照射将具有配置于密封树脂层中的多个半导体芯片基板的上述电子器件层与支承体剥离，在电子器件层与支承体之间，层叠粘接层(粘接剂层)和分离层这两层。
6、但是，如上所述，从减少层数，制作更简便的构成的层叠体的观点考虑，理想的是，能提供一种层叠体，其中，具有一层中形成有兼具粘接剂层的粘接功能和分离层的剥离功能这两种功能的层的、能剥离的粘接剂层。
7、上述专利文献5中记载了一种层叠体，其中，具有一层中形成有兼具粘接剂层的粘接功能和分离层的剥离功能这两种功能的层的、能剥离的粘接剂层。就是说，记载了一种层叠体，其中，为了通过激光照射将具有配置于密封树脂层中的多个半导体芯片基板的上述电子器件层与支承体剥离，在电子器件层与支承体之间，形成有兼具粘接功能和剥离功能的、能剥离的粘接剂层。
8、但是，用于形成专利文献5中记载的粘接剂层的粘接剂组合物所使用的粘合剂树脂限于氨基甲酸酯树脂系，在专利文献5中仅对含有该特定的粘合剂树脂和通常的颜料或染料的粘接剂组合物进行了记载。
9、为了以往的半导体领域的进一步的进展，对于所使用的粘接剂组合物，也始终要求开发新的种类。
10、因此，本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种层叠体、形成如下能剥离的粘接剂层的粘接剂组合物、以及使用如下层叠体的经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法，所述层叠体具有一层中既具有粘接功能也具有剥离功能的、能通过光照射而剥离的粘接剂层，所述层叠体在半导体基板或电子器件层的加工时，能将支承基板与该半导体基板或该电子器件层牢固地粘接，并且在基板加工后，能通过光照射将支承基板与该半导体基板或该电子器件层容易地分离。
11、用于解决问题的方案
12、本专利技术人等为了解决所述的技术问题而进行了深入研究，结果发现能解决所述的技术问题，完成了具有以下主旨的本专利技术。
13、即，本专利技术包含以下内容。
14、[1]一种光照射剥离用的粘接剂组合物，其用于形成如下层叠体的下述粘接剂层，所述层叠体具有：半导体基板或电子器件层、支承基板以及设于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板之间的粘接剂层，所述电子器件层包括多个半导体芯片基板和配置于所述半导体芯片基板间的密封树脂，并且所述层叠体用于：在所述粘接剂层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板剥离，所述粘接剂组合物含有：光吸收化合物、有机树脂以及有机溶剂，所述光吸收化合物通过吸收所述光而有助于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板变得容易剥离，所述光吸收化合物为具有如下结构的化合物、或多酚系的化合物，所述结构为选自由二苯甲酮结构、二苯胺结构、二苯基亚砜结构、二苯砜结构、偶氮苯结构、二苯并呋喃结构、芴酮结构、咔唑结构、蒽醌结构、9，9－二苯基－9h－芴结构、萘结构、蒽结构、菲结构、吖啶结构、芘结构、苯基苯并三唑结构以及源自肉桂酸的结构构成的组中的结构。
15、[2]根据[1]所述的粘接剂组合物，其中，所述光吸收化合物为具有下述式(1)～(8)中的任意式所示的结构的化合物。
16、
17、(式(1)～(8)中，r1～r13各自独立地表示卤素原子或一价基团。
18、x表示单键、－o－、－co－、－nr31－(r31表示氢原子、任本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光照射剥离用的粘接剂组合物，其用于形成如下层叠体的下述粘接剂层，所述层叠体具有：半导体基板或电子器件层、支承基板以及设于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板之间的粘接剂层，所述电子器件层包括多个半导体芯片基板和配置于所述半导体芯片基板间的密封树脂，并且所述层叠体用于：在所述粘接剂层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板剥离，
2.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，
3.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，
4.根据权利要求3所述的粘接剂组合物，其中，
5.一种层叠体，其中，具有：半导体基板或电子器件层、透光性的支承基板以及设于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板之间的粘接剂层，
6.一种经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法，其中，包括：
7.根据权利要求6所述的经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光照射剥离用的粘接剂组合物，其用于形成如下层叠体的下述粘接剂层，所述层叠体具有：半导体基板或电子器件层、支承基板以及设于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板之间的粘接剂层，所述电子器件层包括多个半导体芯片基板和配置于所述半导体芯片基板间的密封树脂，并且所述层叠体用于：在所述粘接剂层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板剥离，
2.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其...
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