【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，特别是涉及一种硅基半导体复合基板及其制备方法与应用。
技术介绍
1、玻璃基半导体显示产品常用的半导体材料和器件有非晶硅半导体、金属氧化物半导体和低温多晶硅半导体，其中：非晶硅半导体具有低成本的优势，但是迁移率低于1cm2/v·s，难以应用于高分辨率高刷新等高端产品；金属氧化物半导体适合大面积生产，且迁移率在逐年提升，但仍低于50cm2/v·s，且阈值电压不够稳定，驱动micro led(微发光二极管显示器)较为困难；低温多晶硅器件具有50cm2/v·s-100cm2/v·s的高迁移率，可以驱动高端lcd(液晶显示器)、oled(有机发光二极管)和micro led产品，但针对移动产品低功耗的要求，ltps驱动能力无法将功耗进一步降低。
2、硅基半导体具有约为1000cm2/v·s的高迁移率，但制造工艺中需要使用上千摄氏度的高温，远超玻璃基板的应变点，并且无法大尺寸化，因此一直无法应用在玻璃基显示。为了制造玻璃基高迁移率器件，可以参考智能切削制备soi(绝缘体上硅)的技术，将单晶硅膜转移至玻璃基底上，然而转移的方式往往采用阳极键合或siox-siox键合，这两种键合的腔室无法太大，导致只能进行晶圆级大小的键合和硅膜转移，所以soi和siog的大尺寸化依旧存在难题。因此还需要开发新型的硅基半导体复合基板制备工艺。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种硅基半导体复合基板及其制备方法与应用，能够解决soi和siog的大尺寸化问题，从而扩大soi和siog的
2、本申请的第一方面提供了一种硅基半导体复合基板的制备方法，包括步骤：将soi片或siog片放进玻璃面板的空腔后真空压合；其中，所述空腔的底部涂覆有玻璃封接浆料层；然后600℃-700℃退火10min-35min，得到所述硅基半导体复合基板。
3、在本申请的一些实施方式中，所述真空压合的压力为5mpa-3500mpa，所述真空压合的时间为1min-10min。
4、在本申请的一些实施方式中，所述soi片或siog片的边缘和所述空腔的内边缘的距离为1mm-2mm。
5、在本申请的一些实施方式中，所述玻璃封接浆料层的厚度为0.05mm-5mm。
6、在本申请的一些实施方式中，带有空腔的玻璃面板的制备方法包括步骤：在玻璃面板载板表面涂覆玻璃封接浆料层，然后和带有通孔的玻璃面板模具粘合，得到所述带有空腔的玻璃面板；或者，在玻璃面板载板上激光加工或刻蚀出空腔，然后在所述空腔的底部涂覆玻璃封接浆料层，得到所述带有空腔的玻璃面板；其中，所述空腔的高度小于所述玻璃面板载板的原始厚度。
7、在本申请的一些实施方式中，所述siog片的制备方法包括步骤：在硅片上生长氧化硅层；向所述硅片中注入氢离子；将所述氧化硅层与玻璃薄片键合；退火发生氢爆剥离；通过化学机械抛光工艺减薄，去除氢爆缺陷层，得到所述siog片。
8、在本申请的一些实施方式中，siog片的制备方法中，所述氢离子的注入深度为60nm-2000nm；所述氧化硅层的厚度为10nm-300nm；所述化学机械抛光工艺减薄的厚度为50nm-2250nm。
9、本申请的第二方面提供了根据本申请的第一方面的方法制备得到的硅基半导体复合基板。
10、本申请的第三方面提供了本申请的第二方面提供的硅基半导体复合基板在制备半导体显示器件中的应用。
11、本申请的第四方面提供了一种制备半导体显示器件的方法，包括步骤：
12、对本申请的第一方面所述的方法制备得到的硅基半导体复合基板上的硅片进行图案化，然后在所述硅片表面依次形成栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、源漏极层和平坦层；
13、在所述平坦层上形成电极层，然后和micro led键合，得到玻璃基半导体显示器件；剥离去掉玻璃，得到柔性半导体显示器件；或者，在所述平坦层上蒸镀有机发光器件并封装，得到有机半导体显示器件；或者，在所述平坦层上形成公共电极和像素电极层，得到液晶显示驱动背板，并对盒得到液晶显示器件。
14、本申请的有益效果：本申请通过使用玻璃封接浆料在一定压力下将soi片或siog片与带有空腔的玻璃面板压合，在快速热退火设备中600℃-700℃退火10min-35min，使得soi片或siog片和玻璃面板粘结在一起，解决soi和siog的大尺寸化的技术难题，从而扩大soi和siog的应用范围。本申请提供的硅基半导体复合基板迁移率高。
15、当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种硅基半导体复合基板的制备方法，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，
4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，
5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，带有空腔的玻璃面板的制备方法包括步骤：
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其中，所述SiOG片的制备方法包括步骤：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法制备得到的硅基半导体复合基板。
9.权利要求8所述的硅基半导体复合基板在制备半导体显示器件中的应用。
10.一种制备半导体显示器件的方法，包括步骤：
【技术特征摘要】
1.一种硅基半导体复合基板的制备方法，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，
4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，
5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，带有空腔的玻璃面板的制备方法包括步骤：
6.根据权利要求1-5中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎午升，姚琪，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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