【技术实现步骤摘要】
本申请的所公开实施例涉及半导体存储，且更具体而言，涉及一种存储装置。
技术介绍
1、若动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)存在字线(wordline,wl)、位线(bit line,bl)损坏(例如，短路(short)或开路(open))的情况，则需要对这些wl、bl使用冗余的wl/bl进行替换。本领域技术人员可以理解的是，由于制程工艺的因素，一般一条字线wl出现损坏时，与该条字线wl相邻的一条或者多条其它字线wl也非常大的几率会出现损坏。因此，基于替换效率考虑，制造商在进行字线wl的冗余替换时，通常会采用多条相邻的字线wl同时替换，例如8wl同时替换、4wl同时替换或者2wl同时替换等等。但是，现有的同时替换方式需要预设好同时进行替换的字线wl的数量，然后进行预设数量的字线wl的同时替换；一旦同时替换的字线wl的数量设定了，则后续不易再进行修改，因此，这种同时替换方式非常不灵活，存在很多问题。例如，执行2wl同时替换，虽然相对于单条字线wl的替换，存储芯片的修复效率有所提高，但是其修复效率还是比较低下，无法满足高性能存储芯片的使用；执行8wl同时替换，其修复效率较高，但某些时候需要进行冗余替换的相邻字线wl的个数不足8，甚至远远小于8，例如只有3条相邻的wl需要冗余替换，其还是只能执行8wl同时替换，因此极大地浪费了字线和冗余字线的资源，造成存储芯片面积的浪费。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例，本申请提出一种存储装置，以解
2、本申请公开了一种存储装置，包括：存储阵列，包括普通存储阵列和冗余存储阵列，其中，所述冗余存储阵列中的冗余字线用于映射替换所述普通存储阵列中的普通字线，以使所述冗余存储阵列中的冗余存储单元映射替换所述普通存储阵列中损坏的普通存储单元；烧录存储电路，被配置为存储至少一字线映射地址，其中，每个所述字线映射地址对应一冗余字线组的冗余字线；命令译码器，被配置为响应用户指令生成相应的字线寻址地址；处理电路，耦接所述烧录存储电路、所述命令译码器和所述存储阵列；其中，所述处理电路被配置为接收所述字线寻址地址和所述字线映射地址；响应于所述字线寻址地址匹配至少一所述字线映射地址，生成相应的冗余字线使能信号以驱动匹配的所述至少一字线映射地址对应的至少一冗余字线组中的冗余字线映射替换所述字线寻址地址对应的一组普通字线；其中，所述烧录存储电路中存储的所述字线映射地址包括至少两种类型的字线映射地址，每种类型的所述字线映射地址对应一种类型的所述冗余字线组，且各种类型的所述冗余字线组中的冗余字线的个数不同。
3、本申请的有益效果有：存储装置包括存储阵列、烧录存储电路、命令译码器和处理电路，处理电路，耦接烧录存储电路、命令译码器和存储阵列，其中，烧录存储电路中存储的字线映射地址包括至少两种类型的字线映射地址，每种类型的字线映射地址对应一种类型的冗余字线组，且各种类型的所述冗余字线组中的冗余字线的个数不同，进而处理电路会响应于字线寻址地址匹配至少一字线映射地址，生成相应的冗余字线使能信号以驱动匹配的至少一字线映射地址对应的至少一冗余字线组中的冗余字线映射替换字线寻址地址对应的一组普通字线，从而提高了存储芯片修复的效率及灵活性。进一步地，当第一类型的冗余字线组中第一类型冗余字线(m个)亦发生部分损坏，本专利技术一实施例利用第二类型的冗余字线组中第二类型冗余字线代替部分的(n个)第一类型冗余字线去映射替换字线寻址地址对应的普通字线，无需再占用一组额外的第一类型的冗余字线组(m个，其中n<m)，从而节省了冗余字线资源；此外，即便n≥m，当第一类型的冗余字线组中第一类型冗余字线(m个)发生部分损坏，本专利技术一实施例也可以利用第二类型的冗余字线组中第二类型冗余字线(n个)代替第一类型冗余字线去映射替换字线寻址地址对应的普通字线，避免在第一类型的冗余字线组的第一类型冗余字线耗尽时，也能实现替换而不至于发生无法修复的情况。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种存储装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述处理电路包括：
3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，所述处理电路还包括：
4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的存储装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，所述处理电路还包括：
10.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于，所述处理电路还包括：
11.根据权利要求10所述的存储装置，其特征在于，所述处理电路还包括：
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述处理电路包括：
3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，所述处理电路还包括：
4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵如月，支凡，
申请(专利权)人：珠海横琴芯存半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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