【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路领域，涉及但不限于一种参考电压产生电路。
技术介绍
1、在集成电路领域，集成电路中的一些元件可能具有跟随温度的特性。例如，mos晶体管的阈值电压随温度升高或降低而变化。对于集成电路中具有温度依赖特性的元件，提供随温度改变而变化的参考电压，能够确保电路正常工作或提高集成电路的性能。相关技术中，若需要参考电压既具有正温度系数，又具有负温度系数，那么需要两套不同的电路分别产生正温度系数的参考电压和负温度系数的参考电压，通过多路选择器择一使用。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种参考电压产生电路，包括：
2、电压产生电路，包括：串联的多个电阻模块，至少两个所述电阻模块的两端并联有晶体管模块；输出端，设置于相邻所述晶体管模块之间，用于输出温控电压；所述电压产生电路至少基于所述电阻模块的第一参数和所述晶体管模块的第二参数确定所述温控电压的温度系数，所述第一参数包括等效温度系数，所述第二参数包括所述晶体管模块中导通的晶体管的阈值电压的温度系数；
3、电压放大电路，与所述输出端连接，所述电压放大电路用于根据所述温控电压的温度系数对所述温控电压进行放大，得到参考电压。
4、本公开实施例提供的参考电压产生电路中，温控电压的温控系数至少与电阻模块的等效温度系数和晶体管模块中导通晶体管的阈值电压的温度系数相关，电压产生电路可通过调节等效温度系数和晶体管的阈值电压温度系数中的至少一个，以使温控电压具有正温度系数、零温度系数或负温度系数。也
5、进一步，本公开实施例提供的电压放大电路，可根据温控电压的温度系数选择电压放大电路对温控电压的增益，并基于该增益对温控电压放大，得到参考电压。该增益可使不同温度系数的参考电压在目标温度下均具有目标电压，从而可为元器件在目标温度下工作提供了多种可选的参考电压，进而可以从多个可选的参考电压中选择出温度系数与元器件的温度系数最为匹配的参考电压，为元器件的精细化控制提供基础，利于提高器件性能。
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1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电压产生电路包括：上拉晶体管模块和下拉晶体管模块；
3.根据权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一参数还包括等效阻值，所述第二参数还包括所述晶体管模块中导通的晶体管的沟道宽长比；
4.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，每个所述电阻模块的等效温度系数相等。
5.根据权利要求4所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述上拉电阻模块包括串联和/或并联的多个上拉电阻，部分所述上拉电阻对应设置有上拉开关，每一所述上拉开关基于所述第一控制信号启用或禁用对应的所述上拉电阻；其中，所述多个上拉电阻的温度系数相同；和/或，
6.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述上拉晶体管模块包括并联的多个上拉晶体管，每个所述上拉晶体管串联连接有上拉控制开关，且每个导通的所述上拉晶体管的源极和漏极连接所述上拉电阻模块的两端；其中，所述多个上拉晶体管的沟道宽长比互不相同；所述下拉晶体管模块包括并联的多个下拉
7.根据权利要求6所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述上拉晶体管的阈值电压的绝对值和所述下拉晶体管的阈值电压的绝对值均随温度升高而减小；或者，
8.根据权利要求6所述的参考电压产生电路，其特征在于，多个所述上拉晶体管的阈值电压的温度系数基本相同；
9.根据权利要求6所述的参考电压产生电路，其特征在于，每个所述上拉晶体管的栅极与其漏极连接，每个所述下拉晶体管的栅极与其漏极连接；和/或，所述上拉电阻模块的另一端用于接收带隙基准电压，所述下拉电阻模块的另一端连接接地端；所述上拉晶体管为PMOS晶体管，所述下拉晶体管为NMOS晶体管。
10.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电压放大电路的第一输入端连接所述电压产生电路的输出端，所述电压放大电路的第二输入端与其输出端之间串联第一调节电阻，所述电压放大电路的所述第二输入端与接地端之间串联第二调节电阻；
...【技术特征摘要】
1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述电压产生电路包括：上拉晶体管模块和下拉晶体管模块；
3.根据权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一参数还包括等效阻值，所述第二参数还包括所述晶体管模块中导通的晶体管的沟道宽长比；
4.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，每个所述电阻模块的等效温度系数相等。
5.根据权利要求4所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述上拉电阻模块包括串联和/或并联的多个上拉电阻，部分所述上拉电阻对应设置有上拉开关，每一所述上拉开关基于所述第一控制信号启用或禁用对应的所述上拉电阻；其中，所述多个上拉电阻的温度系数相同；和/或，
6.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述上拉晶体管模块包括并联的多个上拉晶体管，每个所述上拉晶体管串联连接有上拉控制开关，且每个导通的所述上拉晶体管的源极和漏极连接所述上拉电阻模块的两端；其中，所述多个上拉晶体管的沟道宽长比互不相同；所述下拉晶体管模块包括并联的多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：李新，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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