一种静电释放电路制造技术

技术编号：44154177 阅读：9 留言：0更新日期：2025-01-29 10:26

本发明专利技术实施例公开了一种静电释放电路。该电路包括：第一级保护电路，第一级保护电路连接信号焊盘，用于进行人体模型保护；第二级保护电路，第二级保护电路连接第一级保护电路和信号端口，用于进行充电器件模型保护；第一级保护电路和第二级保护电路均未连接电源线。本发明专利技术技术方案，可以避免静电释放电路中由于版图较长走线引入的寄生电阻，能够改善静电释放保护性能，简化电路布局和优化芯片面积。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电释放保护电路，尤其涉及一种静电释放电路。

技术介绍

1、静电释放电路(electrostatic discharge，esd)是一种用于保护电子设备免受静电释放损害的电路。

2、现有的静电释放电路设计，需要连接电源端口。一般情况下，芯片的io引脚较多，而供电引脚较少，会导致io端口静电释放保护电路的电源端口经过一段较长走线连接到芯片电源的焊盘或接点上，该走线会引入寄生电阻，在发生静电放电时，该寄生电阻上流过安培级电流，从而在放电路径上引入额外电势差，从而恶化静电释放保护性能。通常情况下，版图上需要尽可能较小的走线电阻，这又给版图布线和芯片面积带来挑战。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种静电释放电路，以解决由于版图较长走线引入的寄生电阻，改善静电释放性能。

2、根据本专利技术的一方面，提供了一种静电释放电路，包括：

3、第一级保护电路，所述第一级保护电路连接信号焊盘，用于进行人体模型保护；

4、第二级保护电路，所述第二级保护电路连接所述第一级保护电路和信号端口，用于进行充电器件模型保护；

5、所述第一级保护电路和所述第二级保护电路均未连接电源线。

6、可选的，所述第一级保护电路包括二极管和ggnmos器件；

7、所述二极管的阴极连接所述信号焊盘，所述二极管的阳极接地；

8、所述ggnmos器件的栅极和第一极连接并接地，所述ggnmos器件的第二极连接所述信号焊盘。</p>

9、可选的，所述第二级保护电路包括二阶rc网络电路和放电器件；

10、所述二阶rc网络电路的第一端连接所述信号焊盘，所述二阶rc网络电路的第二端和第三端接地，所述二阶rc网络电路的第四端连接所述放电器件的第一端，所述放电器件的第二端接地，所述放电器件的第一端连接所述信号端口。

11、可选的，所述二阶rc网络电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻和第二电容；

12、所述第一电阻的第一端与所述信号焊盘连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第一电容的第一端与所述第一电阻的第二端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第二电容的第一端连接所述第二电阻的第二端和所述信号端口，所述第二电容的第二端接地。

13、可选的，所述第一电阻和所述第二电阻的电阻之和大于或等于100欧姆。

14、可选的，所述放电器件包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一极和栅极连接并接地，所述第一晶体管的第二极连接所述信号端口。

15、可选的，所述第一晶体管包括寄生三极管。

16、可选的，所述寄生三极管的放电开启门限小于所述信号端口的mos管的栅氧击穿电压。

17、可选的，所述第一晶体管包括nmos管。

18、本专利技术实施例的技术方案，通过一种静电释放电路，采用第一级保护电路和第二级保护电路的形式，且第一级保护电路和第二级保护电路均未连接电源线。第一级保护电路用于进行人体模型保护，第二级保护电路用于进行充电器件模型保护，级联两种保护电路提供了多层次的防护，增强了电路对不同类型静电释放的抵抗能力。同时第一级保护电路和第二级保护电路均未连接电源线，也就是说，本专利技术实施例提供的第一级保护电路和第二级保护电路均不连接电源端口，不使用电源走线，能够简化电路布局，而且也不会引入使用较长的电源走线带来的寄生电阻，能够改善静电释放保护性能，提高电路的可靠性。本专利技术实施例提供的技术方案，可以避免静电释放电路中由于版图较长走线引入的寄生电阻，能够改善静电释放保护性能，简化电路布局和优化芯片面积。

19、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

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【技术保护点】

1.一种静电释放电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一级保护电路包括二极管和ggNMOS器件；

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二级保护电路包括二阶RC网络电路和放电器件；

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述二阶RC网络电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻和第二电容；

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻的电阻之和大于或等于100欧姆。

6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述放电器件包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一极和栅极连接并接地，所述第一晶体管的第二极连接所述信号端口。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管包括寄生三极管。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述寄生三极管的放电开启门限小于所述信号端口的MOS管的栅氧击穿电压。

9.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管包括NMOS管。

【技术特征摘要】

1.一种静电释放电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一级保护电路包括二极管和ggnmos器件；

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二级保护电路包括二阶rc网络电路和放电器件；

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述二阶rc网络电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻和第二电容；

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻的电阻之和大于或等于1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱守奎，黄军恒，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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