System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种两段氧化沉钴的方法技术_技高网

一种两段氧化沉钴的方法技术

技术编号:44158946 阅读:1 留言:0更新日期:2025-01-29 10:29
本发明专利技术公开了一种两段氧化沉钴的方法,包括:氧化沉钴前净化渣的预处理,净化渣用硫酸稀释液或废电解液进行浸出,得到高镉、高钴、高锰的沉淀前液,再锌粉置换除镉,所述浸出液加入锌粉置换除镉;一段氧化,在所述沉钴前液中加入高锰酸钾;二段氧化,在所述高钴前液中添加过硫酸钠,进行二次氧化;利用该方法进行一段氧化沉淀得到含二氧化锰较高的渣可以返回锌焙砂浸出代替锰粉回用实现锰金属的资源回收利用,二段氧化产出的钴渣品位与净化渣相比富集30倍以上,解决了采用氧化法沉淀高锰酸钾的消耗量太大,造成钴渣钴贫化且一次氧化沉钴对高含锰溶液不适用,产出钴渣品位低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于矿业工程,具体涉及一种两段氧化沉钴的方法


技术介绍

1、在湿法锌冶炼过程中,钴金属主要通过锌系统净化工艺高温锑盐除钴进入到净化渣中,净化渣再采用“净化渣酸浸-酸浸液两段锌粉置换回收钴-置换钴后液锌粉+锑盐沉钴”工艺,钴进入到钴渣。但是目前沉钴工艺重点是将钴从系统开路,得到的钴渣锌镉含量高、钴品位低,并未实现钴金属的资源化利用。同时结合原料金属情况,沉钴前液中锰含量较高(是钴金属含量的10倍),采用氧化法沉淀高锰酸钾的消耗量太大;溶液中的锰主要以硫酸锰的形式存在,加入高锰酸钾后生成二氧化锰沉淀,与氧化沉淀的钴金属混在一起,造成钴渣钴贫化且一次氧化沉钴对高含锰溶液不适用,产出钴渣品位依旧低。因此,开发一种能解决上述技术问题的方法是非常必要的。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种两段氧化沉钴的方法,解决采用氧化法沉淀高锰酸钾的消耗量太大,造成钴渣钴贫化且一次氧化沉钴对高含锰溶液不适用,产出钴渣品位低的问题。

2、本专利技术提供一种两段氧化沉钴的方法,所述的两段氧化沉钴方法的二段氧化产出的钴渣品位与净化渣相比富集30倍以上,具体包括以下步骤:

3、s1、预处理:

4、1)将氧化沉钴前净化渣中加入硫酸稀释液或废电解液进行浸出得到含铜渣a和高镉高钴高锰沉钴前液b;

5、2)在高镉高钴高锰沉钴前液b中加入锌粉置换除镉得到海绵镉渣c和高锰高钴沉钴前液d;

6、s2、一段氧化:将高锰高钴沉钴前液d中加入高锰酸钾进行氧化得到高钴溶液e和高含锰渣f;

7、s3、二段氧化:将高钴溶液e中加入过硫酸钠进行氧化得到高钴渣g和低钴液h。

8、具体操作如下:

9、氧化沉钴前净化渣的预处理:净化渣用硫酸稀释液或废电解液进行浸出,控制浸出终酸、浸出时间、反应温度、液固比,保证钴的浸出率,获得一个高镉、高钴、高锰的沉钴前液;在沉钴前液中加入锌粉置换除镉,控制反应时间、反应温度、锌粉加入量,保证镉的脱出率,过滤,获得一个高钴、高锰的沉钴前液和一个海绵镉渣,海绵镉渣用于后段提取海绵镉;

10、在所得沉钴前液中加入高锰酸钾,进行一次氧化,控制反应时间、反应温度、高锰酸钾加入量,过滤,得到一个高钴溶液和一个高锰的渣,将高锰的渣可以返到焙砂浸出氧化槽代替锰粉使用;

11、在所得高钴前液中添加过硫酸钠,进行二次氧化,控制反应时间、反应温度、过硫酸钠加入量,溶液终点ph,过滤,得到得到一个高钴的渣和低钴的溶液,高钴的渣外卖,低钴溶液可以作为调浆液返到流程中,即可。

12、本专利技术所述的两段氧化沉钴的方法具有如下优点:(1)实现了高含锰渣中钴金属的富集,且富集30倍以上;(2)沉锰效果好,后液锰含量<50mg/l,沉钴效果好,沉钴后液含钴<15mg/l;(3)与生产匹配性好,实现了净化渣中镉、锰、钴三种金属的资源回收利用;(4)一段高锰酸钾氧化锰生成二氧化锰返回中浸回收利用,且避免对钴渣的贫化,二段过硫酸钠氧化钴不引入杂质;(5)氧化剂氧化效果好,成本低。

13、一次用高锰酸钾氧化除杂,高锰酸钾氧化性强、添加量少,将含量高、金属活性好的金属锰先沉淀入渣,过滤后得到纯度高、锰高含高的二氧化锰渣返回中浸回用;预处理后杂质含量较低的溶液再用过硫酸钠进行二次氧化沉淀钴,得到含co较高的钴渣,从而达到分离、提纯co的目的。

14、如果两次氧化都用高锰酸钾,一次氧化效果不变,但二次氧化沉钴的钴渣品位会降低,高锰酸钾被还原后生成二氧化锰沉淀进渣,对钴贫化,钴渣与净化渣相比只能富集15倍左右。

15、如果两次氧化都用过硫酸钠,过硫酸钠的氧化性稍弱,添加量大,沉钴后液返回前段工艺做调浆液时含钠高,对系统流程不利。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种两段氧化沉钴的方法,其特征在于,所述的两段氧化沉钴方法的二段氧化产出的钴渣品位与净化渣相比富集30倍以上,具体包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的两段氧化沉钴的方法,其特征在于,S1步骤1)中所述的浸出是控制浸出始酸100~120g/l,终点pH4.0~5.0,浸出时间0.5~1.5h、反应温度70~90℃、液固比(2~4):1进行浸出。

3.根据权利要求1所述的两段氧化沉钴的方法,其特征在于,S1步骤2)中锌粉置换除镉是控制反应时间40~50min、反应温度60~70℃进行反应;其中锌粉加入量按照镉含量的0.8~1.2倍加入。

4.根据权利要求1所述的两段氧化沉钴的方法,其特征在于,S2中高锰酸钾加入量是根据高锰高钴沉钴前液d的硫酸锰含量计算高锰酸钾的加入量,按照理论量0.8-0.9倍的加入。

5.根据权利要求1所述的两段氧化沉钴的方法,其特征在于,S2中所述氧化的反应条件为:反应时间1~2h、反应温度70~80℃。

6.根据权利要求1所述的两段氧化沉钴的方法,其特征在于,S3中过硫酸钠加入量按照钴含量理论消耗量1.0-1.2倍加入。

7.根据权利要求1所述的两段氧化沉钴的方法,其特征在于,S3中所述氧化的反应条件为:反应时间0.5~1.5h、反应温度60~80℃,溶液终点pH4.5-5.0。

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【技术特征摘要】

1.一种两段氧化沉钴的方法,其特征在于,所述的两段氧化沉钴方法的二段氧化产出的钴渣品位与净化渣相比富集30倍以上,具体包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的两段氧化沉钴的方法,其特征在于,s1步骤1)中所述的浸出是控制浸出始酸100~120g/l,终点ph4.0~5.0,浸出时间0.5~1.5h、反应温度70~90℃、液固比(2~4):1进行浸出。

3.根据权利要求1所述的两段氧化沉钴的方法,其特征在于,s1步骤2)中锌粉置换除镉是控制反应时间40~50min、反应温度60~70℃进行反应;其中锌粉加入量按照镉含量的0.8~1.2倍加入。

4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:保佳懿包崇军邹维刘维维陈华君杨万鑫梁艳辉熊国焕刘艳冰杨勇朱红旭
申请(专利权)人:昆明冶金研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

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